- 带隙基准源广泛应用于各类集成电路之中。在现代集成电路日益发展的今天，带隙基准源扮演了极其重要的角色。在A／D，D／A转换器以及一些模拟和数字电路中，带隙基准源起着至关重要的作用，它的温度特性和抗噪声能力直接决定了整体电路的精度和性能。因此，提高带隙基准源的精度是十分重要的。
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带隙基准源 集成电路 VBE A／D D／A
- 本文通过结合LDO与Brokaw基准核心，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB，最高PSR为-36 dB，温漂可以达到7.5 ppm，适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分，使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。
1 电路结构
1.1 基准核心
目前的基准核心可以有多种实现方案：混合电阻，Buck voltage transfer cell，但是修调复杂，不宜工业化。本设计采用Brokaw基准核心，其较易实现高压基准输出，并
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带隙基准源 LDO
- 摘要：在传统Brokaw带隙基准源的基础上，提出一种采用自偏置结构和共源共栅电流镜的低成本多路基准电压输出的CMOS带隙基准源结构，省去了一个放大器，并减小了所需的电阻阻值，大大降低了成本，减小了功耗和噪声。该
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带隙基准源 多路基准电压输出 温度系数 Cadence
- 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源，工作电压为5～10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性，对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿，设计了一种输出电压为1．3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7．427pp-m／℃，在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0．022 mm2，适用于低压差线性稳压嚣等领域。
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CMOS 高精度 带隙基准源
- 设计一种低温漂低功耗的带隙基准结构，在传统带隙基准核心电路结构上增加一对PNP管，两个双极型晶体管叠加的结构减小了运放的失调电压对输出电压的影响，降低了基准电压的温度失调系数。电路设计与仿真基于CSMC0．5μm CMOS工艺，经流片，测得室温下带隙基准输出电压为1．326 65 V，在-40～+85℃范围内的温度系数为2．563 ppm／℃；在3．3 V电源电压下，整个电路的功耗仅为2．81μw；在2～4 V之间的电源调整率为206．95 ppm。
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低功耗 带隙基准源
- 伟健电子代理了Thaler公司推出的一系列产品，包括带隙基准源VRE4100系列，压力传感器TPS31系列和正弦波基准源SWR200等。
1.带隙基准源VRE4100系列
带隙基准源VRE4100系列产品具有高精度、微功率、低成本的特性。其初始误差为±0.05%，温度系数仅为1.0ppm/℃，并具有很低的温度迟滞：20ppm。输出电压灵活，包括4.096V、2.5V、2.048V、1.2
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伟健电子 Thaler 带隙基准源 压力传感器 正弦波基准源
带隙基准源介绍
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