作为IC晶圆生产直接的原材料，全球硅片行业经历了从6寸向12寸的迭代，同时生产中心由美国转移到了日本。目前日本凭借半导体产业分工带来的机遇占据硅片行业50%以上份额，但......
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硅片 DRAM
国内厂商要想在CMOS传感器市场搅出点动静来，没有足够的资金和规模这根“杠杆”是非常难的，一方面，要拥有雄厚的资金支持，另一方面，则是中国半导体行业的通病，小而散的布局，决定了厂商的规模不会很大。
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CMOS 图像传感器
据外媒消息，第二大DRAM芯片厂商SK海力士已着手第六代DDR内存即DDR6的研发，预期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。 接受采访时，SK海力士研发Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6将在5~6年内发展起来。 Kim
Dong-kyun透露，“后DDR5”产品已经有几套技术概念成型，其中一套延续现有的数据传输规范，另一套则是将DRAM和CPU等片上系统的处理技术结合。 资料显示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工艺、开发出单颗容量16Gb(2GB)的DD
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DRAM DDR6
视觉传感技术是传感技术七大类中的一个，视觉传感器是指通过对摄像机拍摄到的图像进行图像处理，来计算对象物的特征量(面积、重心、长度、位置等)，并输出数据和判断结果的传感器。视觉传感器是整个机器视觉系统信息的直接来源，主要由一个或者两个图形传感器组成，有时还要配以光投射器及其他辅助设备。视觉传感器的主要功能是获取足够的机器视觉系统要处理的最原始图像。 视觉传感的工作原理 视觉源于生物界获取外部环境信息的一种方式，是自然界生物获取信息的最有效手段，是生物智能的核心组成之一。人类80%的信息都是依靠视觉获
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视觉传感器 CMOS CCD
通过《AI芯片技术白皮书》，可以清晰地看到人工智能芯片是人工智能产业和半导体产业交叉融合的新节点，涉及多个学科、多个领域的理论和技术基础，突显对基础扎实、创新能力强的人才的需求。
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AI 芯片 CMOS
业界都谨慎地观察2019年中国半导体业的发展态势，用呈”不确定性”，而一言以蔽之。本文拟从以下三个方面，包括2019年全球半导体业的弱势;中国集成电路产业发展由产能扩充阶段转向产品增长的攻坚战;以及在贸易战下心理因素的影响等来初探2019年中国半导体业的增长。
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半导体 DRAM 存储器
尽管随着主要存储器业者已完成或即将完成Flash存储器产量扩增计划，2019年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出将会大幅下滑，但该支出金额仍然会继续高于各业者在DRAM与晶圆代工业务上的支出。 ICInsights最新资料显示，2016年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出金额为144亿美元，低于同年晶圆代工业务资本支出金额的219亿美元。
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DRAM 晶圆 Flash
非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。 在很多的存储系统的写操作程序中，内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁，提供更快速的性能，但是如果发生突然间断电的情况，如何保护内存中的数据不丢失，这是存储系统中老生常谈的议题。易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候，里面的数据会丢失，就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失，像硬盘等外存。RRAM是一
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存储器 DRAM
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2018年12月正值欧美年节时期，DRAM成交量清淡，因此不列入合约价计算，意味着12月份合约价与11月份大致持平。主流模组8GB均价仍在60美元左右，而4GB约在30美元水位，但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合约价已于去年12月开始议定，综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱，以及短中期经济展望不明朗等因素，买卖双方已有8GB均价降至55美
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DRAM，价格
随着中美谈判尝试结束贸易战，对于两国冲突的一个关键方面——针对涉嫌盗窃商业机密的刑事起诉，美国谋求新的策略来打击中国实现内存芯片量产的愿景。据外媒报道，当地时间本周三，福建晋华与其合作伙伴台湾联电被控窃取商业机密一案在旧金山联邦法院审理，预计晋华和联电将做无罪辩护。
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晋华 DRAM 联电
据BusinessKorea北京时间1月8日报道，受内存行业的增长推动，去年全球半导体市场同比增长了13%。三星电子以15.9%的市场份额维持住了全球龙头老大的位置;SK海力士排名第三(注)，营收同比增长38.2%，在行业前十大公司中增速最快。 据市场研究公司Gartner日前发布的2018年全球半导体市场初步报告显示，全球半导体营收去年达4767亿美元，同比增长13.4%。存储芯片占半导体总营收的比重从2017年的31%上升至了2018年的34.8%，占比最大。 三星电子去年的半导体营收达759
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三星 半导体 DRAM
DRAM内存降价已是必然，内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止，降价的势头也同样比预期更狠。与此同时，NAND Flash产能超出预期，以致市场供过于求，价格连续走跌。
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存储器 DRAM
每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International
Electron Devices Meeting，缩写：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
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DRAM GAA-FET
目前，现有的CMOS半导体工艺正在逐步逼近物理极限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未来十年的计算时代中，CMOS工艺很有可能被新技术取代。 近日，英特尔联合加州大学伯克利分校的研究人员开发了一种新的MESO(磁电自旋轨道)逻辑器件，这种常温量子材质制造的设备可以将芯片工作电压从3V减少到500mv，减少5倍，能耗降低10-30倍，而且运行速度也是CMOS工艺的5倍。 这项技术是英特尔、加州大学伯克利分校合作的，论文已经发表在《自然》杂志上，它所用的MESO是一种铋，铁和氧(BiFeO3)组成的
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CMOS，MESO
全球DRAM市场上，三星一家独大，接着是SK
Hynix及美光，这三家的DRAM份额占到了全球95%左右，而华亚科被美光全资收购之后，Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了，虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。 1 DRAM连涨之后持续下跌 在DRAM内存涨价超过9个季度之后，内存芯片价格终于在10月份大跌了一次，DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%，预计2019年还会继续跌20%。 受此影响，全球第四大内存芯片厂商南亚科
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DRAM NAND
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