- HBM处理数据的速度较一般DRAM有显著提升，业界预料，HBM市场将以每年2倍以上的速度扩大，不过目前HBM市场仍远小于一般DRAM。
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HBM2 DRAM
- 随着自动驾驶汽车的发展，毫米波雷达作为自动驾驶中必不可少的传感器件有着广阔的市场机会，百亿市场的毫米波雷达市场，中国厂商如何在市场中分一杯羹?
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CMOS 毫米波雷达
- 工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)引用市调机构调查报告指出，去年全球DRAM价量飙扬，产值年增达约77%、达725亿美元，平均销售单价上涨55%;今年预估还是供不应求，虽然涨幅力道不如去年大，但在主要供货商仍有节制增产下， 预估今年平均销售单价仍会涨逾32%，年产值估约年增23%、达近900亿美元，为历年来新高。
IEK看好今年内存仍将会是价量齐扬的一年，主因人工智能将从云端运算往下落到边缘运算，预估到2022年，将会有高达75%的数据处理工作不在云端数据中心完成， 而是透过靠近用户的边缘运
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DRAM
- 2017年第四季度存储市场依旧火爆，受全球数据中心增长驱动，服务器存储器需求尤其强劲，将继续推动公司2018年利润的增长，SK海力士也将扩展新生产线来满足市场需求。
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SK海力士 DRAM
- 全球第二大内存芯片厂韩国SK海力士受惠DRAM价格大涨，以及市况持续畅旺，去年第4季获利创单季新高，看好今年服务器内存需求持续强劲。 市调机构集邦则预期，尽管智能手机销售不如预期，恐导致本季移动内存合约价涨幅收敛为3%，但第2季将重启拉货动能，价格仍会续涨。
SK海力士昨天举行发布会并公布去年财报，去年第4季获利和去年全年获利都创新高。 该公司分析，去年第4季获利创高，主因DRAM芯片出货季增3%，平均价格涨9%;NAND芯片出货增16%，均价涨4%。
SK海力士预估，2018年DRAM芯
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海力士 DRAM
- 大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想。
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DRAM NAND
- Mentor，A Siemens Business今天宣布赞助高级CMOS 技术冬季大师班。高级 CMOS 技术冬季大师班由 IEEE 电路与系统学会(CASS)和 IEEE 固态电路学会(SSCS)共同举办。1月21日至26日，每天邀请一位来自集成电路领域学术界或工业界的顶级专家进行主题演讲。每天长达6小时，针对人工智能信息处理、生物医疗电子、神经回路研究前沿、脑机接口、智能传感等应用领域，带领学员全方位深入理解先进集成电路工艺与设计技巧。
“很高兴Mentor能够赞助大师班。&r
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Mentor CMOS
- 我们知道，在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”，例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差(如CPU与外设)或者各自的信号类型不一致(如传感器检测光信号)等，这时我们应该考虑通过相应的接口方式来很好地处理这个问题。 下面就电路设计中7个常用的接口类型的关键点进行说明一下： 1TTL电平接口 这个接口类型基本是老生常谈的吧，从上大学学习模拟电路、数字电路开始，对于一般的电路设计，TTL电平接口基本就脱不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以内，这
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TTL CMOS
- 紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。
同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。
针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。
1月26日紫光国芯在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储
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紫光国芯 DRAM
- 2017年，整体内存产业不论DRAM或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法，DRAM热度可望延续，供不应求态势依旧，但NAND部分，恐怕就不会那么乐观了，由于大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供给吃紧，届时产业由悲转喜。
DRAM无新增产能
首先就DRAM部分，以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多就
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DRAM NAND
- 南亚科总经理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM价格持续看涨，但涨幅会收敛些，下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看，韩国二大厂都表明将依市场需求增产，分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。
李培瑛表示，服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲，南亚科内部预估，今年DRAM位需求增幅约20%至25%，搭配云端数据中心对服务器DRAM需求同步畅旺，以及高端手机搭载DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奥运来临，刺激电视与机顶盒等需求，带动利基型D
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南亚科 DRAM
- 武汉东湖高新区未来三路与高新大道交汇处，一个被称为“黄金大道”的T字形结构的芯屏组合的产业聚集区已悄然形成。而这其中的“1号工程”正是在中国存储器产业已掀起“巨浪”的长江存储科技责任有限公司(以下简称“长江存储”)。
2018年1月17日，阴冷两天的武汉再度放晴，而长江存储的一期工厂已经竣工，已然组建的研发团队正在东湖高新区(以下简称“高新区”)的另一处办公地址加紧推进研发工作
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集成电路 DRAM
- RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
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SRAM DRAM
- 研调机构IC Insights发布最新报告指出，DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰，预估达到211亿美元，较2016年第4季的128亿美元大增65%。IC Insights表示，据历史经验来看，DRAM产业在不久的将来，可能经历长期间的景气向下格局，因随着DRAM产能增加，今年价格将开始下滑，跌势更恐达2年之久。
回顾2017年，受惠于数据中心需求，带动服务器DRAM明显升温，同时智能手机与其他移动装置产品采用低功耗高密度DRAM也同步成长，2017年DRAM价格报价一路上扬
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DRAM
- 缺货涨价固然有产能不足的因素，但原厂联合渠道商炒货，是其中更为重要的潜在影响因素。
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DRAM 三星
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