- 揭开废弃纽扣电池的秘密-监视便携式设备或配套服务系统中纽扣电池的电压等级，对现代 CMOS 运算放大器来说是一项常见的简单应用。
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CMOS CR2032 德州仪器
- 浅谈存储器体系结构的未来发展趋势-对存储器带宽的追求成为系统设计最突出的主题。SoC设计人员无论是使用ASIC还是FPGA技术，其思考的核心都是必须规划、设计并实现存储器。系统设计人员必须清楚的理解存储器数据流模式，以及芯片设计人员建立的端口。即使是存储器供应商也面临DDR的退出，要理解系统行为，以便找到持续发展的新方法。
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存储器 SOC DRAM
- 所有这些干扰都是从哪里来的？-自从进入市场以来，CMOS 单电源放大器就给全球单电源系统设计人员带来了极大优势。影响双电源放大器总谐波失真 + 噪声 （THD+N） 特性的主要因素是输入噪声与输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的输入输出级。但是，输入级对 THD+N 的影响可让单电源放大器的这一规范属性变得复杂。
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CMOS 电源放大器 THD
- DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存储器
- 硅光子芯片设计突破结构限制瓶颈-当今的硅光子芯片必须采用复杂的制造制程连接光源与芯片，而且也和晶圆级堆栈密不可分。
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硅光子 半导体芯片 CMOS 芯片设计
- 去年我们曾经对存储器产业进行分析，认为存储器产业在2016～2017年是恢复秩序且有机会成长的产业，时至今日，虽然存储器大厂持续迈向新制程发展，但由于市场寡占，主要大厂对于新产能扩充仍相当自律，加上电子化产品对于存储器的需求持续提升，因此在这1年间，存储器变成了洛阳纸贵的零组件。
尤其到了第3季旺季，存储器需求更是热络，报价持续走扬，预期2017年对于存储器产业来说将是丰收的1年，受惠智能手机存储器容量升级，服务器/数据中心的强劲需求，2018年存储器需求亦可望持续成长。
从需求部分来看，
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存储器 DRAM
- 研调机构Gartner预估，今年全球半导体产值可望达4111亿美元，将较去年成长19.7%，是7年来成长最强劲的一年。
Gartner指出，存储器供不应求，尤其是动态随机存取存储器(DRAM)，是驱动今年整体半导体业产值成长的主要动力。随着存储器成本增加，材料清单成本高于电子设备部分，Gartner表示，已有代工厂调高价格因应。
展望未来，Gartner预期，明年全球半导体产值可望进一步攀高至4274亿美元，将较今年再成长4%;只是随着供应商增产，存储器市场恐将反转，2019年全球半导体产
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存储器 DRAM
- 据外媒报道，DRAMeXchange的最新报告指出，用于移动设备的LPDDR DRAM协议价在今年第四季度将上涨10%～15%。
此前，LPDDR的价格是低于PC、服务器等平台的，但这些年需求越来越猛，生产企业们也开始打起高利润的主意。所以，不排除一些已经发布的千元机和尚未发布的千元机会在其售价上做出调整的可能。而旗舰机方面，因为本身缓冲空间较大，暂时不会受到冲击。
因为DRAM在整个2018年的产能依然都弱于需求，预计安卓内存的军备竞赛会暂时停留在8GB，甚至像三星、华为等依然维持6GB
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LPDDR DRAM
- DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象，在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中，也许大家都是赢家。
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DRAM NAND
- cmos+忆阻器实现高效分布式处理兼存储功能的传感器架构-依靠忆阻器执行像素级自适应背景提取算法的成像传感器架构,与全cmos成像传感器相比，基于忆阻器的解决方案可取得更小的像素间距和非易失性存储功能，让设计人员能够使用可编程时间常数建立图像背景模型。
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cmos 忆阻器 传感器
- ccd与cmos的区别及六大硬件技术指标-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后产生电子的基本原理相同，但是读取过程不同：CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂，读出速率慢；CMOS 则以类似 DRAM的方式读出信号，电路简单，读出速率高。
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ccd cmos 图像传感器
- 图像传感器原理及分类-图像传感器是各种工业及监控用相机、便携式录放机、数码相机，扫描仪等的核心部件。目前，这个快速增长的市场现在已经延伸到了玩具、手机、PDA、汽车和生物等领域。
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图像传感器 CCD CMOS
- DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
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DRAM NAND RAM
- DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-随着系统对内存容量、带宽、性能等方面的需求提高，系统会接入多个 DRAM Devices。而多个 DRAM Devices 不同的组织方式，会带来不同的效果。本文将对不同的组织方式及其效果进行简单介绍。
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DRAM
- 次世代记忆体换当家？关于新当家的那点事-据韩媒BusinessKorea报导，IBM 和三星在电机电子工程师学会（IEEE）发布研究论文宣称，两家公司携手研发的STT-MRAM 的生产技术，成功实现10 奈秒（nanosecond）的传输速度和超省电架构，理论上表现超越DRAM。韩国半导体业者指出，16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限，包括FRAM在内的多种次世代存储（其它包括MRAM）备受期待。
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dram fram
cmos.dram介绍
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