智能手机的涨价潮已然是一种普遍现象，Galaxy Note 9的定价逻辑或许只是新一轮涨价潮的开始，曾经标售1999元的旗舰机早已渐行渐远。
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手机 DRAM
随着社会的发展，盲人对独立生活和事业追求越来越强烈，但是要保证在车水马龙的城市生活中安全自如的活动就需要一个专门的导盲设备来进行辅助。因此我
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无人驾驶 汽车电子 CMOS
根据集邦咨询半导体研究中心最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。展望第三季，预期DDR4利基型内存报价水平将较接近主流标准型与服务器内存，因原厂可透过封装打线形式的改变(bonding option)做产品类别更换。DDR3则呈现相对稳健的供需结构，报价预期没有明显变动。整体而言，第三季利基型内存价格走势预估将持平。 DDR3具成本优势，短期仍为利基型记内存主流 就产品应用种类观察，首先在利基型内存需求大宗的电视，今年出货量持稳，约为2.157亿台。不过
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DRAM DDR3
据外媒报道，丰田汽车公司(Toyota Motor Corp)已将用于丰田主动安全套装Toyota Safety Sense (TSS)高级驾驶员辅助系统(ADAS)内的单目摄像头的CMOS图像传感器换成了索尼公司的产品。此次更换产品会让高级驾驶员辅助系统的自动制动功能(该系统的主要功能之一)能够在夜间检测到行人。 丰田将索尼产品用于其2018年推出的第二代丰田主动安全套装TSS(TSS2)上，此为丰田首次在单目摄像头的CMOS传感器中使用索尼产品。之前丰田主动安全套装TSS内的单目摄像头的CMOS
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丰田 索尼 CMOS 图像传感器
几年前突然“大火”的存储行情，给业界带来的极大的冲击。在 PC 市场衰退后本就不多的 DIY 用户，要么咬牙买高价内存(DRAM)和固态硬盘(SSD)、要么咬牙推迟或干脆直接放弃了装机升级的计划。当然，市场也不是没有好消息。据集邦咨询(DRAMeXchange)所述，近期闪存降价的趋势，有望持续到 2019 上半年。 DRAMeXchange 报告称，2018 年 3~4 季度，NAND 闪存的平均销售价格，预计将下降 10% 。集邦认为，市场需求较低的情况下所增长的产能，是推动这一趋势的主要原因。
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闪存 DRAM
在最近发布的《麦克莱恩2018年中期报告》(McClean Report 2018)中，IC Insights预测，2018-2022年全球GDP和IC市场相关系数将达到0.95，高于2010-2017年期间的0.88。 IC Insights描述了从2010年到2017年全球GDP增长与IC市场增长之间日益密切的关联，以及到2022年的最新预测。 如图所示，在2010-2017年的时间段内，全球GDP增长与IC市场增长的相关系数为0.88，这是一个强劲的数字，因为完全相关为1.0。在此期间之前的3
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DRAM NAND
很多学习半导体技术的人弄不清CMOS与BIOS之间的联系与区别，容易误认为两个表达的是一个东西，其实不然，两者有关联却不相同。 什么是CMOS与BIOS? CMOS又被称作互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。在今日，CMOS
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CMOS BIOS
本文将透露世界首款K波段数据转换器EV12DS460A背后的设计秘密，介绍为了提高性能和规避CMOS设计限制而引入的超高速制程。同时本文也将解释，紧凑的单核心数据转换器核心配合仔细斟酌的设计如何让EV12DS460A的性能有突破性提高。最后，您可以看到布线和电路简化的细微差别是设计时应考虑的重要因素。 概述 微波系统设计师一直在追求更高的性能和更高的工作带宽。简化设计和降低功耗、尺寸、重量同样是需考虑的问题。UWB数据转换器能极大地简化多通道传输系统的设计(如果您对此不了解，请访问这里)。多年来，
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DAC CMOS
COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强
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CMOS 电平转换 电路
今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为，国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图，但或将对全球存储市场价格走势造成影响。 而随着中美贸易局势的紧张，以及中国监管机构正式启动对三星、美光、SK海力士等存储机构的反垄断调查，中国存储产业的发展也愈发受到关注。 目前，中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。 近期传出合肥长鑫投产8
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NAND DRAM
CCD和CMOS传感器是目前最常见的两种数字图像传感器，广泛运用于各类工业相机，个人数码相机，手机相机及摄像机等数字成像产品。 CCD传感器于1969年由贝尔实验室研制成功，伴随其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音的特性，一度成为图像传感器市场的主导。和CCD传感器相比，CMOS图像传感器具有低功耗、低操作电压、低价格等优势，但是在CMOS图像传感器出现初期由于相对较差的性能和较大的像元尺寸，并没有得到很好的市场。后来随着超大规模集成电路技术(VLSI)和CMOS工艺水平的不断提高，C
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CCD 传感器 CMOS
时间进入2018年第3季，市场上却充斥智能型手机需求不如预期杂音，熟悉半导体厂商表示，目前看来手机相关芯片需求可望维持基本盘，成长空间确实有待观察，然而今年值得注意的重点为换购升级需求，如以往手机采用双镜头，往后更将往三镜头推进，将带动CMOS感测元件量能提升。另外，手机以外最重要的次世代领域车用电子市场，一台车采用CIS元件颗数上看40颗以上，对于讲究量能的专业CIS封测厂如胜丽、京元电、同欣电、以及代理Sony CIS元件的专业渠道厂商尚立来说，下半年营运仍可望正向看待。 车用CMOS影像传感器
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CMOS，传感器
美光科技有限公司(纳斯达克代码：MU)宣布，中国福建省福州市中级人民法院于今日通知美光科技的两家中国子公司，针对联华电子股份有限公司(以下简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称“晋华”)提起专利侵权诉讼的案件，该法院已批准向美光科技两子公司裁定初步禁令。这次联电和晋华提起专利侵权诉讼，实为报复此前台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密提起的刑事诉讼，以及美光科技就此针对联电和晋华向美国加利福尼亚北区联邦地区法院提起的民事诉讼。 该初步禁令禁止美光科技两中国子公司在中国制造、销
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美光科技 DRAM NAND
此次对美国芯片巨头美光(Micron)发出“诉中禁令”虽不是最终判决，但似乎暗示美光确实存在侵权行为。而这是中国发展半导体一路被指称“窃密”和“侵权”以来，首次成功重拳回击。
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芯片，美光，DRAM
作为每年的安卓参考机，谷歌的“亲儿子”系列在欧美有着一票忠实粉丝。 6月30日，知名爆料人Onleaks分享了一张Pixel 3的结构透视照，确认了其后置单摄像头、后指纹的设定。 他还透露，资料是从制造工厂拿到的CAD定稿，可靠度不用质疑。 根据此前的渲染，Pixel 3 XL将搭载一块6.2英寸19：9的刘海屏，pixel 3则是5.4寸16：9传统设计。 其中，在前刘海的设计上，谷歌最终拿出的方案是，刘海内元件对称(两颗摄像头)，宽度23.8mm，竖直长度8.1mm，而“下巴”的竖直长度是
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华为 CMOS 谷歌
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