6月6日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产，其中内存国产化的意义更重要一些，毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导，门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿，去年底量产了1Xnm级别（具体大概是19nm）的内存芯片，可以供应DDR4
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国产 DRAM 内存 合肥长鑫
伴随着当今更低成本和更高性能的工业相机的趋势,对CMOS图像传感器也提出了更高的要求,需要通过设计系统级芯片(SoC)来实现这一目标。为实现该目标,需通过3D芯片堆栈和背照(back side illuminated ,BSI)技术,把多个图像处理任务集成到单一器件中。在未来将会出现具有精密的机器学习和专有的智能计算芯片结合图像撷取功能的解决方案,创造出紧凑的高速运算视觉系统。
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BSI CMOS SoC RTC MTF
存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会，会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法，指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长，其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于，2020年下半年市况，吴嘉昭则是表示，因为各项不确定因素仍多，因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示，2019年因中美贸易战导致的关税问题，使得供应链面临调整，加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素，导致DRAM需求减少，使得平均销货较2018年减少超过45%，也使得南亚科在2019年
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存储器 10nm 南亚科 DRAM
鲁 冰 （《电子产品世界》记者） 不久前，MEMS蚀刻和表面涂层方面的领先企业memsstar向《电子产品世界》介绍了MEMS与传统CMOS刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土MEMS制造工厂和实验室的建议等。 1 MEMS比CMOS的复杂之处 MEMS与CMOS的根本区别在于：MEMS是带活动部件的三维器件，CMOS是二维器件。因此，虽然许多刻蚀和沉积工艺相似，但某些工艺是MEMS独有的，例如失效机理。举个例子，由于CMOS器件没有活动部件，因此不需要释放工艺。正因为如此，当活动部件“粘”在表面上
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202006 MEMS CMOS memsstar
当脑海中浮现机器人的形象时，您可能会联想到巨大的机械手臂，工厂车间里盘绕的随处可见的线圈和线束，以及四处飞溅的焊接火花。这些机器人与大众文化和科幻小说中描绘的机器人大不相同，在后者中，机器人常以人们日常生活助手的形象示人。介绍如今，人工智能技术的突破正在推动服务型机器人、无人飞行器和自主驾驶车辆的机器人技术发展，市场规模预计将从2016 年的310 亿美元增加到2020 年的2370 亿美元[1]。随着机器人技术的进步，互补传感器技术也在进步。就像人类的五官感觉一样，通过将不同的传感技术结合起来，可在将机
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CMOS IMU 传感器 EVM RF RVIZ
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日开发出一款高速接地检测CMOS运算放大器“BD77501G”，非常适用于计量设备、控制设备中使用的异常检测系统、处理微小信号的各种传感器等需要高速感测的工业设备和消费电子设备。“BD77501G”是业界首创的支持异常检测系统等所需的高速放大（10V/µs的高转换速率），且不会因布线等的负载电容而振荡的运算放大器。以往的高速运算放大器受负载电容影响有时会产生振荡，不稳定，本产品不会发生振荡，可稳定工作。另外，在整个噪声频段，普通产品的输出电压波动达到±2
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CMOS
三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%，但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示，一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%，是第一大厂商，较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点，后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%，但一季度三星DRAM的营收其实有下滑，较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士，一季度的销售额也下滑了4%，下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技，其一季度的市场份额为20.8%，销售额下滑1
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三星 DRAM
技术领先的CMOS图像传感器供应商思特威（上海）电子科技有限公司（SmartSens）近日正式发布首款针对物联网应用的CMOS图像传感器（CIS）产品 — SC210IoT。作为“新基建”概念中最重要的一个技术方向，5G技术的商用落地加速了物联网时代的到来，开启了一个万物互联的物联网时代。据估计，全球联网设备的数量正在以每秒127台的速度不断增加，并将到2020年底达到310亿台的惊人数量。而在物联网的构建中，“感知”、“计算”和“互联”是最为核心的三个部分。“感知”的主要发展方向便是开发适用于物联网应用
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CIS CMOS AEC
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL)；(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电
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DRAM GIDL
据ZDnet报道，三星宣布，已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
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三星 EUV DRAM
当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12
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三星 DRAM EUV
据IDC预测，2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量，如此惊人而又庞大的数据量，半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种，具体类型如下：“凛冬将至”：这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司（三星、海力士、美光）的财报都非常喜人，SK海力士、美光的营收规模均成长近8成，而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说，2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%，达4197.2亿美元，存储器的
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存储器、NAND、DRAM
最近的疫情危机给全球大多数电子产品的前景蒙上了阴影，智能手机Q1季度会是暴跌50%。不过内存厂商现在可以轻松下了，Q1季度开始就进入全球牛市，预计会连涨七个季度，也就是2020年底才可能稳下来。自从1月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后，这两家公司纷纷表态对生产基本没影响，但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血，内存及SSD硬盘的现货价应声而起，1月份就涨价高达30%。那这一波内存涨价要持续多久呢？UBS瑞银分析师Timothy Acuri日前发表报告评估了内存市场的发展趋势，他认为内存涨价将持续至少7个
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DRAM、内存
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