- 市场研究公司iSuppli周一表示，下半年，用于个人电脑的主存储芯片的短缺，将导致芯片价格上涨。DRAM芯片厂商目前面临两个供应问题：无力获得所 需的生产设备和难以引入高新技术。DRAM芯片短缺将为全球电脑市场带来危机。市场研究机构IDC最新数据显示，二季度个人电脑出货量同比增长 22.4%，而与此同时，DRAM芯片厂商仍然在试图从去年的经济低迷中复苏。
去年众多DRAM厂商没有足够的资金来购买新设备，今年他们从设备厂商手中订购了大量产品。 DRAM市场成功的关键在于尽可能快的生产出尽可能多、尽
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三星电子 DRAM
- 存储器大厂华邦第2季毛利率大幅提升至25%，税后获利较上季成长率高达222%;总经理詹东义表示，华邦宣告转型告捷，第2季标准型DRAM营收比重降至2%，未来华邦是全方面存储器供应商，第2季表现最佳的是NOR Flash产品线，其次是Mobile RAM，惟原本预计第4季才会供需平衡的NOR Flash市场，提前在第3季发生，因此预期第3季NOR Flash价格上涨不易，但华邦会推出新产品和持续耕耘一线大客户，第3季整体成长动能仍是持续。
华邦第2季合并营收新台币85.31亿元，较上季成长22%，
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存储器 DRAM
- 摘要：此振荡器专门针对恒压恒流(CV-CC)控制、频率抖动(Frequency Shuffling)技术。采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计，锯齿波信号的线性度较好，当负载电路减小时，自动进入Burst Mode状态提高系统的效
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控制器 振荡器 电路 DC AC CMOS 绿色 模式 一种
- 近2年DRAM价格的高点都出现在上半年，下半年虽然有传统旺季的加持，但DRAM价格反而都是一路走下坡的趋势，除了是全球经济局势变量太多，各厂力拼制程微缩，拼命转进新制程以增加产出，也是因素之一;目前各界认为，2010年上半1颗DDR3单价3美元的时光已难再现，因为随着50奈米制程量产，每颗芯片成本降到1美元，未来DRAM产业不会有暴利，只有合理的利润空间。
2010年3~4月是DRAM价格的高峰期，当时个人计算机(PC)换机潮涌现，DRAM市场陷入严重的供不应求，供给端大家都在转换新制程，状况也
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南亚科 DRAM
- 近2年DRAM价格的高点都出现在上半年，下半年虽然有传统旺季的加持，但DRAM价格反而都是一路走下坡的趋势，除了是全球经济局势变量太多，各厂力拼制程微缩，拼命转进新制程以增加产出，也是因素之一;目前各界认为，2010年上半1颗DDR3单价3美元的时光已难再现，因为随著50奈米制程量产，每颗芯片成本降到1美元，未来DRAM产业不会有暴利，只有合理的利润空间。
2010年3~4月是DRAM价格的高峰期，当时个人计算机(PC)换机潮涌现，DRAM市场陷入严重的供不应求，供给端大家都在转换新制程，状况也
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三星电子 DRAM
- 市场调研公司集邦科技今天发布了二季度全球内存市场统计报告。受到期货价格稳定和出货量小幅增长的利好影响，该季度全球DRAM收入环比上涨15.2%到107亿美元。虽然1Gb DDR3的现货价格环比下降了3%，但是2GB DDR3内存的期货价格却环比上涨了10%;受到1Gb DDR2价格进一步下滑的影响，DDR2内存该季度的出货量大幅度降低。
二季度全球DRAM出货量环比增长10%，但所用晶圆出货量增长率只有3.8%。集邦科技分析称，芯片供应商都将重点放在了制程工艺的升级，而非产能提升上面。
三
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三星 DRAM
- Digitimes Research分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。
正因产能扩充有限，并伴随2009年第1季全球景气见到最低点且逐季好转，全球DRAM需求量亦同步扩张，使得长年下跌的DRAM报价亦在2009年得以止跌回升。
于此同时，全球DRAM市场的
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三星电子 DRAM
- 未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多，如两次图形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金属栅等。由此，在未来的2011-2012年，甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间，它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议
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半导体制造 DRAM NAND
- 摩尔定律在自1965年发明以来的45年中，一直引领着世界半导体产业向实现更低的成本、更大的市场、更高的经济效益前进。然而，随着半导体技术逐渐逼近硅工艺尺寸极限，摩尔定律原导出的“IC的集成度约每隔18个月翻一倍，而性能也将提升一倍”的规律将不再适用。为此，国际半导体技术路线图组织(ITRS)在2005年的技术路线图中，即提出了“后摩尔定律”的概念。近年的技术路线图更清晰地展现了这种摩尔定律与“后摩尔定律”相结合的发展趋势，并认为&
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摩尔定律 MEMS CMOS
- Digitimes Research分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。
正因产能扩充有限，并伴随2009年第1季全球景气见到最低点且逐季好转，全球DRAM需求量亦同步扩张，使得长年下跌的DRAM报价亦在2009年得以止跌回升。
于此同时，全球DRAM市场的
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三星电子 DRAM
- 内存价格最近是一路下滑，特别是已经失去主流地位的DDR2。不过力晶半导体董事长黄崇仁近日就表示，DRAM芯片价格将在8月份反弹，价格回涨，十一月份和十二月份可能会受季节性销售因素影响再度下滑。
黄崇仁称，DRAM芯片近期的价格下滑是由于市场需求过低导致，并不是芯片供应商之间的价格战引起，而且他还认为，PC OEM厂商为了降低生产成本，降低了一些产品的存储容量，从而影响了市场需求。
他还对未来2-3年的DRAM持乐观态度，不过认为芯片容量的上升对产业健康发展的促进有限。
此外黄崇仁还表
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力晶 DRAM 内存价格
- 近期韩系DRAM大厂──三星、海力士先后宣布上调2010年资本支出，手笔之大令人惊愕。三星将对芯片业务支出20万亿韩元(约合177亿美元)，该数字是此前支出计划的两倍多;海力士也将资本支出提高了三分之一，达到3.05万亿韩元(约合27亿美元)。预计这些支出中将有相当一部分进入DRAM业务。
2007年以来，DRAM市场开始了一段令厂商苦不堪言的低迷期，直到2009年第一季度见底。此间曾排名第三的DRAM大厂奇梦达轰然倒塌，令业界震惊扼腕。市场低迷的根本原因是产能过剩、供过于求。2006年市场获得
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奇梦达 DRAM
- 全球半导体产业走入50奈米制程后，浸润式曝光机台(Immersion Scanner)出现大缺货，尤其是最新款的NXT:1950i机种上，交期几乎拉到快12个月，使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时;存储器业者透露，尔必达(Elpida)阵营开始转向采购旧机种XT:1950i应急。然美光(Micron)阵营则认为，旧机种顶多用到40奈米制程就是极限，不像新机种NXT:1950i可以一路做到30奈米。
半导体产业在进入50奈米以下制程，都必须开始用Immersion Scanner，此机
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Elpida DRAM 50奈米
- 受惠于晶圆代工与DRAM厂推出先进制程，对浸润式显影机台需求大增，让半导体设备大厂艾斯摩尔(ASML)2010年接单畅旺，随著半导体制程推进5x奈米以下先进制程，制程复杂度大增，亦需加紧提高量良率，让ASML甫于2009年推出的整合微影技术(Holistic Lithography)系列产品，已获得意法半导体(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
ASML指出，随著半导体制程推进到50x奈米以下制程，业者投入的经费越来越高昂，生产时程亦拉得更长，良率更难提升，制程容许度(p
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ASML DRAM 晶圆代工
- 据韩国ET NEWS报导，过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格，可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌，但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽韩国企业的净利也将减少，但对台湾企业打击可能更大。
据相关业者及证券师指出，自2009年4月持续上升的DRAM价格进入第3季后可能会有 5%的价格下滑。业界相关人员表示，第3季DRAM价格依据PC业者的调降要求，可能会有5%的下滑，但DRAM供货货量有限制，因此下滑幅度应不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
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海力士 DRAM 40纳米
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