O 引言 电路中的功率消耗源主要有以下几种：由逻辑转换引起的逻辑门对负载电容充、放电引起的功率消耗;由逻辑门中瞬时短路电流引起的功率消耗;由器件的漏电流引起的消耗，并且每引进一次新的制造技术会导致漏
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CMOS 单相 乘法器 能量 能量回收
市场研究公司IC Insights日前预计，三星的芯片销售额或将在2014年超越英特尔。
基于广泛的芯片产品及扩张计划，三星的芯片营收将很快超过英特尔，成为第一大芯片厂商。IC Insights认为，在5到10年前，三星芯片营收将赶超英特尔的想法简直就是天方夜谭，但从1999年到2009年，三星IC营收以13.5%年复合 增长率(compound annual growth rate)的速度增长，而英特尔同期的年复合增长率仅为3.4%。基于此增长速率，IC Insights预计，三星的芯片销售额
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三星芯片 DRAM NAND
佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS传感器：1.2亿像素的APS-H尺寸产品，它比目前旗舰单反EOS 1D Mark IV的影像传感器还大7.5倍，可拍摄全幅13280x9184图像，并可实现9.5FPS的连拍和1080p视频的录制(仅需要用到1/60的有效像素)。这款变态级别的传感器目前似乎还没有应用到任何产品的计划，之前，佳能在2007年展示了5000万像素的传感器样本。
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佳能 CMOS 传感器
CMOS数字集成电路具有输入阻抗高、低功耗、电源电压范围广以及输出电压摆帐大等优点。除了在数字化装置中广泛应用外，亦可用于线性电路，发挥它低功耗的特点。
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CMOS 门电路 放大电路图 微功耗
虽然在美国液晶电视市场的领先优势遭到蚕食，但三星在DRAM颗粒高级制造工艺上的投资就得到了回报。根据市场调研公司iSuppli发布的二季度DRAM市场统计报告，三星在保持DRAM市场老大位置的同时继续扩大了自家市场份额。全球DRAM市场二季度收入为108亿美元，相比一季度的94亿美元上涨14.4%;DRAM出货量按位计算增长近5%，平均价格增长9%。
三星该季度DRAM收入38亿美元，和上一季度的31亿美元相比增长24.3%，为前五大DRAM供应商中增速最快。三星该季度的DRAM市场份额为35.
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液晶电视 DRAM
不要忽略验证工具
Mentor Graphics副总裁兼总经理Joseph Sawicki介绍了他们的最新产品，版图的寄生参数提取工具Calibre xACT 3D，Joseph称，以往此类工具在提取器件的寄生参数时都是二维的，即对器件的几何坐标进行标示和记录从而确定寄生参数，而Calibre xACT 3D则是提取单个器件以及不同器件之间的三维空间信息，这样所得到的寄生参数当然更精确。
八仙过海，鏖战消费电子
电子产业的复苏已经成为不争的事实，众厂商怎么在这第二轮增长中挖到自己
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Mentor USB接口 DRAM 存储器 201008
过去台湾在DRAM产业上的主要技术合作来源包括日本、美国、南韩和德国，这几大阵营各自在制程技术上有很大差别，最大差别在于德系业者采用沟槽式(Trench)制程技术，在这一波金融风暴洗礼之下，成为被淘汰的阵营。
当年各厂面临沟槽式和堆栈式(Stack)技术的十字路口时，日系东芝(Toshiba)、德系西门子(Siemens)和美系IBM都决定选择发展沟槽式技术，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星电子(Samsung Electronics)和海力士
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三星电子 DRAM
环视当今世界电子企业巨头，其中最被称道的公司有两家：一是美国的App1e公司，一是韩国的三星电子集团。尤其是三星电子公司特别值得中国公司学习，也的确是最应该学习的公司。据说，有中国公司如联想、TCL等都曾以三星电子公司为榜样，但愿未来在中国的土地上真能出现“中国的三星公司”，中国电子工业势必将走上更快更好的发展道路。
发展简史
三星电子集团公司成立于1938年，当初只是一家做做干鱼、蔬菜、水果等出口贸易的小公司，但发展颇快，到上世纪50年代初，便成长为韩国的头号贸易
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三星电子 DRAM TFT-LCD 201008
日前，瑞典皇家科学院宣布，博伊尔和史密斯因发明了CCD图像传感器而与高锟分享了2009年的诺贝尔物理学奖。CCD图像传感器如今已经大规模应用于数码相机、手机、摄像机、扫描仪、工业领域以及医学设备中，年出货量在亿颗以上。不过，随着照相手机市场的大规模增长，八十年代开始出现的CMOS图像传感器的出货量在2004年超越了CCD，并开始逐步蚕食数码相机等CCD传统应用市场。
图像传感器领域的这一变化只是传感器技术变化的一个缩影。传感器技术的最大特点就是不断引入多学科的新技术发展新功能，现在，随着电子、M
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传感器 CMOS
Yonhap News报导，全球第二大记忆体制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韩国证交所的文件中宣布，该公司将投资6,770亿韩元(5.69亿美元)扩充、升级现有的生产线，同时并将投入研发工作。Hynix表示，这项投资目的在改善成本竞争力并增加产能，以帮助该公司提升对市场需求的反应能力。Hynix并表示，这项投资计划将在7-9月期间执行。
iSuppli曾于8月9日发表研究报告指出，受到制造设备供应量有限、制程转换面临挑战的影响，2010年下半年DRAM供给量
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Hynix DRAM
iSuppli警告称，DRAM内存芯片供应紧张将导致今年下半年这类芯片价格上涨。
iSuppli指出，当前DRAM厂商面临两类供应问题：无法获得必要的生产设备，部署先进生产工艺的大量工作。
DRAM芯片供应紧张对全球计算机市场而言是个坏消息。尽管计算机销量急剧增长——第二季度同比增长22.4%，DRAM芯片厂商仍然在努力走出去年的危机。
去年，许多DRAM芯片厂商没有资金采购生产设备，今年它们向生产设备厂商订购了大量产品。在DRAM芯片领域成功的关键是尽可能快
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PC DRAM
据台湾媒体报道，被美国纽约州、伊利诺州和佛罗里达州检察长，相继提告操控价格的友达、奇美电，昨日表示，迄今未收到告诉状，无法评论。奇美电说，待收到诉状将进行研究，但对进入法律程序案件，循例不对外说明。
众达国际法律事务所资深顾问陈泰明11日表示，为今之计，被控公司首先要做好应诉准备;再针对诉状之主张与专业律师展开深入剖析。
陈泰明指出，自从美国总统奥巴马于就职演说中，宣示反垄断的决心，美国积极展开打击操控价格的企业行动。他说，上周末他就预言纽约州检察长将是第一把火，果然本周就有伊利诺州和佛罗
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友达 DRAM
iSuppli警告称，DRAM内存芯片供应紧张将导致今年下半年这类芯片价格上涨。
iSuppli指出，当前DRAM厂商面临两类供应问题：无法获得必要的生产设备，部署先进生产工艺的大量工作。
DRAM芯片供应紧张对全球计算机市场而言是个坏消息。尽管计算机销量急剧增长——第二季度同比增长22.4%，DRAM芯片厂商仍然在努力走出去年的危机。
去年，许多DRAM芯片厂商没有资金采购生产设备，今年它们向生产设备厂商订购了大量产品。在DRAM芯片领域成功的关键是尽可能快
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计算机 DRAM
市场研究业者iSuppli警告，由于动态随机存取内存(DRAM)芯片的制造产能有限，DRAM市场下半年可能供不应求。
分析师霍华德(Mike Howard)预期，今年DRAM芯片出货量可望成长49%，其中多数集中在下半年。他预测，今年第三、四季的DRAM芯片出货量将分别比前一季成长11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，届时供应DRAM芯片的产能恐难以负荷。
iSuppli指出，有两个问题可能影响下半年的DRAM供应量，甚至恐会造成供不应求。首先，由于全球最大半导体微影工具供货商艾斯摩尔
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ASML DRAM
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD)，较首季的93亿美元(9.29 Billion USD)，成长约15%。在 NAND Flash 部分，品牌厂商第二季整体营收为47亿7,600万美元，较首季43亿6,300万美元成长约9.5%。
三星第二季营收仍居全球DRAM厂之冠
从市场面观察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
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