瑞萨电子开发出了一种新型SRAM电路技术，可克服因微细化而增加的CMOS元件特性不均现象，还能在维持速度的同时，以更小的面积实现合适的工作裕度。以上内容是在半导体电路技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Circuits”上发布的(论文序号：10.2)。作为40nm工艺的产品，该公司试制出了bit密度达到业界最高水平的SRAM，并确认了其工作性能。主要用于实现40nm工艺以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞萨电子 SRAM CMOS
台塑集团旗下的DRAM厂商南科副总经理白培霖透露，预计第三季度试产手机内存芯片、第四季度可量产，将成为带动明年运营增长。
白培霖表示，手机内存芯片的市场变化较小，价格稳健，南科决定加入手机内存芯片生产行列。
他透露，预计今年第三季度开始试产低耗电的手机内存芯片，第四季度量产，目前已有多家手机客户参与设计验证。产品涵盖256MB、 512MB、1GB到2GB,未来也可延伸应用到数字电视等消费电子产品上面。
据悉，南科12寸厂最大月产能5万片除了生产标准型DRAM之外，会有部分产能生产手
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南科 DRAM 手机内存
逻辑和DRAM技术跨产业合作大戏正式登场，联电、尔必达(Elpida)携手开发TSV技术的签约仪式将于21日召开记者会对外宣布;值得注意的是，业界透露，双方技术合作仅是第1阶段，未来第2阶段考虑以交叉持股的方式，让双方的合作关系更为紧密，因此联电为引进策略联盟伙伴而办理的私募案，尔必达将是口袋人选之一。
联电、尔必达和力成将于今日针对TSV技术举行签约仪式，这是近年来逻辑和存储器技术领域罕见的跨产业大合作，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄过去是联日半导体(UMCj)的总经理，因此尔必达与联电双
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Elpida DRAM 逻辑
研究机构iSuppli表示，力晶2010年首季销售季成长81%，已跃居全球第5大DRAM供应厂。
全球DRAM产业首季营收比前1季成长8.8%，根据iSuppli的资料，前5大DRAM厂约占全球整体DRAM产业营收的91%，前2大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix Semiconductor)总共占了50%。
市占率方面，三星电子和排名第4的美光(Micro Technology)小幅提升，第2和第3名的海力士和尔必达(Elpida Memory)，则
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力晶 DRAM
摩尔定律的来历
工作在半导体行业的人，可说无人不知摩尔定律(Moore's Law)。笔者在手头一本词典中对摩尔定律的解释大致是：Inte1公司的创办人之一戈登.摩尔(G.Moore)在l965年所作的观察发现，说集成电路上的元器件数量将会以每18个月翻一番的速度稳定增长。并说这个预言因IC的发展而得到证明被誉为“IT业第一定律”，后来，这一定律还经常被用来形容其它高技术超常的发展速度。
集成电路是1958～l959年间发明的，到l965年身任仙童(Fairchil
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Fairchild 摩尔定律 DRAM 201006
全球领先的芯片制造协会SEMATECH和先进无线芯片供应商Qualcomm宣布Qualcomm已与SEMATECH签署了合作协议，共同推进CMOS技术进一步发展。Qualcomm是第一家进入SEMATECH的芯片设计公司，Qualcomm将深入参与和SEMATECH的研发项目，共同探索延续摩尔定律的新技术。
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Qualcomm CMOS 芯片设计
继三星电子(Samsung Electronics)宣布大手笔资本支出，台系DRAM厂亦不甘示弱，台塑集团旗下南亚科和尔必达(Elpida)集团旗下瑞晶都决定提前于6月导入 42及45纳米制程，较原订计画提前整整1季。南亚科发言人白培霖表示，40纳米世代技术对半导体业者是很大挑战，但对于美光(Micron)与南亚科而言，42纳米是50纳米制程延伸技术，只要跨过50纳米，快速衔接42纳米制程并不难。
面对三星来势汹汹，半导体事业资本支出高达80 亿~90亿美元，台系DRAM厂因应之道就是加速制程微
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三星电子 DRAM
三星电子日前宣布对半导体领产业进行11兆韩元的大规模投资，意图拉开与竞争者的距离。
据南韩MTNews报导，南韩的主要出口产品半导体和TFTLCD是大规模设备的事业，随着景气起伏反复呈现好、坏情况，甚至遇到景气较佳时期，各业者纷纷增加设备，反而导致供过于求，变质成各业者间进行降低业界整体利益的恶性竞争，并进而改变产业市场的游戏规则。三星电子 (SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、LGDisplay等近期接连调整设备投资金额，引发其它业者是否将导致恶性竞争的疑虑，南韩专家
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三星电子 DRAM LCD
本文的低压低功耗 CFOA,它在只需1V 电源电压情况下，仅产生0.7mW 功耗，84.2dB 的开环增益，62°的相位裕度，高达138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的输出电压范围
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CMOS 0.5 um 电流反馈
三星电子日前宣布对半导体领产业进行11兆韩元的大规模投资，意图拉开与竞争者的距离。
据南韩MT News报导，南韩的主要出口产品半导体和TFT LCD是大规模设备的事业，随着景气起伏反复呈现好、坏情况，甚至遇到景气较佳时期，各业者纷纷增加设备，反而导致供过于求，变质成各业者间进行降低业界整体利益的恶性竞争，并进而改变产业市场的游戏规则。三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、LG Display等近期接连调整设备投资金额，引发其它业者是否将导致恶性竞争的疑虑，南
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三星电子 TFT-LCD DRAM
用来计算TTL集电极开路输出电路静态功耗的公式如下：其中：VT=上拉电阻的有效端接电压
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CMOS TTL 集电极开路 功耗
至此，对于今年全球电子工业的看法是乐观的，而且是有相当大的增长。
但是作为一个编辑者仍有些担忧，以下是对于2010年有10个理由来看好或者是看衰半导体业。
1. IC热，然后冷
Gartner分析师Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半导体销售额达2900亿美元， 与2009年销售额2280亿美元相比增长27.1%。与Gartner之前在第一季度的预测，2010年增长19.9%相比有明显提高。
芯片销售额的增长明显超过系统产品销售额的增
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半导体 DRAM NAND
根据全球技术研究和咨询公司Gartner最新的展望报告，2010年全球半导体收入预计将达到2,900亿美元，与2009年2,280亿美元的收入相比，增长27.1%。
Gartner已经上调了于今年第一季度所做的全球半导体销售额将增长19.9%的预期。Gartner分析师表示，之所以上调预期，部分原因在于全球所有地区和多数半导体产品门类的广泛复苏。
Gartner研究副总裁Bryan Lewis表示：“过去5个季度的半导体环比增长非常强劲，远高于季节性因素，而且产能趋紧。半导体芯
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半导体 DRAM
继三星电子(Samsung Electronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂德的重庆渝德厂旁空地，其二是2008年尔必达与苏州创投原本要合建12寸晶圆厂和发用地，坂本幸雄所指合作的台系DRAM厂，茂德雀屏中选机率相当高。不过，茂德对此表示不方便评论。
DRAM产业好不容易走出崩盘的跌价阴霾，但各厂才开始赚钱，再度展现积极投入扩产的豪情壮
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Elpida DRAM 晶圆
引言
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CMOS 高线性度 调幅 电路技术
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