- 三星电子(Samsung Electronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。 Meritz Securities分析师Lee Sun-tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
Yonhap News于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在
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三星电子 DRAM NAND
- 摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工艺设计一种带滞回功能的高稳定性电压控制电路，利用迟滞比较器对旁路电压和基准电压进行比较并控制电容的充放电，提高了电压的稳定性。Cadence Spectre仿真结果表明，该电路产生的电压稳
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CMOS 音频功率放大器 旁路 电压控制
- 随着中国大陆LED市场迅速增长，台资企业正在加快抢滩登陆的步伐，以期尽早在大陆LED产业卡位布局。比如日前广东中山科技局的一位工作人员就告诉记者，现在可以明显感受到，外资尤其是台厂对中国大陆LED行业投资脚步的加快和投资力度的加大，早在2002年台湾最大的封装厂亿光就在中山小榄设厂，而近来台企投资脚步则更加频繁。
如果细分近期有意向至大陆设厂的台企，大体可分成三类：一是台湾大型LED企业，为扩大产能需要，在大陆投资设厂。比如日前市场传出台湾LED外延大厂晶电计划与封装厂光宝携手布局大陆LED市场
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LED DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)韩国器兴厂24日下午停电约1小时，虽然三星官方指出影响不大，但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张，甚至传出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影响，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存储器零组件都供货吃紧，三星跳电事件恐让存储器供应链出现供货排挤效应。
三星器兴厂发生停电意外，在启动不断电系统 (UPS)后，1小时内便恢复运作，估计此事件对公司营运影响不大。
存储器业者指出，这次三星受影响厂区
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三星电子 DRAM SDRAM 存储器
- 根据DRAMeXchange的预测，从今年到2012年，DRAM产业供给方面在产能扩充、资本支出、浸润式机台供给有限，以及40nm以下制程转进难度高影响下，位成长有限。而DRAM需求在全球景气复苏，带动消费者及企业换机潮，以及智能型手机带动行动内存需求大幅成长下则将动力强劲，预期未来三年DRAM产业有机会连续获利。
DRAMeXchange指出，DRAM产业过去十几年来，几乎每三年为一景气循环周期，以DRAM厂的营业获利率分析，2001至2003年DRAM产业连续三年亏损，2004至2006年转
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智能手机 DRAM 40nm
- 近期内存价格的持续上涨让DRAM芯片厂商尝到了甜头，不过在包括三星、美光、力晶等在内的DRAM厂商看来，好光景来之不易，不应该一味扩大产能恶性竞争而重新导致DRAM内存暴跌。
韩国三星半导体业务总裁权五铉日前表示，DRAM制造商不应该盲目扩大产能，而应当把大规模投资放在提升技术水平上。美国美光官方近日也表示，今年无意扩大DRAM产能，而是将全力投入制造工艺升级，进一步增强其在DRAM市场的竞争力。台湾力晶半导体董事长黄崇仁同样认为，厂商们在对待产能的问题上应当更加谨慎，避免重蹈当年的覆辙。
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三星 DRAM
- Altera公司和Apical有限公司今天宣布，为视频监控摄像机提供世界上第一个高清晰宽动态范围(WDR) CMOS图像传感器处理解决方案。在内华达洲拉斯维加斯3月24号到26号举行的国际安防大会(ISC)西部博览会上，Altera展示了这一解决方案。Altera和Apical全面的解决方案保证了各种照明条件下优异的视频图像质量，而这是前几代监控摄像机面临的主要瓶颈问题。结合Altera的 Cyclone® III和Cyclone IV FPGA以及Apical的知识产权(IP)，这一解决方案
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Altera FPGA 视频监控 CMOS
- 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充产品阵容，推出5款新的互补金属氧化物半导体(CMOS)线性稳压器系列。优化的NCP69x系列用于低功耗的便携电池供电及“持续开机”(always-on)应用，如线缆调制解调器、卫星接收机、数字机顶盒及电表。
NCP690、NCP691和NCP692是极低压降(VLDO) 1 A稳压器件，提供5.0 V到低至1.25 V的可调节输出电压，或固定输出电压版本。这些器件提供62 dB的电源抑制比(PSSR)、典型
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安森美 CMOS 稳压器
- 据外电报道，美国国际贸易委员会(USITC)将对DRAM半导体、产品、记忆模块展开调查，因德商英飞凌于今年2月19 日提出专利侵权指控。
英飞凌方面称，尔必达制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面4项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。通过诉讼以寻求USITC下达禁令，禁止尔必达或以尔必达的名义，向美国进口侵犯英飞凌专利的DRAM半导体产品。
被调查的企业名单
USITC表示，将依据1930年美国关税法第337条，对下列厂商展开调查，包括日商尔必
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英飞凌 DRAM
- 由于ODM/OEM厂对第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺货问题持续延烧，除了绘图芯片及整流二极管持续供货短缺外，电源管理IC、NOR闪存、LCD驱动IC、功率放大器(PA)等产品线均出现供给缺口。随着芯片供货商3月起陆续涨价5%至10%,但电子终端产品价格并未跟进调涨，显示今年电子生产链上肥下瘦已成定局。
根据通路业者指出，今年中国农历年期间因终端市场需求强劲，大幅去化芯片库存，去年底就缺货的绘图芯片、整流二极管、金氧半场效晶体管(MOSFET)等，现在仍有10%左右的供给缺口，另包括电源
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电源管理 NOR闪存 DRAM
- 日前，水清木华发布了2009-2010年全球CMOS相机模组行业研究报告。从报告中我们不难看出，CMOS相机模组行业仍是日本企业的天下。排名第一的FUJINON是富士胶卷旗下一员，在300万像素以上手机镜头领域市场占有率超过50%。
手机相机模组的产业链异常复杂。手机相机模组产业链上三个核心点，一是CMOS图像传感器，二是光学镜头，三是模组组装厂家。随着手机相机像素的上升，封装厂家也显得日益重要，而模组组装厂家日益落寞。CMOS图像传感器厂家可以结合光学元件，并经过特殊封装后直接出货给手机制造厂
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传感器 CMOS 图像传感器 封装 晶圆 相机模组
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日来台参加全球半导体联盟(GSA)论坛，吸引DRAM业者纷前来聆听龙头厂对景气风向球。权五铉表示，2010年下半DRAM价格可以维持稳定，未来DRAM业者不应一昧地追求价格和成本，而是要节制疯狂扩充产能;力晶董事长黄崇仁在现场亦举手建言，呼吁大家不要再乱投资扩产，要追求合理价格更胜于超额利润;此番台、韩存储器厂高层过招，成为整个论坛最大高潮。
权五铉16日在GSA论坛发表有关半导体市场及
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Samsung DRAM DDR3
- 美银美林证券台湾投资论坛迈入第2天，会场聚焦DRAM、手机和LED产业，业者纷纷释出乐观看法，包括DRAM未来2、3年产业展望都乐观，LED背光液晶电视年底渗透率上看35%.
美银美林证券台湾投资论坛迈入第2天，今天会议部份正式展开，并邀请到意法半导体(STMicroelectronics)与恒忆公司(Numonyx)顾问暨前任资深主管Rolf Seibl演讲，畅谈中国大陆山寨手机市场。他指出，中国手机市场有8成是山寨手机，所以联发科市场广大。
今天受邀出席论坛演讲的华亚科总经理高启全指出
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Numonyx DRAM LED 手机
- GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab 1正在启动22nm CMOS工艺的开发，并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。
此前，Fab 1被认为将作为45/40nm和32/28nm的主要生产工厂，而正在美国纽约州兴建的Fab 8才作为22nm及以下工艺的生产地。
“22nm制程已在Fab 1开动，Fab 1将试产22nm，并投入部分量产。”Fab 1总经理Ud
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GlobalFoundries 22nm CMOS
- 市场调研公司IC Insight调整2010年全球半导体销售额的预测, 估计增长27%,达2530亿美元。
并同时预测2011年半导体销售额再增长15%,达2900亿美元。
按IC Insight的最新说法表明比之前较好的2007年的2340亿美元还好, 达到近期单年的最高增长值。
按SIA的数据IC Insight曾在今年1月时预测2009年全球半导体下降9%,及2010年增长15%的预测, 此次又作了新的调整。
推动今年半导体增长的主要动力来自全球DRAM产业, 由于其
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半导体 DRAM 存储器
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