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cmos.dram 文章 进入cmos.dram技术社区

DDR2乏人问津 DRAM厂抢转产能

  •   DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异,DDR2合约价大跌,DDR3却大涨,凸显世代交替已提前来临,将加速DDR2需求急速降温,快速转移到DDR3身上,近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3,尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶,预计第1季底DDR3比重将达70%,速度超乎预期。不过,亦有业者认为,若大家都抢著把DDR2产能转走,说不定会意外让DDR2跌势止稳,反而有利于DDR2价格走势。   台 DRAM厂表示,原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会,因为DDR2若
  • 关键字: DRAM  DDR2  DDR3  存储器  

金士顿砸1亿美元 绑桩海力士产能

  •   2010年存储器产业热度急速升温,许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂,纷积极募资抢钱,而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱,未来再以货源抵债,近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援,未来将以DRAM和NAND Flash货源偿还,形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NAND Flash制程大量转进32奈米,全力从美光(Micron)手上抢回全球NAND Flash三哥宝座,并防止三星电子(Samsung Electronics)和东芝(
  • 关键字: 存储器  DRAM  NAND   

海力士股东灵活掌握售股规模 欲在第二季选出买家

  •   韩国海力士半导体的债转股股东,将对出售的股份规模持灵活态度,这部分股票市值最高达35亿美元。这些股东计划在今年上半年挑选出一买家。   这些股东包括韩国外换银行和国有的韩国金融公司(Korea Finance Corp),共同持有海力士半导体28%的股权,将在1月29日前收到初步购买要约。海力士半导体是全球第二大存储芯片制造商。   韩国金融公司首席执行官Ryu Jae-han称,“谈到股票规模,可能仅会出售15%,不过这取决于股东委员会的决议。”该公司是去年末从韩国产业银
  • 关键字: 海力士  DRAM  

硅晶圆需求旺 1Q报价将调涨5~10%

  •   晶圆代工12寸高阶产能吃紧,加上8寸晶圆厂营运也维持高档,已传出上游硅晶圆厂交货不及,产能无法应付晶圆代工业者所需,确定2010年第 1季硅晶圆报价将调涨5~10%;加上目前晶圆代工第2季订单恐不俗,DRAM存储器晶圆厂也都陆续恢复产能,第2季可能再接力调涨约10%。   继大陆太阳能电池生产用硅晶圆传出调涨之后,晶圆代工厂用硅晶圆也确定涨价,目前2010年第1季涨价幅度介于5~10%之间。由于晶圆代工厂包括台积电在内高阶制程产能满载,更有吃紧之虞,包括硅晶圆大厂Shin-Etsu与代理商崇越、Su
  • 关键字: DRAM  晶圆代工  

监控用CMOS与CCD图像传感器对比

  • CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
  • 关键字: 传感器  对比  图像  CCD  CMOS  监控  

DDR3将成为2010年主流 厂商以先进制程跟进

  •   DRAM业在走出低谷后,2010年前景看好,DRAM厂商积极扩产应对。其中台塑集团的南科、华亚科最为积极,华亚科全年资本支出更比2009年呈倍数成长。   南科、华亚科已迈入50纳米制程技术阶段,南科暂定2010年资本支出约为5.9亿美元,比2009年增长逾45%。南科预计,在第二季度时,旗下月产能3万片的12英寸厂将全部以50纳米制程投片,第三季度所有产品都采用50纳米制程投片。   看好DDR3将成为2010年主流,南科计划逐步提升DDR3产品的比重,目标由2009年第四季度的30%-40%提
  • 关键字: Elpida  50纳米  DRAM  晶圆  

重塑产业前景 迎接2010年IC业的大发展

  •   编者点评(莫大康 SEMI China顾问):国际上有许多市场分析公司与机构,如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。为什么它们的预测值不同,有时差异还不小。据编者的看法任何预测都有三类,即乐观、中等和悲观。另外,由于每个市场分析公司其数据来源及分析的范围各不同,所以数据不一样是正常的。那该如何来观察与判断呢?通常要找品牌,即有些公司的数据相对可靠(经验值),如半导体数据是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而设备材
  • 关键字: IC  NAND  DRAM  

监控用CMOS与CCD图像传感器技术对比

  • CCD(ChargeCoupledDevice)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOSImageSensor以下简称CIS)的主要...
  • 关键字: CMOS  图像传感器  CCD  图像传感器  CIS  

尔必达40纳米制程正式对战美光

  •   一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida),随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程,尔必达状况更显得困窘,在经过近1年卧薪尝胆后,尔必达2010年开春终于宣布,40纳米6F2制程技术已于广岛厂顺利完成试产,良率水平优于预期,确定2010年可一举进入40纳米世代,子公司瑞晶更宣示只要花新台币120亿元,就可将旗下8万片12寸晶圆厂全数转到40纳米制程,与美光及南亚科、华亚科阵营对战烟硝味浓厚。   DRAM产业在50纳米制程是重要分水岭,除技术难度外,1台动辄逾新台币
  • 关键字: Elpida  DRAM  50纳米  

威盛发布首款USB3.0集群控制器

  •   威盛电子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器,这是USB3.0技术时代业内首款支持更高传输速度的整合单芯片解决方案。   USB3.0(即超速USB)的最大数据传输速度可达5Gbps,是现有USB2.0设备传输速度的10倍;此外,该技术还能提高外部设备与主机控制器之间的互动功能,包括能耗管理上的重要改进。   VIA VL810由威盛集团全资子公司VIA Labs研发,它实现在一个USB接口上连接多个设备从而扩展了计算机的USB性能。一个输出接口及四个输入接口不仅支持高
  • 关键字: 威盛  USB3.0  CMOS  

韩结束3年反垄断调查 未发现芯片厂操纵价格

  •   韩国公平交易委员会(FTC)周三宣布,并未发现NAND快闪记忆芯片制造商在韩国或其它地区有操纵市场价格的行为,也宣告终止近3年来对该产业的反垄断调查。   反垄断监管单位声明,针对计算机记忆芯片产业 (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相关的价格操纵调查已经全部结束。   2007年1月,FTC宣布将针对NAND快闪记忆芯片制造商进行反垄断调查,侦查是否有操纵价格的事实,之后已针对全球4家企业进行调查,其中2家位于韩国,另外2家分别在美国和日本,但FTC并未公布详细的企业名单。   韩国快闪记
  • 关键字: Hynix  DRAM  DRAM  

美光争取华亚科主导权 台塑拒绝成瑞晶翻版

  •   华亚科办理6.4亿股的现金增资,南亚科和美光(Micron)等大股东按原持股比例认购现增额度,但近期传出美光向台塑集团摊牌,希望能增加认购比例,争取华亚科更多股权,惟台塑集团回决此提议,认为目前「等权共治」策略较佳。内存业者表示,在瑞晶股权落入尔必达(Elpida)手中后,华亚科主导权亦成为台、美双方角力战场,背后意义在于DRAM产能分配和潜在市占率。不过,针对美光要求提高华亚科持股一事,华亚科与南亚科均不予置评。   2009年台DRAM产业整合计划白忙1年,而茂德与海力士(Hynix)分手,亦使
  • 关键字: 华亚科  DRAM  DDR3  

2010年全球DRAM市场展望

  •   全球DRAM厂商自2006年纷纷投入“扩厂竞赛”以来,DRAM市场严重供过于求的阴霾就挥之不去,在这样心理预期下,DRAM价格持续性下跌也就显得理所当然。   所幸,金融海啸的发生,迫使除三星电子(Samsung Electronics)外的全球DRAM厂商都必须削减资本支出,停止原先扩厂计划,单就台湾各家DRAM业者为例,2008年第4季以来就有5座12吋厂、合计31万片12吋晶圆月产能的建厂计划遭到冻结或延后,茂德更为确保现金,暂时退出标准型DRAM生产行列,转而投入晶圆
  • 关键字: Samsung  DRAM  

台12寸DRAM厂废墟变黄金 美日都觊觎

  •   台湾DRAM产业成也12吋晶圆厂、败也12吋晶圆厂!在金融风暴期间,台湾DRAM产业身背2,000亿元的负债,每天摇旗吶喊希望政府金援,否则整个产业面临垮台的命运,根本原因就是过去几年间,业者太容易拿到资本市场的资金,因此盲目盖了太多的12吋厂,随着微软(Microsoft)的Vista换机潮成梦一场,DRAM供需失衡的问题浮出,全球金融风暴成为压垮骆驼的最后1根稻草,DRAM产业从此陷入恶梦。   熬过2009年,第1个出局的,反而不是始终为人诟病没有技术扎根的台湾DRAM厂,而是奇梦达(Qimo
  • 关键字: 奇梦达  DRAM  晶圆  

2010年内存市场预测:价格走高 产能不足

  •   随着2010年寒假及春节的临近,电子卖场即将迎来新一轮的销售高潮。记者在走访中关村电子卖场时了解到,步入2010年,多数型号内存价格已有小幅上涨,或已计划涨价。销售人员向记者介绍道,从2009年中旬至今,内存价格一路上扬,其主要原因在于金融危机对中国市场的影响逐渐消逝,而各厂家的出货量没有迅速提高,导致部分厂家、型号的内存出现短时间缺货。   据商家预计,2010年内存价格仍会缓慢上涨,寒假销售情况被普遍看好。   据国外专业分析机构DRAMeXchange报道,受2010年PC销量看涨以及OEM
  • 关键字: 奇梦达  DRAM  DDR3  内存  
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