2月9日消息，据台湾经济日报报道，在DRAM芯片行业多数企业普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM芯片厂海力士却发出警告，认为今年DRAM芯片恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。
全球DRAM芯片龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警告，看法与三星大为迥异。海力士发警告，将牵动南科、华亚科、力晶以及创见、威刚等台湾内存企业发展计划。
外电报道，海力士执行长金钟甲在接受媒体採访时透露，由于各大晶片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM芯片会供给过剩
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海力士 DRAM
据报道，韩国检方近日逮捕了两名美国半导体设备供应商应用材料Applied Materials高管，罪名则是这两名高管偷取三星DRAM、NAND芯片处理技术等机密并出售给了竞争对手海力士。
美国证券交易委员会的报告显示，Applied已经确认此事，并透露说其中一人是前应用材料韩国(AMK)高管、现任应用材料副总裁，另一名则是应用材料韩国子工厂的高管。
应用材料在一封电子邮件中表示，由于韩国检方目前还未公布两人的姓名，他们也不方便透露两者的信息。作为应用材料的一大客户，三星的利益显然受到了伤害
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应用材料 DRAM NAND
报道，威刚主席Simon Chen今天表示，随着DRAM制造商把重点放在DDR3芯片生产上，DDR2芯片的出货量将开始减少，其价格有望在今年下半年超过DDR3。
Simon Chen认为，DDR2在低端PC市场还是比较受欢迎。如果1Gb DDR2的价格低于2美元，那么它需求将会出现大幅度增长。
Simon Chen还表示，上游芯片供应商纷纷通过工艺升级的方式来加大DDR3芯片的产量，不过这种升级或许会因为其它设备的供应短缺而延缓。
根据DRAMeXchange的监测，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
三星电子(Samsung Electronics)再度出手，继2009年下半首度大幅扩充产能外，2010年将首度启动扩充产能机制，预计将再新增1座8寸晶圆厂，全数用于投产CMOS影像传感器。
据了解，三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸厂用于投产CMOS影像传感器，2座8寸晶圆厂月产能共4万~4.5万片，12寸厂月产能2万~2.5 万片，2009年下半为满足客户庞大需求，已先行在2座8寸晶圆厂内每月再新增1.2万~2万片产能，不过即便如此，似乎仍无法满足客户需求。
据了解，新的8寸晶
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Samsung CMOS 晶圆
汤森路透知识产权解决方案事业部今日发布了《2009年顶级专利权人》(2009 Top Patentees) 的分析结果，对过去一年在美国获得专利最多的前25家公司进行排名。这项研究发现，在这25家顶级公司中，无一家中国大陆企业上榜。老牌科技厂商美国IBM公司以4843项专利位列第一， 韩国三星电子和美国微软公司分别位列第二和第三，这份25大专利权名单还包括11家日本公司，中国台湾、芬兰和德国各一家公司。
2009年美国专利权人 TOP25
亚洲公司目前已经占据了专利权名单的56%，而日
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三星电子 芯片 LCD DRAM
随着笔记本电脑、手机、PDA 等移动设备的普及,对应各种电池电源使用的集成电路的开发越来越活跃,高性能、低成本、超小型封装产品正在加速形成商品化。LDO(低压差)型线性稳压器由于具有结构简单、成本低廉、低噪声、
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设计 稳压器 线性 CMOS 超低
三星电子宣布，全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm 之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。
三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标 准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30%的功耗，因此又称为绿色内存(Gree
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三星电子 DRAM 30nm DDR3
导读：《朝鲜日报》今日撰文称，三星电子虽然跻身世界最大的电子企业行列，但公司销售业绩在很大程度上依赖于芯片产品，而芯片的营业利润容易根据市场环境起伏不定，这也被认为是三星的“致命弱点”。如果现在放松警惕，今后可能会面临更大的危机。
以下为全文：
三星电子在韩国企业史上第一个实现“销售额100万亿韩元、营业利润10万亿韩元”的业绩，成为世界最大的电子企业。但英国《金融时报》29日报道称：“从长远来看，三星电子的创新性不足将损害收益。
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三星电子 芯片 LCD DRAM
近期DRAM厂掀起一股40纳米热潮，这一切都要从尔必达(Elpida)说起。因为尔必达2009年没钱转进50纳米技术制程后，最后决定跳过50纳米，直接转进45纳米，这下刺激了美光(Micron)阵营，南亚科和华亚科近期宣布42纳米制程提前1季导入，让整个DRAM产业在50纳米都还没看到影子时，又冒出一堆40纳米的话题，但40纳米能为DRAM产业贡献多少? 真的有待商榷，只有三星电子(Samsung Electronics)在克服良率困难后，有机会大量生产，其它阵营的40纳米技术，都是口头说说成分居多。
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DRAM 40纳米
LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微处理器内核和高速嵌入式 DRAM 内存模块，进一步丰富了其业界领先的定制芯片 IP 产品系列。该新型处理器内核和内存模块旨在加速用于诸如企业级交换机、路由器、RAID 存储器、服务器以及基站等高性能应用中的高级网络和存储SoC 的开发。
定制多核集成电路 (IC) 使 OEM 厂商能够针对计算密集型应用开发出高度差异化的高性能解决方案。LSI 推出的这款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工艺制造而成，能
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LSI DRAM 内存模块 PowerPC476
在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。
但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3来临
第三季度，下一代DRAM技术——DDR3看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli公司预测，DDR3出货量将在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
据国外媒体报道，日本芯片生产商尔必达记忆体(Elpida)公司今日表示，预计2010年动态随机存取记忆体(DRAM)将出现供应短缺。
尔必达社长本幸雄在新闻发布会上接受采访时表示，DRAM的价格可能将在截至2011年3月的会计年度企稳。
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Elpida DRAM
2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈现下滑，但整体行情不看淡;模块厂认为，DDR3目前仍是缺货，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利润较高，另一方面DDR3短期会被DDR2价格带下来，但整体第1季DDR3供货仍相对吃紧。
存储器模块厂2009年交出丰厚的成绩单，创见、威刚都赚足1个股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
近期晶圆代工、DRAM等科技大厂扩产计划不断，不少业者的机台进厂时间落在下半年，从目前的设备交期6~9个月来推算，部分机台交货时间恐怕落到2011年。
在2010年科技业大扩产风潮下，市场纷纷看好设备业业绩可望较2009年成长4~5成，不过近期在关键设备交期拉长到6~9个月的隐忧下，设备业者已开始担忧，交期拉长恐怕使部分原本可在2010年交货的机台，延后到2011年，使全年业绩成长幅度受到压抑。
设备短缺现象自2009年第4季就已出现，尤其是关键机台包括LED的金属有机物化学气相沉积(MO
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MOCVD，晶圆代工 DRAM
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