- Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh )，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，今天宣布针对中国市场发布全新的低成本、高速 CMOS 运算放大器 ADA489系列。与其它供应商提供的产品相比，ADA4891系列能够帮助设计师以更低的成本和更低的功耗实现同样的高速性能。与此同时，ADI 在高速运算放大器产品领域的行业绝对领导地位以及对于中国市场的长期承诺和投入，也确保了中国客户能够得到业界最好的质量保证和技术支持。针对中国市场的需求，ADI 还将弥
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ADI CMOS 运算放大器 ADA489
- 据台湾媒体报道，威刚科技董事长陈立白(Simon Chen)今日表示，从第二季度开始，动态随机存储器(DRAM)市场可能会面临供应短缺问题，到今年下半年，供需缺口可能会达到10%。
据报道，很多DRAM生产商已将部分DDR-2芯片产能转为生产DDR-3，这推动DDR-2芯片价格在传统淡季第一季度出现上涨。
报道称，自春节假期结束以来，DDR2现货价格已上涨6.8%。
威刚科技主要生产USB闪盘驱动器。
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威刚 DRAM DDR2
- 据台湾经济日报报道，内存(DRAM)补货潮号角响起，DDR2现货价打破传统淡季束缚率先表态，农历年后上涨近7%，创近一个多月新高。相关大厂如力晶、茂德、威刚等可望受惠，但科技大厂可能得要担心，资讯产品供应链下半年会出现缺货潮。
威刚董事长陈立白指出，电子大厂都在谈缺工，其实缺工问题不大，缺货才是下半年大难题。主要是笔记型与桌上型电脑等产品会面临这个问题。
根据集邦科技(DRAMeXchange)26日的报价，1Gb DDR2有效测试颗粒(eTT)上涨逾2%，均价2.35美元，创近一个多月新
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茂德 DDR2 DRAM
- 在2010年2月10日召开的国际固态电子电路大会上，IMEC、株式会社瑞萨科技(以下简称瑞萨)、M4S联手推出了利用40nm低功耗CMOS工艺制造而成、带有RF、基带和数据转换器电路的完整收发器。这款完全可重配置的收发器符合各种无线标准和应用要求，并且符合即将推出的移动宽带3GPP-LTE标准。
可随时随地为用户提供大量服务的无线通信终端发展趋势，推动了利用深亚微米CMOS工艺制造而成的可重配置无线电的发展。就3GPP-LTE标准自身非常灵活的特性而言，可重配置无线电就成为其最经济的实现方式。并
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瑞萨 40nm CMOS 无线收发器
- 市场研究公司IC Insights预计，今年半导体产业资本支出中的2/3将由支出前十位的公司包揽，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的厂商的投资总额预计增长67%，而产业整体支出增长额预计为51%。
“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出额将增长91%。”IC Insights总裁Bill McClean指出。然而，尽管许多公司计划在今年将产能翻倍，但仍然无法阻止IC价格的上涨和供应短缺的局面发生，尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 存储
- 市场研究公司IC Insights预计，今年半导体产业资本支出中的2/3将由支出前十位的公司包揽，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的厂商的投资总额预计增长67%，而产业整体支出增长额预计为51%。
“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出额将增长91%。”IC Insights总裁Bill McClean指出。然而，尽管许多公司计划在今年将产能翻倍，但仍然无法阻止IC价格的上涨和供应短缺的局面发生，尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 芯片 半导体
- 市场研究公司Gartner预计，2010年全球半导体营收将增长20%，达到2760亿美元。
2009年，全球半导体营收下滑了10%。但Gartner周三指出，今年全球半导体销售额有望达到2760亿美元，与去年的2310亿美元相比将增长19.5%。
Gartner表示，处理器和内存是推动2010年半导体营收增长的主要动力。其中，DRAM芯片涨幅将达到55%。
Gartner预计，至少在2014年之前，半导体市场将持续增长。到2012年，全球半导体市场规模将达到3040亿美元。
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半导体 处理器 DRAM 内存
- 2月24日消息，市场研究公司iSuppli预计，今年全球DRAM内存芯片市场增幅将超过40%，也是3年来的首次增长。
据国外媒体报道称，iSuppli表示，今年全球DRAM内存芯片销售额将增长至319亿美元，2009年、2008年和2007年DRAM内存芯片销售额分别下滑了3.7%、25.1%和7.5%。
iSuppli分析师迈克·霍华德当地时间上周四说，“今年DRAM内存市场将继续去年第四季度的增长趋势，增长40%。”
推动去年第四季度DRAM
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DRAM 内存芯片
- 爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大，可大大简化晶体管的制造工艺复杂 程度。这种晶体管采用类似Finfet的结构，将晶体管的栅极制成婚戒型的结构，并在栅极中心制出硅质沟道，沟道的尺寸仅有数十个原子的直径加起来那么大。
该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导的，这种晶体管的亚阀值斜率接近理想状态，而且还具备漏电电流小，门限电压低以及耐温性好的优点，而且还可以兼容于CMOS工艺。
硅沟道中的电
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晶体管 CMOS
- 英飞凌科技股份公司今日宣布，该公司及其子公司英飞凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书，称尔必达(Elpida Memory Inc.)制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面四项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。
英飞凌公司管理委员会成员兼销售、营销、技术与研发负责人Hermann Eul博士指出：“英飞凌在业界一直处于先进半导体制程的领先地位。我们将尽力保护我们通过持续研发所获得的知识产权。&rdqu
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英飞凌 DRAM
- 作为中国大陆第一大CMOS图像传感器设计公司的格科微电子于日前宣布该公司在其晶圆伙伴中芯国际集成电路制造有限公司量产的CMOS图像传感器8吋晶圆产品出货达到10万片的新里程碑。
牋牋作为大陆地区首家涉足CMOS图像传感器领域并取得成功的专业CMOS图像传感器设计公司，格科微拥有创新的CMOS图像传感器核心技术。格科微的CMOS图像传感器产品具有尺寸小，功耗低，成本低，产品图像品质好等特点。除此之外具有色彩校正，噪音消除，图像大小调整等功能。其晶圆伙伴中芯国际生产格科微图像传感器产品采用的0.15
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格科微 CMOS 图像传感器
- 据市场研究公司iSuppli称，经过连续三年的下降之后，DRAM内存市场2010年的销售收入将达到319亿美元，增长40%。
iSuppli负责DRAM内存业务的高级分析师Mike Howard在声明中说，2010年将在2009年第四季度增长的基础上继续增长。2009年第四季度整个DRAM内存行业的销售收入环比增长了40%。 Howard指出出货量的增长和平均销售价格的提高是这种增长的主要原因。
2009年第四季度是DRAM内存行业在最近的记忆中表现最好的一个季度。据iSuppli称，20
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Elpida DRAM 内存
- DRAM厂普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM厂海力士(Hynix)却发出警语，认为今年DRAM恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。
全球DRAM龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警语，看法与三星大为迥异。
外电报导，海力士执行长金钟甲(Kim Jong-kap)在接受媒体采访时透露，由于各大芯片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM会供给过剩;不过，他认为储存型闪存(NAND Flash)需求仍会不错。
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Hynix DRAM
- 美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40纳米DRAM制程大战，今(9)日将携手宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世，同时也全面导入铜制程技术，与三星电子(Samsung Electronics)的46纳米、海力士(Hynix)44纳米和尔必达(Elpida)45纳米相比，美光阵营的每片DDR3晶圆尺寸由于体积最小且产出数量最多，预计在2010年第2季试产，而策略伙伴南亚科和华亚科也将于下半年导入42纳米制程，与尔必达旗下力晶和瑞晶导入45纳米的时间点相仿。
2010 年DRAM市场50
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Micron 40纳米 DRAM
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