- 2010年DRAM货源持续短缺，由于Windows 7换机潮驱动下，PC大厂DRAM采购规模持续扩大，排挤到存储器模块厂的货源，为进一步确保与DRAM厂间的合作关系，且彼此拉进距离，日前创见董事会同意贷款给力晶新台币15亿元，同时以瑞晶股票作担保品，并依债权的100%设定质权予创见。
过去DRAM价格崩盘之时，也常出现存储器模块厂金援上游厂的例子，彼此互相协助来共度难关，以往模块厂常以预付货款的方式，协助DRAM厂买原物料生产，再以专款专用方式来确保产能回销给模块厂。
创见指出，这次贷款给
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力晶 存储器 DRAM
- 尽管尔必达(Elpida)与力晶之间买回瑞晶股权争议还未达成协议，但在DRAM产能分配上已先获得共识，力晶已超过1年未向瑞晶拿货，近期与尔必达协商成功，4月起重获瑞晶产能分配权，未来每月将多出2.4万片产能挹注，尔必达则要求力晶12寸厂代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配货权，多数要再回销给尔必达来供应PC客户，未来该阵营释放至现货市场DRAM货源，恐将进一步短缺。
尔必达与力晶分别对瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圆厂产能8万片，2大股东可按照持股比例，获得同等的瑞晶产能分配，
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Elpida DRAM
- 摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能
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3GHz CMOS 低噪声放大器 优化设计
- 这个电路是使用，CMOS集成电路CD4013双D正反器，分别接成一个单稳态电路和一个双稳态电路。单稳态电路的作用是对触摸信号进行脉波宽度整形，保证每次触摸动作都可靠。双稳态电路用来驱动晶体管Q1的开通或关闭，进而控
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开关 触摸 CD4013 集成 CMOS
- 据台湾《经济日报》周四援引力晶半导体股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., )董事长黄崇仁(Frank Huang)的话称，由于供应吃紧，DRAM芯片价格将继续持稳，至少在2010年年内是如此。
报导援引黄崇仁的话称，力晶半导体第一季度净利润将较前一季度有所增长，2009年第四季度公司实现净利润新台币16亿元左右。
以收入计，力晶半导体是台湾最大的DRAM芯片生产商。
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力晶 DRAM
- 摘要：分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路，采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明：在5．6GHz工作频率，电压增益约为18．5dB；噪声系数为1．78dB；增益1dB压缩点为-21．72dBm；输入参考三阶交
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CMOS 5.6 GHz 低噪声
- 日本存储器大厂尔必达(Elpida)将向存储器模块大厂金士顿(Kingston)发行新股与可转换公司债，筹资187亿日圆(约1.98亿美元)，以作为2010年度中扩充广岛厂半导体尖端设备之用。而金士顿亦将因此握有尔必达4.79%的持股，成为尔必达的第6大股东。
此次，尔必达向金士顿发行的新股为647万股，每股发行价格为1,805日圆，总额约117亿日圆;另发行可转换公司债约70亿日圆。
金士顿为尔必达的主要客户之1，金士顿希望透过注资尔必达，稳定DRAM模块货源。而尔必达则为将广岛厂产线由
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Elpida 存储器 DRAM
- 据国外媒体报道，美国旧金山联邦法院的文件显示，日立、东芝和三菱同意支付2780万美元和解芯片价格操纵指控。
该案原告为DRAM芯片的直接采购方，他们指控上述三家公司在1999年至2002年间向美国用户收取了超额费用。根据原告方律师周四提交的文件，日立将支付1150万美元，东芝将支付920万美元，三菱则支付710万美元。
但根据和解协议，上述三家公司均未承认不当行为。三家公司的律师和发言人也均未对此置评。
DRAM是一种被用于电脑、手机和其他电子设备的芯片。美国司法部曾于2002年对多
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东芝 DRAM
- 概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检
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设计 应用 检测 射线 探测器 CMOS
- 引言 近年语音集成电路获得迅速发展，其应范围越越广，自动售货机、ATM柜员机，部直通电话机以及玩具等方面应量语音合成芯片。该芯片部采脉宽调制，数字信号确还原成模拟信号，从而使得电路输出端不需接D/A转换；
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ASIC 设计 合成 语音 晶片 CMOS 基于
- 据国外媒体报道，美国旧金山联邦法院的文件显示，日立、东芝和三菱同意支付2780万美元和解芯片价格操纵指控。
该案原告为DRAM芯片的直接采购方，他们指控上述三家公司在1999年至2002年间向美国用户收取了超额费用。根据原告方律师周四提交的文件，日立将支付1150万美元，东芝将支付920万美元，三菱则支付710万美元。
但根据和解协议，上述三家公司均未承认不当行为。三家公司的律师和发言人也均未对此置评。
DRAM是一种被用于电脑、手机和其他电子设备的芯片。美国司法部曾于2002年对多
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东芝 DRAM
- DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计,本文设计了一种应用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CM0S压控环形振荡器。电路采用四级延迟单元能方便的获得正交输出时钟，每级采用RS触发结构来产生差分输出信号，在有效降低静态功耗的同时．具有较好的抗噪声能力。在延迟单元的设计时。综合考虑了电压控制的频率范围以及调节线性度，选择了合适的翻转点。 仿真结果表明．电路叮实现2MHz至90MHz的频率调节范围，在中心频率附近具有很高的调节线性度，可完全满足DSP芯片时钟系统的要求。
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振荡器 设计 环形 CMOS 内嵌 PLL DSP
- 受全球存储芯片供应短缺利好影响，三星电子存储芯片业务增长明显，预计其2010年上半年营业利润有望超过4万亿韩元，约合35亿美元。
三星公司消息人士称，三星电子自身预估2010年全年的芯片业务营业利润将最多可增至4.4万亿韩元，但韩国媒体报道称，三星电子发言人拒绝就此事宜发表言论。
据悉，三星电子是目前全球最大的存储芯片生产商，其09年在全球DRAM市场的份额从08年的29%增加至36%，而NAND闪存芯片市场份额则一直保持在40%左右。
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三星电子 存储芯片 DRAM
- 三星电子(SamsungElectronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。MeritzSecurities分析师LeeSun- tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
YonhapNews于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在当地时间
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三星电子 DRAM NAND
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