- 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。
NAND Flash产业2009年率先落底反弹，但2010年表现空间不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，适用于汽车栅极驱动应用，包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。
AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高侧驱动器的开关传输时间非常短，可以在更高的频率下驱动MOSFET或IGBT，由此可通过使用更小的滤波元件缩小系统尺寸。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽车用I
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IR CMOS IC
- 本文基于对称OTA结构，设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA，即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声，而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz～10 MHz频率范围内，其增益高达60 dB，PSRR为65 dB，而CMRR则高达70 dB，系统达到了较高的性能。
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CMOS LED 驱动器 改进型
- 欧洲半导体研究所IMEC已任命前TSMC欧洲总裁Kees den Otter为其副总裁, 掌管其IC市场发展。
可能原因是出自研究所要更多的为工业化服务, 并创造应有的价值。显然近年来其pilot生产线中EUV光刻研发的 费用高耸,也难以为继。
近几年来IMEC与TSMC的关系靠近, 之前它的进步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。随着NXP趋向fab lite及TSMC反而增强它在全球的超级能力,IMEC与TSMC在各个方面加强合作。
IMEC作
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IMEC 光刻 CMOS
- DRAM价格走扬，带动全球第一季DRAM产值持续攀高至92.77亿美元，较去年第4季再成长6.9%;其中，南韩三星市占率达32.3%，稳居全球DRAM龙头宝座。
集邦科技表示，尽管第一季为DRAM产业传统淡季，不过，在电脑系统厂商担心下半年恐将缺货、积极储备安全库存下，带动第 1季DRAM市场需求淡季不淡，价格也持续走扬。
根据统计，第一季DDR3合约季均价上涨16%，现货季均价也上涨14%;DDR2产品方面，第1季合约季均价上涨5%，现货季均价则持平表现。
而在产品价格走扬，加上各
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三星 DRAM DDR3
- 致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成为业界首家采用晶圆和封装形式 CMOS 振荡器提供石英晶体级性能的公司。这些集成电路满足小型化要求，在消费、计算和存储应用中无需使用石英谐振器和振荡器，为所有常见串行有线接口提供优异的链接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。产品提供
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IDT 振荡器 CMOS
- 根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继2009年第四季分别大涨40%与30%后，在2010年第一季分别续涨16%与 14%;DDR2合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后，在2010年第一季淡季不淡，合约季均价续涨5%，现货季均价持平，持续维持在高档价格。
由于计算机系统厂商于第一季拉高DDR3的搭载比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供货吃紧。DDR2方面在现货市场需求仍大部份在DDR2，而DRAM厂快速转进至DDR3，使买方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
- 海力士(Hynix)唯一还在运作中的8寸晶圆厂M8产线，下周将确定往后的运用方案，海力士的选择受到业界瞩目。海力士正在寻找解决办法，因为持续运作，早晚会遭遇收益性问题，而要以出销方式处理也不是件容易的事情。部分IC设计业者提议将此设施作为代工专用厂使用，另外也有建构成韩国代表性纯代工厂的意见。
海力士社长权五哲22日在财报说明会中，针对M8 厂是否会改变为代工专用厂的问题表示，目前正在多方探讨M8厂长期性的活用方案，5月底前可定案。
位于韩国忠清北道清州的M8厂主要生产低容量快闪存储器，并
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Hynix 晶圆 CMOS
- 介绍Cypress公司的图像传感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并对其两种快门方式进行了比较。在此基础上设计它所需要的时序控制电路。选用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作为硬件设计平台，对采用不同配置和快门的时序控制电路进行了仿真。实验结果表明，设计的驱动电路能够满足成像器的工作需求。
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时序 设计 驱动 IBIS5-B-1300 图像 传感器 CMOS 数字信号
- 以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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海力士 NAND DRAM
- 日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式问世，不但采40奈米制程生产，未来也将用此芯片生产32GB内存模块，应用于服务器、大型数据中心或其他大型系统等，DRAM大厂在产品规格之战，逐渐由主流规格2Gb，延伸至4Gb容量。
尔必达22日指出，将正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40纳米制程生产，且响应近期科技产业吹起的环保
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Samsung DRAM 40纳米
- 在渡过困难的09年后,全球半导体业迎来新一轮的高潮。市场相继出现存储器, 模拟电路等缺货现象及OEM库存不足。具风向标意义的1Gb DDR2价格由1,5美元升至3,0美元, 所以亏损了近3年的美光, 尔必达及海力士都报导扭亏为盈, 预计2010年全球DRAM增长40%,可达319亿美元。
以台积电为首的代工业也是看好, 预计今年有20%的增长。2010年Q1，它的65纳米先进制程取消淡季的固定优惠，实际上是变相的价格上涨。台积电去年第四季营收920.9亿台币，季增2.4%，65纳米占营收30%，
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存储器 DRAM 模拟电路
- 2010年DRAM产业自谷底回春，不淡摆脱过去亏损连连的情况，或是各厂要求政府要纾困，几乎每家DRAM业者都开始赚钱，且DRAM供不应求情况越来越严重，价格也不断上涨，现在DDR3和DDR2价格1颗3美元的情况发生在传统淡季，实在少见，且缺货的情况短期内无法纾解。
市场分析主要原因可分为供给和需求两方配合。在供给端方面，除了三星电子(SamsungElectronics)实力和财力雄厚外，厂的资本支出顶多只能应付制程微缩的需求，没有多余的资金可盖新厂房。
再者，2010年各厂转进50或是4
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DRAM 40纳米
- 日本DRAM大厂尔必达今天宣布，已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存。该颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32
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尔必达 40nm CMOS DDR3
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