- 近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213）面向高端智能安防应用，正式推出800万像素4K高清超星光级图像传感器新品——SC859SL。该产品基于思特威先进的SmartClarity®-3工艺技术打造，搭载Micro-Pillar™第二代近红外增强技术，在实现超高近红外感度的基础上，支持夜间户外低照度场景下的远距离清晰成像。SC859SL集成SFCPixel®、PixGain HDR®及SmartAOV®2.1等多项专利技术，具备高动态范围、低噪声、低功耗等性
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Micro-Pillar
思特威
800万像素
4K高清
超星光级
夜视全彩
安防应用
CMOS
图像传感器
- 随着无线通信系统向 6G、卫星互联、高端雷达与高性能传感应用迭代，异质半导体工艺融合已成为行业核心难题。硅基 CMOS 仍是数字运算与系统控制的主流载体；氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等 III-V 族半导体材料则具备优异的高频、大功率特性。将两类工艺器件封装至同一载体，是下一代射频与混合信号系统落地的关键支撑技术。比利时微电子研究中心（imec）优化迭代自有 300 毫米射频硅中介层平台，取得关键性技术突破。本次最新研发成果融合高密度金属 - 绝缘 - 金属电容（MIM 电容）、
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imec
射频硅中介层
CMOS
- 中国跻身全球 CMOS 图像传感器第二大供应梯队据 Yole（约尔产业研究院）报告，2025 年索尼 CMOS 图像传感器（CIS）营收接近全球市场总额的半数；中国超越韩国，成为全球第二大 CMOS 图像传感器供应地区，豪威科技、思特威、格科微、长光辰芯是拉动本土产业增长的核心企业。汽车电子仍是 CMOS 图像传感器厂商的核心战略竞争赛道：豪威科技在此领域领跑，索尼则在高分辨率高级驾驶辅助系统（ADAS）车载摄像头、车载环视摄像头市场持续提升市占率。2026 年起，由人工智能产业拉动的存储芯片上行周期，将
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CMOS
图像传感器
- 引言在消费类产品与工厂系统中，电气化与自动化程度的提高，大幅增加了对更多模拟传感功能的需求：温度、压力，尤其是电压检测。随着检测精度要求日趋严格，硬件工程师需要越来越精密、低偏移的精密放大器（图 1），以支撑更广泛的成本敏感型应用。图 1 成本优化型低偏移精密放大器。理解信号链误差全球各行各业持续采用更高的工作电压来提升能效和热管理性能。一个 48V 数据中心机架和一辆由 400V 电池驱动的电动拖拉机，面临着同一个根本性的工程挑战：如何将高压信号分压至 ≤5V，再交由微控制器 (MCU) 处理。这一调理
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TI
电压检测
精密放大器
数据中心
转换器
模拟信号链
MCU
CMOS
- 上海治精微电子有限公司(以下简称“治精微”)，总部位于张江的高端模拟芯片方案供应商，隆重推出全新36V高精度低噪声轨到轨输入输出CMOS运算放大器ZJA3192。它是治精微继5V轨到轨输入输出精密放大器ZJA3216系列之后成功开发的高压轨到轨输入输出精密运算放大器。表1展示了ZJA3192与国际竞品的主要技术指标的比较。表1：ZJA3192和国际竞品在常温和全温范围内主要参数的比较ZJA3192供电电压为4.5V至36V，供电电流1.7mA/通道。ZJA3192拥有优良直流精度的同时，也提供了出色的交流
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治精微
模拟芯片
CMOS
运算放大器
- 思特威（上海）电子科技股份有限公司近日宣布，面向中高端智能手机及消费类影像应用，正式发布5000万像素1.0μm像素尺寸超高动态范围CMOS图像传感器——SC570XS。基于思特威SmartClarity®-XL Pro技术平台，SC570XS采用先进的22nm Stack工艺制程，集成思特威Lofic HDR® 3.0、SFCPixel®-2及AllPix ADAF®等多项专利技术，具备超高动态范围、低噪声、低功耗等优势性能。作为1/1.56英寸1.0μm像素尺寸图像传感器，SC570XS实现了明暗昼夜
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思特威
CMOS
图像传感器
- 据Sigmaintell预测，汽车市场已正式进入智能化的竞争，单车摄像头搭载量将上升至11颗以上。其中，前视、环视、舱内等相关摄像头应用需求占比持续提升。近日，格科正式推出首颗车规级300万像素CMOS图像传感器GC3903。该产品采用3.0μm大像素、1/2.44英寸光学格式，分辨率为1920H×1536V。面向汽车环视、侧视、后视及流媒体后视镜等应用，GC3903支持LOFIC高动态成像、LED闪烁抑制、低功耗工作，全流程遵循车规可靠性标准，适配高性能、高可靠ACOM封装。 搭载格科LOFI
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Sigmaintell
图像传感器
CMOS
格科
- 高速成像技术已经成为现代工业、科学研究、医疗诊断以及消费电子等多个领域不可或缺的核心技术。随着应用需求向更高帧率、更高分辨率以及更低延迟的方向发展，高速成像技术正经历快速演进。传统成像技术在速度和灵敏度上存在一定的瓶颈，而高速CMOS图像传感器的出现，为实现高精度、高效率的成像提供了新的可能。 CMOS 图像传感器（互补金属氧化物半导体图像传感器）凭借制造工艺成熟、集成度高、功耗低、成本可控等优势，逐步取代 CCD 传感器，成为高速成像系统的核心组件。近年来，高速 CMOS 传感器通过背照式设计
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CMOS
传感器
高速成像
- 本周，比利时纳米技术权威研究机构 Imec 在年度技术论坛（ITF）上发布最新半导体技术路线图，为芯片制造业勾勒出充满挑战的前行方向。目前几乎所有芯片通用的互补式金属氧化物半导体（CMOS）晶体管，其下一代核心形态为互补场效应晶体管（CFET）。Imec 预测，该器件将于2033 年左右正式实现商用落地。Imec 核心路线图名词释义新版路线图显示，2033 年前后 A7 工艺节点将迎来晶体管结构革新，各项参数释义如下：A7：业内所称 7 埃工艺节点，仅为制程命名，不代表晶体管实际存在 7 埃尺寸结构。CP
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摩尔定律
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Imec
- 索尼半导体解决方案公司与台积电就下一代图像传感器战略合作签署初步协议索尼与台积电今日宣布，双方已签署一份无约束力谅解备忘录（MOU），拟在下一代图像传感器的研发与制造领域建立战略合作关系。根据合作规划，索尼与台积电拟设立合资公司（JV），由索尼担任控股股东并负责运营管理，并在索尼位于日本熊本县越市的新建晶圆厂内搭建研发与产线。双方将通过合资公司，结合索尼在图像传感器设计领域的技术积累，以及台积电在先进工艺与制造方面的核心优势，全面提升图像传感器性能。谅解备忘录签署后，双方正就合资公司的潜在投资事宜展开磋商
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索尼
台积电
图像传感器
CMOS
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率铝电解电容器阵容新增额定电压为550 V和600 V的型号。该产品系列在同等大小封装尺寸下，纹波电流承载能力较标准解决方案提升高达30 %，而且使用寿命更长。 工程师在传统设计中通常采用三个400 V至450 V电容器串联，被串联的每个电容器还需要并联均衡电阻，以应对高达1100 V的DC母线电压 - 这种方法增加了设计复杂度和潜在失效率。日前发布的
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Vishay
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193
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牛角式
铝电解电容器
- 今天思特威（SmartSens，股票代码：688213）宣布，全新推出1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器——SC1220IOT。SC1220IOT基于思特威SmartClarity®-XL技术平台打造，采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载思特威先进的SFCPixel®-2及ColGain HDR®技术，支持低功耗常开Always-On功能，具备低功耗、高动态范围、低噪声等多项核心性能优势。SC1220IOT出色的综合成像性能，可充分满足AI眼镜及AR/VR等智能可穿戴设备的高质量影
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- 法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1dB 的业界领先噪声系数。研究人员表示：“这些结果表明，结合优化的外延结构与工艺，适度微缩即可带来具备竞争力的技术方案。”研究团队认为，这类3–6V 低压射频器件适用于 5G 高频毫米波频段（FR2，24.25–71.0GHz）的单片集成移动收发（T/R）模块。5G 低频段 FR1：410–
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硅基氮化镓
GaN-on-Si
HEMT
5G毫米波
SOITEC
- SiFive将集成Nvidia NVLink Fusion，纳入其数据中心级设计，拓展基于RISC-V构建AI系统的选项。通过将宽且错序的核心与可扩展的连贯结构和先进的内存层级结合，SiFive 使云服务提供商和系统供应商能够根据工作负载需求定制 CPU，同时保持 RISC-V 生态系统带来的软件可移植性。随着NVLink的加入，SiFive可以通过连贯的高带宽互连直接连接到Nvidia的GPU和加速器，以降低延迟、更高效地共享数据，并提升大规模AI部署的整体系统利用率。英伟达创始人兼首席执行官黄仁森表示
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Si-Five
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RISC-V
AI
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- IPERLITE任务是一次在轨演示（IOD）飞行，旨在从510公里轨道展示下一代高光谱成像技术。IPERLITE任务的核心是由imec开发的高光谱传感器，这是经过多年ESA支持的研发成果，涉及多个比利时合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA项目基础上进一步发展。IPERLITE并非作为实际运行卫星，而是作为试验平台——访问农业遗址并收集光谱数据，以评估其创新有效载荷在真实轨道条件下的性能。IPERLITE为日益增长的紧凑型高光谱任务做出贡献，这些任务旨在普及光谱数据的获取，补充CHIME和SBG等大型
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IPERLITE
IOD
CMOS 探测器
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- 关键Imec在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在推动CMOS 2.0的发展，CMOS 2.0通过将片上系统（SoC）划分为专门的功能层来优化芯片设计。CMOS 2.0 利用先进的 3D 互连和背面供电网络 （BSPDN） 来提高电源效率并实现 SoC 内不同功能的异构堆叠。背面连接和 BSPDN 有助于晶圆两侧电源和信号的无缝集成，减少红外压降并增强移动 SoC 和其他应用的整体性能。在快速发展的半导体技术领域，imec 最近在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在为 CMOS 2.0 铺平道路，这是
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CMOS 2.0
半导体
- 以一个实际的CMOS反相器实物为例，从逆向的角度出发，为大家简单介绍其在芯片中的具体呈现形式。通过这一过程，希望能够帮助各位读者在后续的逆向工程实践中，快速而准确地判断出CMOS反相器，从而为深入分析芯片的整体架构和功能奠定坚实的基础。在芯片的微观世界中，CMOS反相器通常由一个P型MOSFET和一个N型MOSFET组成。这两个晶体管的源极和漏极分别相连，形成一个互补对称的结构。当输入信号为低电平时，N型MOSFET处于关闭状态，而P型MOSFET则导通，电流从电源流向输出端，使得输出端呈现高电平；反之，
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CMOS
图像传感器
ISP
- 尽管第三季度前景疲软，受消费者需求低迷影响，但 GlobalFoundries 正在中国采取大胆行动。这家芯片制造商通过与新代工厂的新协议，正在加速其“中国为中国”战略，首期将启动汽车级 CMOS 和 BCD 技术，根据其 新闻稿 和 IT Home 的报道。如 IT之家所强调，并援引公司高管的话，目标订单来自在中国有需求的国内外半导体公司——在转移代工厂时，无需客户重新开发或重新认证其芯片设计。根据来自 Seeking Alpha 的财报记录，
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CMOS
汽车电子
传感器
- 五十多年来，半导体行业一直依赖一个简单的方程式——缩小晶体管，在每片晶圆上封装更多晶体管，并随着成本的下降而看到性能飙升。虽然每个新节点在速度、能效和密度方面都提供了可预测的提升，但这个公式正在迅速耗尽。随着晶体管接近个位数纳米工艺，制造成本正在飙升，而不是下降。电力传输正在成为速度与热控制的瓶颈，定义摩尔定律的自动性能提升正在减少。为了保持进步，芯片制造商已经开始抬头看——字面意思。他们不是将所有内容都构建在一个平面上，而是垂直堆叠逻辑、电源和内存。虽然 2.5D 封装已经将其中一些投入生产，将芯片并排
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CMOS 2.0
纳米
分层逻辑
- 在高速视觉应用的竞技场中，全局快门CMOS图像传感器扮演着关键角色。当设计需要捕捉高速动态场景的方案时，仅仅关注分辨率或帧率远远不够。传感器的核心特性——尤其是其快门机制——直接决定了能否无失真地“冻结”瞬间。深入理解全局快门在高速环境下的优势，并权衡光学格式、动态范围、噪声表现（SNR）、像素架构，乃至功耗、接口、HDR处理能力等综合特性，是选择真正匹配高速需求的图像传感器的必经之路。为了帮助筛选这些规格和功能，一个重要的考虑因素是传感器的预期应用。某些应用需要非常高的分辨率来捕捉静止物体，而另一些应用
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安森美
CMOS
传感器
HDR
- 英特尔和三星正在研发先进的制程节点和先进的封装技术，但目前所有大型厂商都已 100% 依赖台积电。大型语言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推动数据中心 AI 容量和性能的快速扩展。更强大的 LLM 模型推动了需求，并需要更多的计算能力。AI 数据中心需要 GPU/AI 加速器、交换机、CPU、存储和 DRAM。目前，大约一半的半导体用于 AI 数据中心。到 2030 年，这一比例将会更高。台积电在 AI 数据中心逻辑半导体领域几乎占据 100% 的市场份额。台积电生产：Nv
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CMOS
- 二维材料凭借其原子级厚度和高载流子迁移率，提供了一种极具前景的替代方案。
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CMOS
- 激光雷达，对于汽车产业的重要性不言而喻，它是自动驾驶汽车感知周围环境的关键传感器之一。凭借其高精度的 360 度全方位扫描能力，激光雷达能够实时生成车辆周围环境的精确三维地图，精准检测并追踪其他车辆、行人、障碍物等，为自动驾驶决策系统提供精准且可靠的数据支持，是保障自动驾驶汽车安全行驶、实现智能驾驶功能落地的核心基石，正推动着汽车产业向着更智能、更安全的方向加速变革。但是在给车辆更安全的环境感知能力之时，各位读者有没有想过，这些越来越多激光雷达，会逐渐开始危害我们的财产安全，而首当其冲的就是手机
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激光雷达
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ADAS
- 在半导体领域，随着技术的不断演进，对CMOS（互补金属氧化物半导体）可靠性的要求日益提高。特别是在人工智能（AI）、5G通信和高性能计算（HPC）等前沿技术的推动下，传统的可靠性测试方法已难以满足需求。本文将探讨脉冲技术在CMOS可靠性测试中的应用，以及它如何助力这些新兴技术的发展。引言对于研究半导体电荷捕获和退化行为而言，交流或脉冲应力是传统直流应力测试的有力补充。在NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验中，应力/测量循环通常采用直流信号，因其易于映射到器件模型中。然而，结
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CMOS
可靠性测试
脉冲技术
AI
5G
HPC
泰克科技
- 摄像头CMOS传感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像设备的核心部件，广泛应用于智能手机、安防监控、汽车电子、工业检测等领域。以下是国内外主流的CMOS传感器厂家及其主要特点和代表性型号：从智能手机到自动驾驶，从安防监控到工业检测，CIS的身影无处不在。随着技术不断演进，CIS市场格局也在悄然变化。今天，我们就来一次全景扫描，盘点国内外主流CMOS传感器厂商，以及那些正在崛起的新兴势力。当年最缺芯片的时候，我别的不担心，最担心买不到索尼的Sensor，结果一开始我们用中国台湾的可以替代
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图像传感器
ISP
- 当涉及到技术创新时，图像传感器的选择是设计和开发各种设备过程中一个至关重要的环节，这些设备包括专业或家庭安防系统、机器人、条形码扫描仪、工厂自动化、设备检测、汽车等。选择最合适的图像传感器需要对众多标准进行复杂的评估，每个标准都会影响最终产品的性能和功能。从光学格式和、动态范围到色彩滤波阵列（CFA）、像素类型、功耗和特性集成，这些标准的考虑因素多种多样，错综复杂。在各类半导体器件中，图像传感器可以说是最复杂的。这些传感器将光子转换为电信号，通过一系列微透镜、CFA、像素和模数转换器（ADC）产生数字输出
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图像传感器
CMOS
成像性能
- 3月7日消息，近日，综合韩联社、ZDNet Korea、MK等多家韩媒报道，SK海力士在内部宣布将关闭其CIS（CMOS图像传感器）部门，该团队的员工将转岗至AI存储器领域。SK海力士称其CIS团队拥有仅靠存储芯片业务无法获得的逻辑制程技术和定制业务能力。存储和逻辑半导体高度融合的趋势下，将CIS团队和存储部门聚合为一个整体，才能进一步提升企业的AI存储器竞争力。
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AI存储器
- 异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
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