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power-fet 文章 最新资讯

功率绝缘衬底硅（Power-SOI）：功能安全集成电路的可靠性核心

  • 功率绝缘衬底硅（Power-SOI）技术正快速成为下一代功能安全集成电路的核心基底，广泛应用于自动驾驶、工业自动化、人形机器人及其他关键任务系统。如今高压电源管理与低压数字智能深度融合，催生了全新的可靠性挑战，传统体硅 BCD 工艺已愈发难以应对。随着系统向高等级自动驾驶与全面电动化演进，半导体器件可靠性直接关乎人身安全，底层制造工艺也因此具备了战略价值。现代安全关键型电子设备必须遵循严苛的功能安全标准：车载领域执行ISO 26262标准，工业领域遵循IEC 61508标准。这类标准要求硬件失效率极低，针
  • 关键字： 功率绝缘衬底硅   Power-SO   功能安全   集成电路  

60W 壁挂式 AC-DC 适配器（IP42 防护），满足 DOE Level VII 能效要求，面向医疗、家庭医疗保健与工业应用

  •  XP Power 推出 60W 壁挂式 AC-DC 电源AMF60 系列，适用于医疗、家庭医疗保健及工业应用。相较于同功率等级的桌面式适配器，紧凑的壁挂式形态可减少安装空间占用，适合空间受限的设备。IP42 等级外壳可限制灰尘与湿气进入，从而延长适配器的使用寿命。AMF60 系列满足 DOE Level VI 能效要求，并已为 Level VII 做好准备，同时符合针对外部电源的 EU2019/1782 法规，空载功耗低于 0.15W。更低的能量损耗支持自然对流散热设计，实现静音运行，并提升在
  • 关键字： XP Power    AC-DC 适配器   DOE Level VII   

家用与AI数据中心供电全面升级

  • 全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日，到前不久在圣何塞举办的GTC 大会，半导体厂商纷纷推出新方案，缩小电源系统体积、提升通流能力。一、Power Integrations：GaN 赋能反激电源，功率上探 450WPower Integrations（PI）采用更高效的氮化镓（GaN） 技术，升级其核心产品线TOPSwitch。这款经典单端反激转换器全球应用广泛，最新 GaN 版本将功率上限从250W 提升至 450W，可用
  • 关键字： AI数据中心   GaN   Power Integrations   德州仪器   IsoShield   英飞凌   瑞萨  

英伟达800V直流数据中心解决方案汇总

  • 在 OCP 全球峰会上，Nvidia 将公布 Vera RubinNVL144 MGX 代开放式架构机架式服务器的规格，超过 50 个 MGX 合作伙伴正在为此做准备，以及对 Nvidia Kyber 的生态系统支持，它连接了 576 个 Rubin UltraGPU，旨在支持不断增长的推理需求。芯片供应商：ADI 公司（ADI）、AOS、EPC、英飞凌、Innoscience、MPS、Navitas、onsemi、Power Integrations、瑞萨、立锜、罗门、意法半导体和德州仪器。电力系统组件
  • 关键字： 202511   英伟达   直流数据中心   Power Integrations   德州仪器   EPC  

节省空间的3U数字式10kW电源，电压可达100kV

  • XP Power宣布推出WBQ系列10kW数字式，可调节高压电源，专为需要15kV至100kV可控输出电压的设备设计。这款紧凑型19英寸3U机架安装产品在该功率等级下可提供最小的占地面积，适用于机架空间宝贵的场景（如半导体制造环境），可显著节省空间。其功率可扩展至100kW+，支持高电流工艺，并能驱动离子注入、电子束焊接、增材制造、质子治疗及医用回旋加速器等大型系统运行。该产品采用全数字化控制回路，可通过直观的用户界面（UI）进行配置，从而实现输出负载变化的灵活控制与调节，同时支持便捷的固件修改。可编程参
  • 关键字： 3U数字式电源   XP Power  

基于氮化镓的紧凑型65W至140W PD充电器，支持医疗和工业技术应用中的快速充电

Vishay推出5W小型1206封装Power Metal Strip电阻器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip® 检流电阻---WSLF1206，采用小型1206封装，额定功率高达5 W，TCR低至 ± 75 ppm/°C，以及低至0.3 mΩ的极低电阻值。Vishay Dale WSLF1206额定功率是1206封装尺寸标准电阻的20倍，功率密度 > 650 W/in2，设计师得以使用尽可能小的电阻，且无需并联电阻，从而节省高功率电路板的空间。器件温度系数（TCR）低，可在 -65
  • 关键字： Vishay   Power Metal Strip   电阻器  

XP Power为15W高压DC-DC转换器HRF15系列新增数字监控与控制功能

  • XP Power近日宣布推出15W精密高压DC-DC转换器HRF15系列的数字版本，该版本支持通过I2C接口的PMBus™实现输出电压和电流的编程控制。这一升级满足了精密设备自动化与远程控制日益增长的需求，适用于半导体检测应用及通用分析研究领域，包括质谱分析、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等设备。与2025年5月推出的精密模拟版本相比，HRF15的数字界面简化了系统集成，并通过直观的GUI缩短了设置时间，加快了产品开发时间。它还通过先进的监控和编程功能提高了可靠性。电源状态标志提供了对
  • 关键字： XP Power   DC-DC转换器  

ADI Power Studio™-加速电源管理设计

  • 概述ADI Power Studio™是一套面向应用工程师及高级电源设计用户的综合性产品系列，能够有效简化整个电源系统的设计流程，提供从初步概念到测量和评估的全程支持。Power Studio提供统一、直观的工作流程，利用准确的模型来仿真实际性能，并自动生成关键的物料清单和报告等内容，帮助工程团队更早做出更优决策。ADI Power Studio整合了凌力尔特与美信的元器件，构建起统一的器件选型目录；同时通过丰富的工具集成优化工作流程，并基于客户反馈打造了现代化的用户界面(UI)与用户体验(UX)。产品系
  • 关键字： ADI   电源管理   ADI Power Studio  

Analog Devices发布ADI Power Studio和网页端新工具

  • ●   ADI Power Studio将多种ADI工具整合成一个完整的产品系列，助力简化电源管理设计和优化工作。●   ADI Power StudioTM Planner工具有助于增强系统级电源树规划。●   ADI Power StudioTM Designer工具可在整个集成电路(IC)级电源设计过程中提供全方位指导。全球领先的半导体公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出综合性产品系列ADI Po
  • 关键字： Analog Devices   ADI   ADI Power Studio  

Power Integrations发布新技术白皮书，深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

  • 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations近日发布一份新的技术白皮书，详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit)，其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上，NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作，加速推动向8
  • 关键字： Power Integrations   数据中心   GaN   

40W超紧凑DC-DC转换器，适用于空间受限的严苛应用场合

  • XP Power宣布推出具有成本效益的40W DC-DC转换器BCT40T系列，该产品采用业界领先的1“x 1”（25.4mm x 25.4mm）紧凑型封装，专为PCB安装而设计。这个新系列提供高功率密度和全面的功能，使其成为各种要求苛刻的工业技术、ITE和通信应用的理想电源解决方案，在这些应用中，空间是一个关键的限制因素。这款高性能BCT40T系列专为测试与测量、机器人、过程控制、分析仪器和通信设备等领域工作的研发工程师而设计。其超紧凑的金属封装具有显著优势，可节省宝贵的PCB面积，并为客户应用电路提供
  • 关键字： DC-DC转换器   空间受限   XP Power  

Power Integrations推出太阳能赛车专用参考设计，采用高效率氮化镓芯片

  • 澳大利亚达尔文及美国加州圣何塞，2025年8月22日讯 –Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。与此同时，37支学生队伍已整装待发，将参加于8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛，穿越澳洲内陆地区。该套件型号为RDK-85SLR，采用了PI™公司一款集成PowiGaN™氮化镓技术的芯片InnoSwitch™3-AQ。其设计灵感来自PI公司PowerPros℠在线支持工程师与苏黎世联邦理工学院aCentauri车队的合作成果。后者的85号“Silvretta”挑
  • 关键字： Power Integrations   太阳能赛车   氮化镓芯片  

瑞萨电子通过下一代功率FET将GaN推向千瓦级

  • 几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓 （GaN） 功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、空间和功耗节省。然而，尽管具有所有功率处理特性，但基于氮化镓的横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 一直在努力进入千瓦级功率设计。瑞萨电子正试图通过其最新的高压氮化镓功率 FET 来改变这一现状，该 FET 专为要求苛刻的系统而设计，从数据中心的 AI 服务器电源和不间断电源 （
  • 关键字： 瑞萨电子   功率   FET   GaN   千瓦级  

Power Integrations任命Jennifer Lloyd为下一任首席执行官

  • 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布，Jennifer A. Lloyd博士将接替自2002年以来一直担任首席执行官的Balu Balakrishnan，成为公司的下一任首席执行官。Lloyd博士曾担任过Power Integrations董事会成员，现再次被任命为公司董事会成员。这两项任命均于7月21日生效。自1997年以来，Lloyd博士在全球半导体领导企业Analog Devices, Inc.担任过一系列高级工程和业务管理职位。在此期间，她曾领
  • 关键字： Power Integrations  

基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项

  • 鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合串式逆变器。图1是混合串式逆变器的方框图。常见的稳压直流母线可将各个基本模块互联起来。混合串式逆变器包含以下子块：●   用于执行最大功率点跟踪的单向 DC/DC 转换器。●   用于电池充电和放电的双向 DC/DC 转换器。电池可在夜间或停电
  • 关键字： 德州仪器   GaN FET   单相串式逆变器   微型逆变器   储能系统  

瑞萨电子推出用于AI数据中心、工业及电源系统的全新GaN FET

  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOL
  • 关键字： 瑞萨电子   AI数据中心   工业   电源系统   GaN FET  

接口、黑匣子快照驱动器1.3kW AC-DC系列

  • XP Power 开发了 1.3kW 全数字、可配置、模块化 AC-DC 电源系列，为电源工程师提供了新的界面。FLXPro 系列从 FLX1K3 可配置 1U 机箱开始，提供高达 1.3kW 的 AC-DC 电源，功率密度为 58.9W/cm³ （23.2W/in³）。该系统的一个关键元素是 XPInsight 用户界面。这是使用以人为本的设计 （HCD） 原则开发的，以简化系统配置、监控和控制，并具有绘图、数据记录和同步多单元显示等高级功能。“我们于 2015 年推出的 Nanoflex 1U 120
  • 关键字： 快照驱动器   AC-DC   XP Power  

瑞萨推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力

  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
  • 关键字： 瑞萨   GaN FET   SuperGaN  

GaN FET支持更高电压的卫星电源

  • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63
  • 关键字： GaN FET   卫星电源  

Nissan推出第三代e-POWER技术 可用电力直驱马达

  • Nissan宣布正式在欧洲推出其e-POWER技术的第三代系统。 这项技术的核心是汽油引擎仅用于发电，电力直接驱动电动马达来带动车轮，提供类似纯电动车的平稳加速，且无需外部充电。第三代e-POWER系统经全面优化，专注于提升燃油效率、降低排放并改善行车静谧性。 e-POWER的独特之处在于其动力传输模式，消除了引擎与车轮之间的机械连接，确保了实时响应与平顺驾驭感。 系统也整合了动能回收技术，进一步提高能源效率。全新e-POWER 的核心是一个新的5合1模块化动力总成单元，整合了关键部件于一体。 新引擎采用
  • 关键字： Nissan   e-POWER   电力直驱马达  

探索TI GaN FET在类人机器人中的应用

  • 类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约40个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源要求取决
  • 关键字： TI   GaN   FET   类人机器人  

Power Integrations 汽车电源管理方案：为汽车应用增加系统价值

  • 在新能源汽车产业蓬勃发展的当下，高效的电源管理方案成为提升汽车性能与可靠性的关键。近期，Power Integrations 举办线上交流会，介绍了基于其 1700V InnoSwitch3-AQ 反激式开关 IC 的五款全新参考设计，旨在为 800V 纯电动汽车提供卓越的电源管理解决方案，进一步推动新能源汽车技术的进步。随着新能源汽车从传统燃油车向纯电动汽车的转型，汽车电气系统经历了翻天覆地的变化。传统燃油车主要依赖 12V 低压电池供电，电源转换需求相对简单。然而，新能源汽车为了实现快速充电，电池包电
  • 关键字： Power Integrations   汽车电源管理  

Power Integrations的1700V开关IC为800V纯电动汽车提供可靠性和节省空间的优势

  • 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出五款面向800V汽车应用的全新参考设计，这些参考设计基于该公司的1700V InnoSwitch™3-AQ反激式开关IC实现。这些设计涵盖16W至120W的功率水平，采用绕线式变压器或扁平的平面变压器，适用于汽车应用中的DC-DC母线变换、逆变器应急电源、电池管理和辅助系统电源等场景。其IC采用了Power Integrations的新型宽爬电距离InSOP™-28G封装，该封装可在初级侧施加1000VDC的高压
  • 关键字： Power Integrations   开关IC   800V   纯电动汽车  

1,700V反激式DC-DC转换器的五种汽车用途

  • 在今天于纽伦堡举行的PCIM上，Power Integrations公布了其1,700V InnoSwitch3-AQ反激式DC-DC转换器IC的五款800V汽车电源参考设计：RDK-994Q – 35W 40 至 1kVdc 输入、24V 输出、薄型牵引逆变器栅极驱动或紧急 PSURDK-1039Q – 18W 平面变压器牵引逆变器栅极驱动器或紧急 PSU（如图)RDK-1054Q – 120W 平面变压器 PSU，无需 12V 电池DER-1030Q – 20W 四输出 PSU：1 个 24.75Vo
  • 关键字： 反激式   DC-DC   转换器   汽车用途   Power Integrations  

GaN FET在人形机器人中的应用

  • 引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约 40 个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源
  • 关键字： GaN FET   人形机器人  

开发支持自动驾驶的Power Architecture

  • 正在开发新的创新车辆，以支持仓储、物流、农业和配送运输中更多的自主活动。这些应用的功率要求促使半导体制造商开发新的解决方案。汽车行业的电气化继续成为头条新闻，因为消费者希望更多地了解电动乘用车（主要是汽车）的特点和优势。在工程界，话题经常转向电力：电动汽车中使用的高压和大型电池，其配电网络必须处理 400 至 1200 V DC。电动汽车类别中有许多电池供电解决方案的例子，从小型单人交通工具到公共交通公交车。虽然这些例子背后有明确的动力，但电气化的好处也延伸到公路运输货物的车辆、农业设备以及用于物流和配送
  • 关键字： 自动驾驶   Power Architecture  

英飞凌推出Power PROFET™+24/48V超低电阻智能功率开关系列，优化汽车配电系统

  • 随着汽车结构向混动和电动车型过渡，传统电池系统越来越多地被48 V电源补充或取代。由于12 V和24 V电网系统已达到极限，这一转变有望成为未来电动汽车的新标准。48 V系统可提供先进功能，并通过降低电流和简化线束复杂性，从而提高效率。而且一级和二级配电系统中的传统继电器和保险丝已无法满足电气化需求，因此需要更换。为推动这一电气化进程，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出Power PROFET™ + 24/48V开关系列，该系列专为满足现代汽车功率系统的要求而开发。Power
  • 关键字： 英飞凌   Power PROFET   智能功率开关   汽车配电系统  

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅
  • 关键字： cascode   FET   SiC  

Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
  • 关键字： Nexperia   GaN FET  

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