- 联华电子今(14)日宣布推出用于显示驱动IC的14奈米嵌入式高压(eHV) FinFET技术平台，并可提供制程设计套件(Process Design Kit, PDK)供客户进行设计导入。此全新制程已于联电12A厂完成验证，可提升电源效率与效能，同时缩小芯片尺寸，助力新一代显示技术的发展。相较于联电目前量产中最先进的22奈米制程eHV解决方案，14奈米eHV FinFET平台可降低40%的功耗与缩小35%的芯片面积，进一步延长电池续航力，并支援更小型、轻薄的驱动模块设计，以提供高阶与摺叠式OLED智能型手
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联电 14nm eHV FinFET 手机显示
- 索尼半导体解决方案公司与台积电就下一代图像传感器战略合作签署初步协议索尼与台积电今日宣布，双方已签署一份无约束力谅解备忘录（MOU），拟在下一代图像传感器的研发与制造领域建立战略合作关系。根据合作规划，索尼与台积电拟设立合资公司（JV），由索尼担任控股股东并负责运营管理，并在索尼位于日本熊本县越市的新建晶圆厂内搭建研发与产线。双方将通过合资公司，结合索尼在图像传感器设计领域的技术积累，以及台积电在先进工艺与制造方面的核心优势，全面提升图像传感器性能。谅解备忘录签署后，双方正就合资公司的潜在投资事宜展开磋商
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索尼 台积电 图像传感器 CMOS
- 今天思特威（SmartSens，股票代码：688213）宣布，全新推出1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器——SC1220IOT。SC1220IOT基于思特威SmartClarity®-XL技术平台打造，采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载思特威先进的SFCPixel®-2及ColGain HDR®技术，支持低功耗常开Always-On功能，具备低功耗、高动态范围、低噪声等多项核心性能优势。SC1220IOT出色的综合成像性能，可充分满足AI眼镜及AR/VR等智能可穿戴设备的高质量影
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思特威 AI眼镜 CMOS 图像传感器
- IPERLITE任务是一次在轨演示（IOD）飞行，旨在从510公里轨道展示下一代高光谱成像技术。IPERLITE任务的核心是由imec开发的高光谱传感器，这是经过多年ESA支持的研发成果，涉及多个比利时合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA项目基础上进一步发展。IPERLITE并非作为实际运行卫星，而是作为试验平台——访问农业遗址并收集光谱数据，以评估其创新有效载荷在真实轨道条件下的性能。IPERLITE为日益增长的紧凑型高光谱任务做出贡献，这些任务旨在普及光谱数据的获取，补充CHIME和SBG等大型
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IPERLITE IOD CMOS 探测器 imec
- 关键Imec在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在推动CMOS 2.0的发展，CMOS 2.0通过将片上系统（SoC）划分为专门的功能层来优化芯片设计。CMOS 2.0 利用先进的 3D 互连和背面供电网络 （BSPDN） 来提高电源效率并实现 SoC 内不同功能的异构堆叠。背面连接和 BSPDN 有助于晶圆两侧电源和信号的无缝集成，减少红外压降并增强移动 SoC 和其他应用的整体性能。在快速发展的半导体技术领域，imec 最近在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在为 CMOS 2.0 铺平道路，这是
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CMOS 2.0 半导体
- 以一个实际的CMOS反相器实物为例，从逆向的角度出发，为大家简单介绍其在芯片中的具体呈现形式。通过这一过程，希望能够帮助各位读者在后续的逆向工程实践中，快速而准确地判断出CMOS反相器，从而为深入分析芯片的整体架构和功能奠定坚实的基础。在芯片的微观世界中，CMOS反相器通常由一个P型MOSFET和一个N型MOSFET组成。这两个晶体管的源极和漏极分别相连，形成一个互补对称的结构。当输入信号为低电平时，N型MOSFET处于关闭状态，而P型MOSFET则导通，电流从电源流向输出端，使得输出端呈现高电平；反之，
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CMOS 图像传感器 ISP
- 尽管第三季度前景疲软，受消费者需求低迷影响，但 GlobalFoundries 正在中国采取大胆行动。这家芯片制造商通过与新代工厂的新协议，正在加速其“中国为中国”战略，首期将启动汽车级 CMOS 和 BCD 技术，根据其 新闻稿 和 IT Home 的报道。如 IT之家所强调，并援引公司高管的话，目标订单来自在中国有需求的国内外半导体公司——在转移代工厂时，无需客户重新开发或重新认证其芯片设计。根据来自 Seeking Alpha 的财报记录，
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CMOS 汽车电子 传感器
- 五十多年来，半导体行业一直依赖一个简单的方程式——缩小晶体管，在每片晶圆上封装更多晶体管，并随着成本的下降而看到性能飙升。虽然每个新节点在速度、能效和密度方面都提供了可预测的提升，但这个公式正在迅速耗尽。随着晶体管接近个位数纳米工艺，制造成本正在飙升，而不是下降。电力传输正在成为速度与热控制的瓶颈，定义摩尔定律的自动性能提升正在减少。为了保持进步，芯片制造商已经开始抬头看——字面意思。他们不是将所有内容都构建在一个平面上，而是垂直堆叠逻辑、电源和内存。虽然 2.5D 封装已经将其中一些投入生产，将芯片并排
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CMOS 2.0 纳米 分层逻辑
- 在高速视觉应用的竞技场中，全局快门CMOS图像传感器扮演着关键角色。当设计需要捕捉高速动态场景的方案时，仅仅关注分辨率或帧率远远不够。传感器的核心特性——尤其是其快门机制——直接决定了能否无失真地“冻结”瞬间。深入理解全局快门在高速环境下的优势，并权衡光学格式、动态范围、噪声表现（SNR）、像素架构，乃至功耗、接口、HDR处理能力等综合特性，是选择真正匹配高速需求的图像传感器的必经之路。为了帮助筛选这些规格和功能，一个重要的考虑因素是传感器的预期应用。某些应用需要非常高的分辨率来捕捉静止物体，而另一些应用
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安森美 CMOS 传感器 HDR
- 市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。 半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍会是主流客户之首选。盘点目前智能手机旗舰芯片，皆使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第
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台积电 3纳米 FinFET 三星 2纳米
- 英特尔和三星正在研发先进的制程节点和先进的封装技术，但目前所有大型厂商都已 100% 依赖台积电。大型语言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推动数据中心 AI 容量和性能的快速扩展。更强大的 LLM 模型推动了需求，并需要更多的计算能力。AI 数据中心需要 GPU/AI 加速器、交换机、CPU、存储和 DRAM。目前，大约一半的半导体用于 AI 数据中心。到 2030 年，这一比例将会更高。台积电在 AI 数据中心逻辑半导体领域几乎占据 100% 的市场份额。台积电生产：Nv
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CMOS
- 二维材料凭借其原子级厚度和高载流子迁移率，提供了一种极具前景的替代方案。
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CMOS
- 激光雷达，对于汽车产业的重要性不言而喻，它是自动驾驶汽车感知周围环境的关键传感器之一。凭借其高精度的 360 度全方位扫描能力，激光雷达能够实时生成车辆周围环境的精确三维地图，精准检测并追踪其他车辆、行人、障碍物等，为自动驾驶决策系统提供精准且可靠的数据支持，是保障自动驾驶汽车安全行驶、实现智能驾驶功能落地的核心基石，正推动着汽车产业向着更智能、更安全的方向加速变革。但是在给车辆更安全的环境感知能力之时，各位读者有没有想过，这些越来越多激光雷达，会逐渐开始危害我们的财产安全，而首当其冲的就是手机
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