随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分
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FinFET 布线
很多学习半导体技术的人弄不清CMOS与BIOS之间的联系与区别，容易误认为两个表达的是一个东西，其实不然，两者有关联却不相同。 什么是CMOS与BIOS? CMOS又被称作互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。在今日，CMOS
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CMOS BIOS
本文将透露世界首款K波段数据转换器EV12DS460A背后的设计秘密，介绍为了提高性能和规避CMOS设计限制而引入的超高速制程。同时本文也将解释，紧凑的单核心数据转换器核心配合仔细斟酌的设计如何让EV12DS460A的性能有突破性提高。最后，您可以看到布线和电路简化的细微差别是设计时应考虑的重要因素。 概述 微波系统设计师一直在追求更高的性能和更高的工作带宽。简化设计和降低功耗、尺寸、重量同样是需考虑的问题。UWB数据转换器能极大地简化多通道传输系统的设计(如果您对此不了解，请访问这里)。多年来，
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DAC CMOS
COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强
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CMOS 电平转换 电路
CCD和CMOS传感器是目前最常见的两种数字图像传感器，广泛运用于各类工业相机，个人数码相机，手机相机及摄像机等数字成像产品。 CCD传感器于1969年由贝尔实验室研制成功，伴随其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音的特性，一度成为图像传感器市场的主导。和CCD传感器相比，CMOS图像传感器具有低功耗、低操作电压、低价格等优势，但是在CMOS图像传感器出现初期由于相对较差的性能和较大的像元尺寸，并没有得到很好的市场。后来随着超大规模集成电路技术(VLSI)和CMOS工艺水平的不断提高，C
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CCD 传感器 CMOS
时间进入2018年第3季，市场上却充斥智能型手机需求不如预期杂音，熟悉半导体厂商表示，目前看来手机相关芯片需求可望维持基本盘，成长空间确实有待观察，然而今年值得注意的重点为换购升级需求，如以往手机采用双镜头，往后更将往三镜头推进，将带动CMOS感测元件量能提升。另外，手机以外最重要的次世代领域车用电子市场，一台车采用CIS元件颗数上看40颗以上，对于讲究量能的专业CIS封测厂如胜丽、京元电、同欣电、以及代理Sony CIS元件的专业渠道厂商尚立来说，下半年营运仍可望正向看待。 车用CMOS影像传感器
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CMOS，传感器
作为每年的安卓参考机，谷歌的“亲儿子”系列在欧美有着一票忠实粉丝。 6月30日，知名爆料人Onleaks分享了一张Pixel 3的结构透视照，确认了其后置单摄像头、后指纹的设定。 他还透露，资料是从制造工厂拿到的CAD定稿，可靠度不用质疑。 根据此前的渲染，Pixel 3 XL将搭载一块6.2英寸19：9的刘海屏，pixel 3则是5.4寸16：9传统设计。 其中，在前刘海的设计上，谷歌最终拿出的方案是，刘海内元件对称(两颗摄像头)，宽度23.8mm，竖直长度8.1mm，而“下巴”的竖直长度是
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华为 CMOS 谷歌
近日，全球领先的CMOS图像传感器供应商SmartSens针对近期公司遭遇的专利侵权诉讼做出回应： SmartSens此前被诉侵犯某公司的专利权，相关的两项专利分别为200510052302.4号发明专利(名称为“像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器”)和200680019122.9号发明专利(名称为“场效应晶体管布置对称的像素”)。公司为此聘请业内资深律师积极应对，经公司提起专利权无效宣告请求，国家知识产权局复审委员会于近日对上述两项专利分别作出第36227号和36245号无效宣告请求审查决定
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SmartSens CMOS
近日，德克萨斯州联邦陪审团作出一项裁决：三星电子因侵犯韩国技术学院一项专利技术，需向后者支付赔偿金或将高达4亿美元。 据了解，韩国技术学院曾向法院提起诉讼，指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺相关的专利技术。然而三星向陪审团表示，它与韩国技术学院合作开发了这项技术，并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。就在三星对此不屑一顾时，其对手英特尔公司开始向这项技术的发明者取得许可授权，围绕三星是否侵权的力量博弈发生了改变，三星才开始重视这个事件的严重性。 据悉
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三星 FinFET
据外媒报道，佳能近日推出了号称目前世界最大的高灵敏度CMOS图像传感器。 佳能表示，这款CMOS是在直径为12英寸的圆形硅晶片上所能制作出CMOS的最大尺寸，其面积约为普通35mm全画幅传感器的40倍左右。 据称，该传感器能够帮助确认极其微弱且迄今为止只有理论上存在的流星，这让它能够被应用于天文领域，帮助人类增进对流星可能对地球上生命发展所产生影响的理解。
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佳能 CMOS
CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作? 一、CMOS门电路 CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法： 1、
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CMOS TTL
小小的芯片，看似简单，却充满了科技之道。只有真的懂得制造工艺与应用原理，了解每一颗芯片生产背后的艰辛，才能看懂制造商从小处用心的美好。
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芯片 FinFET
“半导体市场正在经历由技术推动到需求推动的转变。而半导体技术上的创新，可能让半导体晶体管密度再增加1000倍，仍有巨大空间。”近日，美国加州大学伯克利分校教授、国际微电子学家胡正明在接受集微网采访时表示。 自1965年摩尔定律提出以来，历经半个多世纪的发展，如今越来越遭遇挑战，特别是新世纪以来，每隔十年，摩尔定律以及半导体的微型化似乎便会遭遇到可能终止的危机。 胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI)，两大革命性创新为半导体带来新契机。 2011年5月
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FinFET 7纳米
由于车载应用、机器视觉、人脸识别与安防监控的快速发展，以及越来越强大的手机拍照功能(译者注：例如双摄像头或三摄像头)，全球CMOS图像传感器销售额屡创新高，市场调研机构IC Insights统计，2017年销售额为125亿美元，同比增长19%，预计2018年CMOS图像传感器销售额有望达到137亿美元，同比增长10%，将连续八年创历史记录。再向后看，该机构认为，一直到2022年，CMOS图像传感器都将保持出货量与销售额年年创新高的趋势。
IC Insights在其最新报告中指出，CMOS图像传感
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CMOS 图像传感器
据麦姆斯咨询报道，3D成像技术全球领导者Vayyar Imaging(以下简称Vayyar)近日宣布推出全球最先进的毫米波(mmWave)3D成像系统级芯片(SOC)，它集成了数量空前的收发器以及一款先进的DSP(数字信号处理器)，带来高精度高分辨率的3D轮廓成像。
Vayyar在单颗芯片上集成了72个发射器和72个接收器，覆盖了3GHz-81GHz雷达和成像频段。凭借集成的大内存高性能DSP，Vayyar的传感器无需任何外部CPU执行复杂的成像算法。
突破了目前传感器
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CMOS 芯片
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