- 基于突破性10位CMOSAD7520的电阻梯乘法DAC最初用于反相运算放大器,而放大器的求和点(IOUTA)则提供了方便的虚拟地（图1）.图1.CMOS乘法DAC架构
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CMOS 乘法DAC 架构图
- 如图所示是用CMOS非门电路加入负反馈后组成的线性放大器。图中A是由一个非门组成的一级线性放大器，B所示是由三个非门串联构成的一级线性放大器。图中R1是反馈偏置电阻，它构成直流全反馈，使工作点稳定，同时也构成交流的...
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CMOS 非门 线性放大器
- 如今的索尼传感器比索尼手机的存在感无疑更加强。虽然索尼IMX系列传感器相比三星、OV等厂商CMOS在主摄像头位置的地位有所动摇，但是整体来说还是能够捍卫王者宝座。
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CMOS 索尼
- 一直以来，人们总是在讨论CMOS和CCD两种成像器之间的比较优势。虽然关于哪个更胜一筹的争论纷纭已久，但自始至终却没有任何定论浮出水面。由于人们关注的主题总在不断变化，因此，关于问题的答案也是不确定的。科技在
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图像传感器 CCD CMOS
- 采用标准0．18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μm EBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试，结果表明该片上天线工作在20CHz，具有小型化的性能，同时具备三次谐波抑制的功能。
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CMOS EBG 制造 天线
- 大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但
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SoC FinFET MOSFET
- 1 引言近年来，无线通信技术得到了迅猛地发展。它对收发信机前端电路提出的新要求是：高线性，低电压，低功耗，高度集成。混频器作为无线通信系统射频前端的核心部分之一，其性能的好坏将直接影响整个系统的性能。从
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单平衡混频器 CMOS 模拟开关 开关混频器
- 所有大型晶圆代工厂都已宣布 FinFET 技术为其最先进的工艺。Intel 在 22 nm 节点上采用该晶体管，TSMC 在其 16 nm 工艺上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 则将其用于 14 nm 工艺中。
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FinFET 电路设计
- 本文设计了一种模拟除法器，在分析讨论其工作原理的基础上，采用CSMC0.5umCMOS工艺，对电路进行了Cadence Spectre 模拟仿真，仿真结果验证了理论分析。1 电路的设计与分析图1 CCII 电路结构模拟除法器由单电源+5V供
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模拟除法器 CMOS
- 数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备，通过CMOS处理技术，DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了DSP电路板设计的复杂性，并且同简单的数字电路设计相比较，面临更多相似的问题。
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DSP CPU CMOS 功耗
- 摘要：在对低噪声CMOS图像传感器的研究中，除需关注其噪声外，目前数字化也是它的一个重要的研究和设计方向，设计了一种可用于低噪声CMOS图像传感器的12 bit，10 Msps的流水线型ADC，并基于0．5mu;m标准CMOS工艺进行
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CMOS ADC 低噪声 成像验证
- CMOS图像传感器是近年来发展最为快速的新型固态图像传感器，它利用其自身的工艺和集成的特点将光电成像阵列与信号模拟放大和数字图像处理电路集成于单芯片内，与CCD图像传感器相比，具有体积小、功耗低、控制简单、
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CMOS 调试系统 接口 DSP 寄存器
- 技术的角度比较，CCD与CMOS的区别有如下四个方面的不同：1.信息读取方式CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配
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CCD CMOS
- CMOS相比CCD有一些明显的优势，最大优势就是成本，还有就是采样速度以及当前很多产品都比较看重的功耗。1、首先我们来说说CMOS相对CCD传感器的最大优势，那就是成本。生产单位数量的CMOS的成本却要比CCD容易很多，因
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CMOS CCD
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