1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】，则确定的静态工作点约为VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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CMOS 电路
这一年来半导体最热门的新闻，大概就属FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?为什么让这么多国际大厂趋之若骛呢?
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FinFET ARM
鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本，满足车载装置、物联网和穿戴式装置发展需求，因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力，已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出，随着先进制程发展，该公司产品开发有两大重点方向，一是电晶体与导线技术，另一个是图形制作与检测技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示，从28奈米到20奈米，甚至发展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
简介：本文总结了TTL和CMOS电平的特点、使用方式等内容 。
1，TTL电平(什么是TTL电平)：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
特点：
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平范围比较大(5～15V)，TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高
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TTL CMOS
微机电(MEMS)/奈米技术/半导体晶圆接合暨微影技术设备厂商EVGroup(EVG)今日宣布，该公司全自动12吋(300mm)使用聚合物黏着剂的晶圆接合系统目前市场需求殷切，在过去12个月以来，EVG晶圆接合系列产品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等订单量增加了一倍，主要来自于晶圆代工厂以及总部设置于亚洲的半导体封测厂(OSAT)多台的订单;大部份订单需求的成长系受惠于先进封装应用挹注，制造端正加速生产CMOS影像感测器及结合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互连技术的垂直
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CMOS 3D-IC
CMOS影像传感器迎向新一波成长。市调机构IC Insights指出，继手机之后，汽车、医疗影像、安全监控、机器视觉等应用，将接棒成为驱动CMOS影像传感器市场成长的新动能。
2015年全球CMOS影像传感器出货量与销售额预估将分别创下三十七亿颗和101亿美元新高纪录，并可望于2019年达到六十亿颗及150亿美元的规模。
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CMOS 传感器
这视频介绍PYTHON 5000 CMOS图像传感器的特性。 新的PYTHON 2000 和 PYTHON 5000，分辨率分别为230万像素和530万像素，解决通用工业图像传感应用的需求，如机器视觉、检查及运动监控，以及安防、监控和智能交通系统(ITS)
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Python CMOS
全球领先的高性能模拟IC和传感器供应商ams晶圆代工业务部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光电子IC晶圆制造平台，帮助芯片设计者实现更高灵敏度、精确度以及更好的光滤波器性能。
该平台是ams“More than Silicon”计划中的另一项拓展，通过该平台ams可以提供一系列技术模块、知识产权、元件库、工程咨询及服务，利用其专业技术帮助客户顺利开发先进的模拟和混合信号电路。
ams专有的光电子晶圆代工平台基于先进的0.35µm CMOS
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ams CMOS
日本调查公司Techno Systems Research Co. Ltd发布了CCM行业的研究报告，在该份报告中，全球CMOS芯片的市场占比和排名情况。
从上图可以看出：
Sony(索尼)：2014年下半年占23%，2015年上半年占比为28%，销量上升强劲，稳居全球CMOS市场销售之龙头;近日，索尼公布第2季度图像传感器收入暴增61.7%，达1260亿日元。索尼预计全年达到5800亿日元，几乎是第二名的3倍。索尼在CMOS市场上走强，得益于它在高像素领域的技
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索尼 CMOS
领先的高性能模拟IC和传感器供应商ams(艾迈斯)近日宣布收购恩智浦半导体公司CMOS传感器业务。收购完成后，恩智浦公司旗下先进的CMOS集成传感器产品将全部纳入ams旗下，有效拓展ams环境传感器产品线。CMOS集成传感器可在单一传感器装置内同时测量相对湿度、压力和温度等多种环境参数。
ams市场营销和策略执行副总裁Thomas Riener表示：“环境传感器可通过监测气味、压力和温度等信息模拟人体行为，提高人类对周边环境的敏感度。通过使用电子设备获取这些信息后，我们可以主动高效地
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ams CMOS
全球领先芯片制造商目前都在做着向10纳米制程过渡的准备。同时，7纳米甚至5纳米工艺制程也引起业界的强力关注。
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7纳米 CMOS
联华电子今(20)日宣布，用于AMD旗舰级绘图卡Radeon™ R9 Fury X的联华电子硅穿孔 (TSV) 技术，已经进入量产阶段，此产品属于AMD近期上市的Radeon™ R 300 绘图卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了联华电子TSV 製程以及晶粒堆叠技术，在硅中介层上融合
连结 AMD提供的HBM DRAM高频宽记忆体及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超强记忆体频宽，及远超出现今GDDR5业界标准达4倍的每瓦性能
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联华电子 CMOS
这么多年，新工艺一直是AMD的痛点。早年自己生产进展跟不上，现在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，台积电都跑去抱苹果的大腿了，导致其CPU还是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。
不过在昨日的财务会议上，AMDCEOLisaSu兴奋地透露，其首批两款基于FinFET新工艺的芯片已经完成了流片，进展顺利，接下来就可以去投产了。
她并没有说具体是哪两款产品(估计会是新架构ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是谁，台积电16nm、GF14nm都有
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AMD FinFET
自去年国家集成电路产业投资基金(以下简称大基金)成立，至今已募集资金1300多亿元，提前并超额完成了基金的募集任务。正是因为“手握重金”，坊间对于大基金的传言不绝于耳。更有业者担心大基金的投资会不会遍地开花，甚至会毁了中国整个集成电路产业。据最接近大基金的业内资深人士透露，这个担心是多余的，大基金的“国家战略+市场化运营”的机制以及股权投资基金业的游戏规则决定了它不会这么干!
市场上的私募股权投资基金不胜枚举，大基金之所以吸引眼球，无非是它有了
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集成电路 FinFET
美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
cmos finfet介绍
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