- 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
- 关键字：
TTL CMOS
- 欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合III-V族奈米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS)上整合III-V族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。
除了IBM (瑞士)，该计划将由德国弗劳恩霍夫应用固态物理研究所Fraunhofer IAF、法国LETI、瑞典隆德大学(Lund Universi
- 关键字：
5G CMOS
- 半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术(FP)，这已引起全球业界的关注。
而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界
- 关键字：
5纳米 finFET
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，进一步扩展成像方案产品阵容，推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术，提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通过采用其片上PDAF处理，大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力，较市场上其它
- 关键字：
安森美 CMOS
-
应用材料集团副总裁暨台湾区总裁余定陆认为，在3D NAND和10奈米技术带动下，今年晶圆代工资本支出有望回升。 应 用材料集团副总裁暨台湾区总裁与全球半导体业务服务群跨区域总经理余定陆表示，2015年看到这四年以来晶圆代工的资本支出进入谷底，预估今年投资水位有 望提升，而大部分支出将发生在下半年，其中有五成以上将集中于10奈米技术;对晶圆代工来说，10奈米不同于16奈米，最显着变化在于鳍式场效电晶体 (FinFET)
- 关键字：
晶圆 FinFET
- 在正在举行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美国旧金山)上，与积层CMOS图像传感器的3D(三维)化相关的发表接连不断。在有9项演讲的“SESSION6 Image Sensors”论坛上，有3项演讲是与CMOS图像传感器的3D化有关的。以前业界就在做3D化尝试，而此次的3项技术除了比原来具有更强的低成本和低功耗意识之外，还在3D化中轻松实现了“模块化”。
通过模块化手段
- 关键字：
CMOS 传感器
- 在英特尔(Intel)负责晶圆厂业务的最高长官表示，摩尔定律(Moore’s Law)有很长的寿命，但如果采用纯粹的CMOS制程技术就可能不是如此。
“如 果我们能专注于降低每电晶体成本，摩尔定律的经济学是合理的;”英特尔技术与制造事业群(technology and manufacturing group)总经理William Holt，在近日于美国旧金山举行的年度固态电路会议(ISSCC)上对近3,000名与会者表示：“而超越CMOS，我们将看
- 关键字：
摩尔定律 CMOS
- 美国 CMOS 图像感测器大厂豪威(OmniVision)28 日宣布与中国清芯华创为首的投资基金完成收购，从清芯华创等提出收购邀约到完成并购历时长达两年，而在消息公布同时，豪威也于 28 日暂停在那斯达克证券市场的交易。
豪威 28 日宣布，与中国清芯华创、中信资本与其旗下的金石投资所组成的投资基金完成收购，豪威以每股 29.75 美元、总计 19 亿美元代价授予中国该基金，并于 28 日起于那斯达克证券市场暂停交易。据悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到来自清
- 关键字：
OmniVision CMOS
- 随着数字电路向高集成度、高性能、高速度、低工作电压、低功耗等方向发展，数字电路中的△I噪声正逐步成为数字系统的主要噪声源之一，因此研究△I噪声的产生过程与基本特点，对认识△I噪声特性进而抑制△I噪声具有实际意义。 反相器是数字设计的核心。本文从反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪声的产生过程与基本特点。 1 △I噪声的产生 1.1 TTL中△I噪声的产生 TTL反相器的基本电路如图1所示。在稳定状态下，输出Vo分别为高电平VOH和低电平VOL时，电源提供的电流IH和I
- 关键字：
TTL CMOS
- 一直在先进制程晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的订单?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技术的商业化量产逻辑制程。
香港Maybank Kim Eng分析师Warren Lau表示，高通在两年前约贡献所有台积电订单的近两成，到2017年之后会将大多数10/14奈米订单转往三星：“三星会是未来高通14奈米晶片与数据
- 关键字：
三星 FinFET
- 尽管GPU(绘图处理器)市场剩下AMD与NVIDIA两大供应商，但在先进技术的投入上，仍然没有手软过。
AMD的GPU主力产品Radeon系列，在去年推出导入HBM(高频宽记忆体)技术后，引来市场关注。AMD又在今天发布Radeon新一代的产品Polaris架构，采用14奈米FinFET制程，目前已经送样给主要的OEM客户，预计在今年年中进入量产时程，该产品适用于笔记型电脑、VR(虚拟实境)与桌上型电脑等领域。
据AMD资深副总裁Raja Koduri公开表示，Polaris架构有别于过往
- 关键字：
AMD FinFET
- 汽车行业(汽车电子、车联网)已经成为科技和互联网巨头纷纷布局的下一个热门领域，其中苹果也跟进谷歌(微博)，开始研发电动车。而在日前，日本索尼公司也对架构进行了重组，设立了独立的汽车业务部门，拟开发车用CMOS图像传感器的市场。
据“今日日本”网站12月28日报道，索尼日前对外公布了公司架构的重组事宜以及人事变化，架构调整将会从2016年1月1日生效。
索尼宣布，在“设备解决方案业务集团”下，新设立三个部门，“汽车业务”
- 关键字：
索尼 CMOS
- 索尼公布了将于2016年1月1日实施的人事及机构改革方案。在机构改革方案中，引人注目的是在器件解决方案事业本部中新设了3个组织。
新设的三个组织分别是车载事业部、模块事业部、商品开发部。虽然详情未公布，不过可以看出此举目的是强化图像传感器业务等。最近，索尼从东芝手中接收了用于生产CMOS图像传感器的300mm晶圆生产线和员工。
在智能手机及数码相机等使用的CMOS图像传感器方面，索尼占有绝对优势。而在车载摄像头使用的图像传感器方面，美国安森美半导体表示自己份额第一，“索尼并不是
- 关键字：
索尼 CMOS
- 索尼公布了将于2016年1月1日实施的人事及机构改革方案。在机构改革方案中，引人注目的是在器件解决方案事业本部中新设了3个组织。 新设的三个组织分别是车载事业部、模块事业部、商品开发部。虽然详情未公布，不过可以看出此举目的是强化图像传感器业务等。最近，索尼从东芝手中接收了用于生产CMOS图像传感器的300mm晶圆生产线和员工(参阅本站报道)。 在智能手机及数码相机等使用的CMOS图像传感器方面，索尼占有绝对优势。而在车载摄像头使用的图像传感器方面，美国安森美半导体表示自己份额第一，“索尼并不是第一
- 关键字：
索尼 CMOS
- 由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多其它的原因相关。 CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱的栅极进行ESD和EOS保护。这些附加的电路是输入偏置电流的主要来源。这些保护电路一般都通过在电源轨之间接入钳位二极管来实现。图1a中的OPA320就是一个例子。这些二极管会存在大约几皮安的漏电流。当输入电压大约达到电源轨中间值的时候，漏电流匹配的相当好，仅仅会存在小于1皮安的残余误差电流
- 关键字：
CMOS JFET
cmos finfet介绍
您好，目前还没有人创建词条cmos finfet!
欢迎您创建该词条，阐述对cmos finfet的理解，并与今后在此搜索cmos finfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
