- 随着数字电路向高集成度、高性能、高速度、低工作电压、低功耗等方向发展，数字电路中的△I噪声正逐步成为数字系统的主要噪声源之一，因此研究△I噪声的产生过程与基本特点，对认识△I噪声特性进而抑制△I噪声具有实际意义。 反相器是数字设计的核心。本文从反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪声的产生过程与基本特点。 1 △I噪声的产生 1.1 TTL中△I噪声的产生 TTL反相器的基本电路如图1所示。在稳定状态下，输出Vo分别为高电平VOH和低电平VOL时，电源提供的电流IH和I
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TTL CMOS
- 一直在先进制程晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的订单?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技术的商业化量产逻辑制程。
香港Maybank Kim Eng分析师Warren Lau表示，高通在两年前约贡献所有台积电订单的近两成，到2017年之后会将大多数10/14奈米订单转往三星：“三星会是未来高通14奈米晶片与数据
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三星 FinFET
- 尽管GPU(绘图处理器)市场剩下AMD与NVIDIA两大供应商，但在先进技术的投入上，仍然没有手软过。
AMD的GPU主力产品Radeon系列，在去年推出导入HBM(高频宽记忆体)技术后，引来市场关注。AMD又在今天发布Radeon新一代的产品Polaris架构，采用14奈米FinFET制程，目前已经送样给主要的OEM客户，预计在今年年中进入量产时程，该产品适用于笔记型电脑、VR(虚拟实境)与桌上型电脑等领域。
据AMD资深副总裁Raja Koduri公开表示，Polaris架构有别于过往
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AMD FinFET
- 汽车行业(汽车电子、车联网)已经成为科技和互联网巨头纷纷布局的下一个热门领域，其中苹果也跟进谷歌(微博)，开始研发电动车。而在日前，日本索尼公司也对架构进行了重组，设立了独立的汽车业务部门，拟开发车用CMOS图像传感器的市场。
据“今日日本”网站12月28日报道，索尼日前对外公布了公司架构的重组事宜以及人事变化，架构调整将会从2016年1月1日生效。
索尼宣布，在“设备解决方案业务集团”下，新设立三个部门，“汽车业务”
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索尼 CMOS
- 索尼公布了将于2016年1月1日实施的人事及机构改革方案。在机构改革方案中，引人注目的是在器件解决方案事业本部中新设了3个组织。
新设的三个组织分别是车载事业部、模块事业部、商品开发部。虽然详情未公布，不过可以看出此举目的是强化图像传感器业务等。最近，索尼从东芝手中接收了用于生产CMOS图像传感器的300mm晶圆生产线和员工。
在智能手机及数码相机等使用的CMOS图像传感器方面，索尼占有绝对优势。而在车载摄像头使用的图像传感器方面，美国安森美半导体表示自己份额第一，“索尼并不是
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索尼 CMOS
- 索尼公布了将于2016年1月1日实施的人事及机构改革方案。在机构改革方案中，引人注目的是在器件解决方案事业本部中新设了3个组织。 新设的三个组织分别是车载事业部、模块事业部、商品开发部。虽然详情未公布，不过可以看出此举目的是强化图像传感器业务等。最近，索尼从东芝手中接收了用于生产CMOS图像传感器的300mm晶圆生产线和员工(参阅本站报道)。 在智能手机及数码相机等使用的CMOS图像传感器方面，索尼占有绝对优势。而在车载摄像头使用的图像传感器方面，美国安森美半导体表示自己份额第一，“索尼并不是第一
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索尼 CMOS
- 由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多其它的原因相关。 CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱的栅极进行ESD和EOS保护。这些附加的电路是输入偏置电流的主要来源。这些保护电路一般都通过在电源轨之间接入钳位二极管来实现。图1a中的OPA320就是一个例子。这些二极管会存在大约几皮安的漏电流。当输入电压大约达到电源轨中间值的时候，漏电流匹配的相当好，仅仅会存在小于1皮安的残余误差电流
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CMOS JFET
- ADC10065是NS(National Semiconductor)公司推出的一款高速低功耗A/D转换器，它的转换速率可达65MSPS，标称功耗仅为68.4mW，且保证不失码。文中介绍了该芯片的主要参数、工作原理和引脚功能，给出了ADC10065的简单应用电路。 1ADC10065的主要特点 ADC10065是美国国家半导体公司推出的一款低功耗、单电源供电的CMOS 模数转换器。该芯片在3V单电源供电时，能以65MSPS的采样速率将模拟信号转为精确的10 位数字信号，而功耗仅为68.4mW，其备
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CMOS ADC10065
- 集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时，除了认真阅读产品说明或有关资料，了解其引脚分布及极限参数外，还应注意以下几个问题。 1、电源问题 (1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时，最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽，故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正
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CMOS，集成电路
- 上周五，德科码“CMOS图像传感器芯片(CIS)产业园”项目正式落户南京开发区。该项目总投资约25亿美元，建成后将填补中国CIS产业的空白，主导中国的CIS市场。 图像传感器是数字摄像头的重要组成部分。根据元件不同，可分为CCD(电荷耦合元件)和CMOS(金属氧化物半导体元件)两大类。相机和智能手机的拍照 功能离不开图像传感器芯片，市场很大。但CIS所属的集成电路产业是内地的薄弱产业，芯片目前已超过石油，成为我国第一大进口商品。 “中国必须拥有自己的CIS设计、生产和自主品牌。”香港德科码科技有限
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CMOS CCD
- 2015年11月27日，全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)2015年度技术论坛，继9月23日首场在深圳获得热烈反响后，于今日在北京丽亭华苑酒店再度拉开帷幕。来自北京、长三角、西部地区的150多位IC设计精英、知名合作伙伴、行业分析师和媒体朋友齐聚一堂，就产业趋势和市场热点进行了深入交流，并分享了华虹宏力新的技术成果。 公司执行副总裁范恒先生和执行副总裁孔蔚然博士等公司高层亲临论坛现场，与参会嘉宾互动交流。同时公司派出了阵容
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华虹 RF-CMOS
- 长久以来，我国用于高端光学成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召开的第十七届中国国际高新技术成果交易会(高交会)上，由我国研发的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS传感器GMAX3005正式亮相。其以1.5亿像素的超高分辨率，打破了我国一直以来都不具备高分辨率和高灵敏度CMOS图像传感器研发能力的窘境。
图像传感器可以将光信号转化为电信号，是所有成像设备中的核心关键器件。其光电参数直接决定了成像设备的成像质量。今天亮相的GMAX3005拥有着1.5亿像素的超高分辨率，成像速
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CMOS 图像传感器
- 本文讲述运放的参数和选择方面的知识，希望对有需要的读者有帮助。
偏置电压和输入偏置电流
在精密电路设计中，偏置电压是一个关键因素。对于那些经常被忽视的参数，诸如随温度而变化的偏置电压漂移和电压噪声等，也必须测定。精确的放大器要求偏置电压的漂移小于200μV和输入电压噪声低于6nV/√Hz。随温度变化的偏置电压漂移要求小于1μV/℃ 。
低偏置电压的指标在高增益电路设计中很重要，因为偏置电压经过放大可能引起大电压输出，并会占据输出摆幅的一大部分。温度感应和张力测
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运放 CMOS
- 东芝于2015年10月28日正式发布了半导体业务结构改革相关事宜。改革方针有以下几点。
第一，退出CMOS图像传感器业务。将把生产该产品的大分工厂的300mm晶圆生产线及相关资产转让给索尼。完成转让后，该工厂将成为索尼全资子公司——索尼半导体(SCK)的生产基地之一，主要用于生产CMOS图像传感器。
另外，利用300mm晶圆生产线生产的CMOS图像传感器以外的半导体产品将委托SCK生产。随着300mm晶圆生产线转让，与之相关的东芝及其相关公司的员工(大约1100人)
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东芝 CMOS
- DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FinFET
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