处理连续性的光、声音、速度、温度等自然模拟信号的IC被称为模拟IC。模拟IC处理的这些信号都具有连续性，可以转换为正弦波研究。而数字IC处理的是非连续性信号，都是脉冲方波。 模拟IC按技术类型来分有只处理模拟信号的线性IC和同时处理模拟与数字信号的混合IC。模拟IC按应用来分可分为标准型模拟IC和特殊应用型模拟 IC。标准型模拟IC包括放大器(Amplifier)、电压调节与参考对比(VoltageRegulator/Reference)、信号界面(Interface)、数据转换(Data
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模拟IC CMOS
身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本篇文章介绍了在逻辑IC中CMOS和TTL出现多余输入端的解决方法，并且对每种情况进行了较为详细的说明，希望大家能从本文得到有用的知识，解决输入端多余的问题。 CMOS门电路 CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法： 与门和与非门电路 由
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CMOS TTL
D类放大器首次提出于1958年，近些年已逐渐流行起来。那么，什么是D类放大器?它们与其它类型的放大器相比如何? 为什么D类放大器对于音频应用很有意义?设计一个“优质”D类音频放大器需要考虑哪些因素? 本文中试图回答上述所有问题。 音频放大器背景 音频放大器的目的是以要求的音量和功率水平在发声输出元件上重新产生真实、高效和低失真的输入音频信号。音频频率范围约为20 Hz～20 kHz，因此放大器必须在此频率范围内具有良好的频率响应(当驱动频带有限的扬声器时频率
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D类放大器 CMOS
在工业应用的成像系统中，CCD是采用定制的半导体工艺生产，高度优化于成像应用，并需要外部电路将模拟输出电压转换为数字信号用于后续处理。具有高效的电子快门能力、宽动态范围和出色的图像均匀性。而CMOS图像传感器不像CCD将电荷传送到有限的输出端，而是放置晶体管在每一像素内，来进行电荷——电压转换。这令电压在整个器件中传输，使更快和更灵活的图像读取成为可能。
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成像系统 图像传感器 CCD CMOS 201604
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的。COMS集成电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，下面来说一下两者的区别。 什么是TTL电平 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制
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TTL CMOS
整合光子与电子元件的半导体微芯片可加快资料传输速度、增进效能并减少功耗，但受到制程方面的限制，一直无法广泛应用。自然(Nature)杂志刊登一篇由美国加州大学柏克莱分校、科罗拉多大学和麻省理工学院研究人员发表的论文，表示已成功利用现有CMOS标准技术，制作出一颗整合光子与电子元件的单芯片。
据HPC Wire网站报导，这颗整合7，000万个电晶体和850个光子元件的芯片，采用商业化的45纳米SOI CMOS制程制作，与现有的设计和电子设计工具均相容，因此可以大量生产。芯片内建的光电发射器和接收器
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芯片 CMOS
ARM和台积电宣布签订针对7纳米 FinFET工艺技术的长期战略合作协议，涵盖了未来低功耗，高性能计算SoC的设计方案。该合作协议进一步扩展了双方的长期合作关系，并将领先的工艺技术从移动手机延伸至下一代网络和数据中心。此外，该协议还拓展了此前基于ARM® Artisan® 基础物理IP 的16纳米和10纳米 FinFET工艺技术合作。 ARM全球执行副总裁兼产品事业群总裁
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ARM FinFET
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时，除了认真阅读产品说明或有关资料，了解其引脚分布及极限参数外，还应注意以下几个问题。 1、电源问题 (1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时，最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽，故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正
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CMOS 集成电路
三星(Samsung)即将量产用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，这项消息持续引发一些产业媒体的关注。三星第二代14nm LPP制程为目前用于其Exynos 7 SoC与苹果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了进一步的更新。
业界目前共有三座代工厂有能力制造这种鳍式场效电晶体(FinFET)：英特尔(Intel)、三星 和台积电(TSMC)。TechInsights曾经在去年
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三星 FinFET
一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
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TTL CMOS
欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合III-V族奈米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS)上整合III-V族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。
除了IBM (瑞士)，该计划将由德国弗劳恩霍夫应用固态物理研究所Fraunhofer IAF、法国LETI、瑞典隆德大学(Lund Universi
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5G CMOS
半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术(FP)，这已引起全球业界的关注。
而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界
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5纳米 finFET
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，进一步扩展成像方案产品阵容，推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术，提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通过采用其片上PDAF处理，大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力，较市场上其它
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安森美 CMOS
cmos finfet介绍
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