- 图像传感器*概述图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。CCD
- 关键字：
图象传感器 CCD CMOS
- 1.前言
过去的几十年，业界围绕CMOS架构视觉传感器理论进行了大量广泛的研究和探讨，旨在于在成像早期阶段处理图像，从场景中提取最重要的特征，如果换作其它方式达到同样目的，例如，使用普通计算技术，则需要为此花费昂贵的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在这个方面，运动侦测是最重要的图像特征之一，是多个复杂视觉任务的基础。本文重点介绍时间对比概念，这个概念在很多应用中特别重要，包括交通监控、人体运动拍照和视频监视[2], [4], [5], [7]。这些应用要求图像侦测精确并可靠，
- 关键字：
传感器 CMOS
- 本文主要讲了一下关于TTL电平、CMOS电平、RS232通信电平的概念及区别，希望对你的学习有所帮助。
电平的概念：
什么是电压、电流、电功率?无线电爱好者都十分清楚。而谈及“电平”能说清楚的人却不多。尽管人们经常遇到，书刊中亦多次谈起电路中的高电平、低电平、电平增益、电平衰减，就连电工必备的万用表上都有专测电平的方法和刻线，而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字样也常常可见。尽管如此，
- 关键字：
TTL CMOS
- 在很多场合，由于客观条件限制，人们不可能进入现场进行直接观察，只能用适应性更强的电子图像设备来代替完成，在此背景下发展起来的图像技术成为人们关注的热点应用技术之一，它以直观、信息内容丰富而被广泛应用于许多场合。在物联网系统中实现图像采集，必须要考虑物联网的以下特点：
(1)物联网节点对价格敏感。
物联网是信息传感技术的大规模应用，传感节点数目成百上千，若每个节点的成本提高一点，整个物联网系统的成本就会提高很多。所以传感节点图像采集的成本应尽量低。
(2)大部分物联网应用对图像质量要求
- 关键字：
单片机 CMOS
- 要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…
尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能继Globalfoundries宣布12奈米计画(参考阅读)之后快速成长;而市 场研究机构International Business Strategies (IBS)资深分析师Handel Jones表示，三星(Samsung)或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用FD
- 关键字：
制程 FinFET
- 美国麻省理工学院(MIT)日前开发出比目前市面上光达(LiDAR)更轻薄与低成本的光达系统，而且由于不采用运动机件将更为耐用，其非机械式光束操控速度更比目前机械光达系统快上1,000倍。另外，其优点之一是可利用现有CMOS设备量产。
据IEEESpectrum报导，光达是利用雷射光进行感测的技术，虽类似雷达但却可获得更高解析度，因为光线波长比无线电波长小10万倍。光达系统借由测量在3D空间内的每一个画素离发光元件的距离以及画素方向来形成全3D世界模型。
光达系统基本操作方式是传输光束并测量
- 关键字：
MIT CMOS
- 美国麻省理工学院(MIT)日前开发出比目前市面上光达(LiDAR)更轻薄与低成本的光达系统，而且由于不采用运动机件将更为耐用，其非机械式光束操控速度更比目前机械光达系统快上1,000倍。另外，其优点之一是可利用现有CMOS设备量产。
据IEEE Spectrum报导，光达是利用雷射光进行感测的技术，虽类似雷达但却可获得更高解析度，因为光线波长比无线电波长小10万倍。光达系统借由测量在3D空间内的每一个画素离发光元件的距离以及画素方向来形成全3D世界模型。
光达系统基本操作方式是传输光束并测
- 关键字：
MIT CMOS
- 每天新产品 时刻新体验一站式电子数码采购中心专业PCB打样工厂，24小时加
- 关键字：
ROM PCB CMOS
- 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout)，目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台
- 关键字：
Synopsys FinFET
- 随着半导体工艺技术的进步与智能手机对极致效能的需求加剧，移动处理器的工艺制程正在迈向新的高度。目前，全球领先的晶圆代工厂商已经将工艺制程迈向10纳米FinFET工艺，16/14纳米节点的SoC也已实现量产，那么半导体技术节点以摩尔定律的速度高速发展至今，移动处理器的工艺制程向前演进又存在哪些挑战?同时，进入20纳米技术节点之后传统的CMOS工艺式微，这将给FinFET与FD-SOI工艺在技术与应用上带来怎样的发展变革?
5纳米节点是目前技术极限 摩尔定律被修正意义仍在
- 关键字：
处理器 FinFET
- 1，TTL电平(什么是TTL电平)：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4v。在室温下，一般输出高电平是3.5v，输出低电平是0.2v。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8v，噪声容限是0.4v。< p="">
特点：
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平范围比较大(5～15V)，TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗
- 关键字：
TTL CMOS
- 本文主要介绍了一下关于TTL电平、CMOS电平、RS232电平的知识要点，希望对你的学习有所帮助。
一、TTL电平：
TTL 电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL 电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的
- 关键字：
TTL CMOS
- 台积电7月14日首度揭露最先进的5纳米FinFET(鳍式场效电晶体)技术蓝图。台积电规划，5纳米FinFET于2020年到位，开始对外提供代工服务，是全球首家揭露5纳米代工时程的晶圆代工厂。
台积电透露，配合客户明年导入10纳米制程量产，台积电明年也将推出第二代后段整合型扇形封装(InFO)服务。台积电强化InFO布局，是否会威胁日月光、矽品等专业封测厂，业界关注。
台积电在晶圆代工领域技术领先，是公司维持高获利的最大动能，昨天的新闻发布会上，先进制程布局，成为法人另一个关注焦点。
- 关键字：
台积电 FinFET
- 一、CMOS门电路
CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法：
1、与门和与非门电路：由于与门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就为低电平，只有全部为高电平时，输出端才为高电平。而与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平
- 关键字：
CMOS TTL
- CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作？
一、CMOS门电路
CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法：
1、与门和与非门电路：由于与门电路的逻辑功能
- 关键字：
CMOS TTL
cmos finfet介绍
您好，目前还没有人创建词条cmos finfet!
欢迎您创建该词条，阐述对cmos finfet的理解，并与今后在此搜索cmos finfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
