- 台积电昨(12)日宣布,完成16纳米主流制程FinFET+(鳍式场效晶体管强化版)全球首颗网通芯片及手机应用处理器试产,预定本月完成所有可靠性试验,明年7月正式量产。
这是台积电拓展先进制程一大里程碑。业界认为,正值三星再度与台积电争夺苹果下世代A9处理器订单之际,台积电16纳米FinFET+技术到位后,将进一步拉大与三星差距,对台积电而言,A9订单「有如探囊取物」,最快明年夏天开始投产A9芯片。
台积电昨天不对单一客户导入16纳米制程状况置评,强调明年底前,估计将完成近60件产品设计定案
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台积电 FinFET+
- 是德科技公司日前宣布赞助台湾大学(NTU)高速射频与毫米波技术中心的 B4G MIMO 实验室。是德科技同时参加了揭牌仪式后举行的 B4G/5G 技术论坛。B4G MIMO 实验室是台湾大学高速射频与毫米波技术中心实施的项目之一,旨在开发未来 4G 和 5G 移动通信系统的关键元器件。
5G 正在逐步成为满足移动互联网使用需求的核心技术,为此台湾当局主管部门鼓励学术界开发未来技术,并号召台湾大学这所知名学府:1. 建立高速射频和毫米波技术中心,2. 研究先进技术,3. 进一步推动当地产业发展。是
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是德科技 B4G CMOS
- 中国大陆并不以台湾为假想敌,但是,国内的实力是实实在在的,无论从制程、还是手机芯片方面,台湾都感受到了压力......
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半导体 集成电路 CMOS
- 行动装置如智慧型手机、平板电脑等应用领域,对于半导体晶片的需求走到超低功耗,制程技术从28奈米制程,到20奈米制程,将于2015年进入第一代3D设计架构的FinFET制程,也就是14/16奈米世代。
台积电2015年下半即将量产16奈米世代,英特尔、三星电子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries将是14奈米制程世代,英特尔早一些量产,之后是三星,GlobalFoundries制程技术将属于三星阵营。
台积电因为为大客户苹果生产20奈米制程晶片,因此16奈
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16纳米 FinFET
- 7.1.3 虹膜外边缘的确定
(1) 虹膜外边缘的特征分析
由图1中所示的虹膜图像可以看出,虹膜外边缘的主要特点是:较相对与虹膜内边缘而言,边缘处灰度变化不是特别明显,有一小段渐变的区域。也就是说,虹膜内部灰度趋近于一致这个事实,在参考文献[8]中,介绍的环量积分算子应该式是一种有效的方法。
即:
(7-10)
(2) 采用环量积分算子实现虹膜外边缘的检测
如上分析,虹膜环量积分算子是检测虹膜外边缘的一种有效手段,为了克服虹膜纹理对环量线
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FPGA 虹膜识别 CMOS
- 项目信息
1.项目名称:基于FPGA的混沌加密虹膜识别系统设计
2.应用领域:工业控制、科研、医疗、安检
3.设计摘要:
基于虹膜的生物识别技术是一种最新的识别技术,通过一定的虹膜识别算法,可以达到十分优异的准确性。随着虹膜识别技术的发展,它的应用领域越来越宽,不仅在高度机密场所应用,并逐步推广到机场、银行、金融、公安、出入境口岸、安全、网络、电子商务等场合。在研究了虹膜识别算法,即预处理、特征提取和匹配的基础上,我们设计了一种可便携使用的基于FPGA的嵌入式虹膜识别系统。本系
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FPGA 虹膜识别 CMOS
- 1 引 言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展, CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
2 ESD保护原理
ESD保护电路的设计目的就是要避免工作电路成为ESD的放电通路
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CMOS ESD MOS
- 1引言
在当今自动化领域,网络结构已经被广泛地应用于各行各业的工业环境中,它是构成各类控制系统的基础,其性能直接影响着系统整体的综合指标,不同的网络种类形式如:串口通讯、现场总线、以太网等已在各类场合获得了验证和发展,但随着近年来it技术的迅猛发展,这种格局正在发生着巨大的变化,特别是以太网技术正由商业向工业、上层向低层、低速向高速、非实时向实时、封闭向透明、层次化向扁平化等方面全面发展和延伸,并融合了各类现场总线的技术和协议,再加上低成本的刺激和速度的提高因素,全球各自动化巨头厂商也不断推出&
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西门子 以太网 cmos
- “合抱之木,生于毫末;九层之台,起于垒土;千里之行,始于足下。” 老子《道德经》
对于新手来说,如何上手调试FPGA是关键的一步。
对于每一个新设计的FPGA板卡,也需要从零开始调试。
那么如何开始调试?
下面介绍一种简易的调试方法。
(1) 至少设定一个输入时钟 input sys_clk;
(2) 设定输出 output [N-1:0] led;
(3)设定32位计数器 reg [31:0] led_cnt;
(4) 时钟驱动
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FPGA JTAG CMOS
- 日前,德州仪器(TI)宣布其内部组装点的铜线键合技术产品出货量已超过220亿件,目前正在为汽车和工业等高可靠性应用进行批量生产。TI现有的模拟和CMOS硅芯片技术节点大多数已用铜线标准来限定,且所有新技术和封装都在用铜线键合法来开发。铜线能提供与金线同等或更佳的可制造性,同时还具有可靠的质量并可节约成本。此外,铜线还能提供比金线高40%的导电性,从而可以用TI的多种模拟和嵌入式处理部件提升用户的整体产品性能。
“TI已率先开发出铜线键合法,该产品可适用于广泛的产品和技术中,并可在多家
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德州仪器 CMOS TSSOP
- 网络摄像机是传统摄像机与网络视频技术相结合的新一代产品,除了具备一般传统摄像机所有的图像捕捉功能外,机内还内置了数字化压缩控制器和基于WEB的操作系统,使得视频数据经压缩加密后,通过局域网,Internet或无线网络送至终端用户。网络摄像机的应用,使得图像监控技术有了一个质的飞跃。第一,网络的综合布线代替了传统的视频模拟布线,实现了真正的三网(音频、视频、数据)合一,网络摄像机即插即用,工程实施简便,系统扩充方便;第二,跨区域远程监控成为可能,特别是利用互联网,图像监控已经没有距离限制,而且图像清晰,
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网络摄像机 CMOS CCD
- 全球知名的电子设计创新领导者Cadence设计系统公司今日宣布其丰富的IP组合与数字和定制/模拟设计工具可支持台积电全新的超低功耗(ULP)技术平台。该ULP平台涵盖了提供多种省电方式的多个工艺节点,以利于最新的移动和消费电子产品的低功耗需求。
为加速台积电超低功耗平台的技术发展,Cadence将包括存储器、接口及模拟功能的设计IP迁移到此平台。使用Cadence TensilicaÒ数据平面处理器,客户可以从超低功耗平台受益于各种低功耗DSP应用,包括影像、永远在线的语音、面部识
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Cadence 台积电 FinFET
- 全球知名的电子设计创新领导者Cadence设计系统公司今日宣布为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合。 Cadence所提供的丰富IP组合能使系统和芯片公司在16纳米FF+的先进制程上相比于16纳米FF工艺,获得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗节约。
目前在开发16 FF+工艺的过程中,Cadence的IP产品组合包括了在开发先进制程系统单芯片中所需的多种高速协议,其中包括关键的内存、存储和高速互联标准。IP将在2014年第四季度初通过测试芯片测试。有关IP
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Cadence 台积电 FinFET
- 全球知名电子设计创新领先公司Cadence设计系统公司今日宣布,其数字和定制/模拟分析工具已通过台积电公司16FF+制程的V0.9设计参考手册(Design Rule Manual,DRM) 与SPICE认证,相比于原16纳米FinFET制程,可以使系统和芯片公司通过此新工艺在同等功耗下获得15%的速度提升、或者在同等速度下省电30%。目前16FF+ V1.0认证正在进行中,计划于2014年11月实现。Cadence也和台积电合作实施了16FF+ 制程定制设计参考流程的多处改进。此外,Cadence也
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Cadence 台积电 FinFET
- 全球知名电子设计创新领先公司Cadence设计系统公司,今日宣布台积电采用了Cadence®16纳米FinFET单元库特性分析解决方案。由Cadence和台积电共同研发的单元库分析工具设置已在台积电网站上线,台积电客户可以直接下载。该设置是以Cadence Virtuoso® Liberate® 特性分析解決方案和Spectre® 电路模拟器为基础,并涵盖了台积电标准单元的环境设置和样品模板。
利用本地的Spectre API整合方案,Liberate和Spect
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Cadence 台积电 FinFET
cmos finfet介绍
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