设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术，在1.8V电压供电下，该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。
目前，全球无线通信系统正处于快速发展进程中，无线通信“行业专网”系统也正处于飞速发展的黄金时期。我国无线通信行业专网所用频点和带宽种类繁多，其频率 主要集中在0.1-1.2GHz。各专网使用不同的频点、射频带宽和信号带宽，标
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CMOS 射频无线收发芯片 RFID
东京—东芝公司今天宣布，该公司已开发出一款采用标准CMOS技术制造的原型参考时钟振荡器，该振荡器达到了全球最高等级精确度。这款新设备用于代替传统的晶体振荡器，将为电子设备的微型化提供支持。
东芝将于6月13日在夏威夷檀香山举办的2014年超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示这项振荡器技术。
近年来，对于作为电子产品复杂功能来源的电子组件的微型化要求已经扩及振荡器，激发了对超小型振荡器的兴趣。
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东芝 CMOS 振荡器
应用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系统。作为业内领先的中电流离子注入设备，该系统专为2x纳米以下节点的FinFET和3D NAND制程而开发，具有超凡的控制能力，可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化，降低可变性，提高良率，是应用材料公司在精密材料工程领域的又一重大突破。
VIISta 900 3D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度，并且还能够出色的控制离子剂量和均匀性，从而帮助客户实现制程的可重复性，优化器件性
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VIISta 900 3D 2x纳米 FinFET
Needham & Co.半导体设备分析师Edwin Mok 27日针对晶圆代工领域提出了透彻分析，认为相关的半导体设备订单有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)订单却将递延一季。
barron`s.com报导，Mok发表研究报告指出，据了解晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries;GF)正在提高纽约州Malta厂的20奈米制程产能，而三星电子(Samsung)也正在逐渐增加Austin厂的设备，这似乎支持了近来传出的高通(Qualco
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FinFET 14纳米
英飞凌科技股份公司针对射频前端扩大高效集成电路解决方案产品组合，推出一款天线调谐专用开关。新款天线调谐开关(Aperture tuning)对提升4G智能手机和平板电脑的终端用户体验助益匪浅。该新产品从根本上优化天线特性，在相关的LTE频带上可让运行中的数据率达到最高水平。BGS1xGN10系列开关采用市面上最小封装，这对新一代智能手机和其他便携式设备等空间受限的应用而言至关重要。此外，该系列进一步降低电流消耗，延长此类设备的待机和工作时间。 采用英飞凌射频CMOS开关技术的天线调谐专用开关有利于开
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英飞凌 BGSA14GN10 CMOS
英飞凌科技股份公司近日宣布，其用于智能电话和平板电脑的射频开关的出货量已经突破10亿大关。这凸显了英飞凌作为发展速度最快的射频开关领先供应商之一的地位。预计，今后数年，随着新一代智能电话和平板电脑集成越来越多的LTE频段，射频开关需求将呈两位数增长。 随着4G/LTE手机可支持的工作频段和运行模式越来越多，其射频前端部件设计日益复杂、苛刻。除形形色色的频段或模式选择应用之外，天线开关也是射频前端至关重要的主要组件。这些天线开关要么可以选择连接至4G/LTE主用天线的发射(TX)/接收(RX)通道，要
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英飞凌 LTE CMOS
专注于为无线连接和蜂窝移动市场开发创新型下一代射频(RF)解决方案的领先无晶圆半导体公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，该公司用于无线局域网络(WLAN)应用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量产。 RFX241最新加入RFaxis瞄准快速增长的无线接入点(AP)、路由器(Router)、机顶盒(STB)、家庭网关(HGW)、热点(Hotspot)等无线基础设施市场的纯CMOS大功率CMOS PA产品系列。RFX241可与包括RTC6649E在内的目前市场上
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RFaxis RF CMOS
应用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化学气相沈积(CVD)系统加入独特的钴金属后，一举突破导线技术传统瓶颈，让“摩尔定律”持续向下进展到20纳米。此外，应材的EnduraVentura实体气相沈积(PVD)系统不但成功协助客户降低成本，更可制造出体积更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。
在强大技术创新突破的支持下，应用材料公司在营运方面也颇有斩获。应用材料公司台湾区总裁余定陆表示，拜半导体事业的蓬勃发展与应用材料公司不
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应用材料 FinFET
在地热生产和石油生产过程中温度通常会超过200℃，高于设备所用的传统微芯片一般能耐受的最高温度。德国弗劳恩霍夫微电子电路与系统研究所(IMS)的研究人员近日开发出一种新型的高温工艺，可以制造出超紧凑型微芯片，这种微芯片在高达300℃的温度下也能正常工作。
传统的CMOS芯片有时能耐受250℃的高温，但其性能与可靠性会迅速下降。还有一种方法是对热敏感的微芯片实施持续冷却，但是很难实现。此外，市场上也存在专门的高温芯片，但是尺寸过大(最小尺寸也达1微米)。
IMS开发的微芯片尺寸仅有0
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微芯片 CMOS
因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
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MOS CMOS
当平面工艺已经无法满足对于性能提升的需求时，3D架构是业界首先能想到的提升方式。
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CMOS 纳米
作为专注在WiFi、蓝牙、GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子今日宣布，公司GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的GPS
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卓胜微电子 CMOS
2014年5月5日，作为专注在WiFi，蓝牙，GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子宣布其GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的G
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GPSLNA 卓胜 RF CMOS
市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
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MRAM CMOS
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出先进的74AUP2G双门超低功率 CMOS微型逻辑器件系列，为低压和低功耗模式设计，可延长手机、电子书阅读器及平板电脑等多种掌上消费性电子产品的电池寿命。 这款逻辑器件的漏电流少于0.9 μA，达到低静态功耗的效果。其功耗电容在3.6V供电下一般为6pF，可将动态功耗降到最低。74AUP2G系列提供从0.8V到3.6V的供电电压范围，使电路供电降到最低等级。 全新超低功率74AUP2
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Diodes 电池 CMOS
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