- FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，将原来的单侧控制电路接通与断开变革为两侧。
FinFET这样创新设计的意义，在于改善了电路控制并减少漏电流，缩短了晶体管的闸长，对于制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法等产生重要影响与变革。FinFET技术升温，使得半导体业战火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半导体制造
- 半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。
过去数10年来，互补式金属氧化物半导体(CMOS)平面电晶体一直是电子产品的主要建构材料，电晶体几何结构则一代比一代小，因此能开发出高效能且更便宜的半导体晶片。
然而，电晶体在空间上的线性微缩已达极限，电晶体缩小到20奈米(nm)以下，会降低通道闸极控制效果，造成汲极(Dr
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半导体 FinFET
- 高介电常数(High-k) 金属闸极应用于先进互补式金氧半导体(CMOS) 技术的关键挑战是什么?
高介电常数/金属闸极(HKMG) 技术的引进是用来解决标准SiO2/SiON 闸极介电质缩减所存在的问题。虽然使用高介电常数介电质能够持续缩减等效氧化物厚度(EOT)，整合这些材料需对NMOS及PMOS 元件采用不同的金属闸极。为了以最低临界电压(从而为最低功率)操作元件，NMOS元件必须使用低工作函数金属而PMOS 元件则必须使用高工作函数金属。即便有许多种金属可供挑选，但其中仅有少数具有稳定的
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ASM CMOS
- 日前，SeMind举办了圆桌论坛，邀请半导体设计与制造的专家齐聚一堂，共同探讨未来晶体管、工艺和制造方面的挑战，专家包括GLOBALFOUNDRIES的高级技术架构副总裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技术官Carlos Mazure，Intermolecular半导体事业部高级副总裁兼总经理Raj Jammy以及Lam公司副总裁Girish Dixit。
SMD ：从你们的角度来看，工艺升级短期内的挑战是什么?
Kengeri ：眼下，我们正在谈论的28nm到2
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FinFET 3D
- 鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术，并各自祭出供应链联合作战策略，预计将于2014～2015年陆续投入量产，让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，并建立10纳米发展优势，台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术，并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略，期抗衡英特尔和三星
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FinFET 晶圆
- 东芝公司（Toshiba Corporation） （TOKYO:6502）已经扩充了其200mA单输出CMOS-LDO稳压器阵容。该系列产品专为移动 ...
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移动设备 CMOS-LDO
- 电压的准确测量需要尽量减小至被测试电路之仪器接线的影响。典型的数字电压表 (DVM) 采用 10M 电阻器网络以把负载效应保持在不显眼的水平，即使这会引起显著的误差，尤其是在包含高电阻的较高电压电路中。
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凌力尔特 LTC6090 CMOS 放大器 电阻器
- 台湾第3季IC封测产业产值可较第2季成长4.5%。展望第3季台湾半导体封装测试产业趋势，IEK ITIS计划预估，第3季台湾封装及测试业产值分别可达新台币757亿元和336亿元，分别较第2季微幅成长4.6%和4.3%。
IEK ITIS计划指出，展望第3季，高阶智慧型手机市场反应趋弱，封测厂蒙上一层阴影;第3季智慧型手机、平板电脑以及大型数位电视终端产品需求可能趋缓，汰旧换新动能略有转弱，整体电子业库存调整时间可能拉长。
展望今年全年IC封装测试产业表现，IEK ITIS计划指出，虽然高阶
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IC封测 CMOS
- 英格兰锡尔--(美国商业资讯)--世界领先的系统到芯片集成电路设计咨询公司之一的英盛德认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为集成电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受益。
工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：“最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展厅中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形行业领域的最知名企业&md
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集成电路设计 FinFET
- 根据美国商业资讯报导，世界领先的系统到晶片积体电路设计顾问公司之一的英盛德(Sondrel)认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。
工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：「最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展场中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形产业领域的最知名企业&mdash
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Sondrel FinFET
- CMOS图像传感器能够快速发展，一是基于XMOS技术的成熟，二是得益于固体图像传感器技术的研究成果。进入20世纪90年代，关于CMOS图像传感器的研究工作开始活跃起来。苏格兰爱丁堡大学和瑞典Linkoping大学的研究人员分别进行了低成本的单芯片成像系统开发，美国喷气推进实验室研究开发了高性能成像系统，其目标是满足NASA对高度小型化、低功耗成像系统的需要。他们在CMOS图像传感器研究方面取得了令人满意的结果，并推动了CMOS图像传感器的快速发展。
当前研究开发CMOS图像传感器的机构很多，其中
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CMOS 图像传感器
- 一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线制程的方式达 成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入 FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/
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晶圆 FinFET
- 高动态范围(HDR)高动态范围(HDR)成像的一个特色，是可用来拍摄最亮和最暗区域之间具有宽对比度的图像。通过扩展动态范围，它有助于使此类图像看起来更为自然。东芝公司的图像传感器已开发了HDR功能，可以纠正对比度高
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渲染 技术 光照 动态 图像 传感器 CMOS
- 一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/14奈
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晶圆 FinFET
- Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)为有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能，并且可以承受高达40dB的通道损耗，这个最新的SerDes核心不仅仅重新定义了芯片到芯片、连接端口和背板等接口可达到的数据率，并且反映了Avago为数据中心和企业应用提供领先解决方案的持续承诺。
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Avago CMOS SerDes
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