许多系统需要通过控制线或在施加输入电源时启用和禁用。虽然小型微控制器 （MCU） 可以实现启用/禁用功能，但您仍然需要为其编写、维护和烧录代码。许多使用片上系统 （SoC） 的设计在该芯片内都有一个 MCU;添加另一个是多余的。此外，SoC 中的 MCU 不够低功耗，无法保持始终开启并提供启用控制器功能。本文讨论了一种低成本、低功耗的使能控制器硬件解决方案，该解决方案使用低压差线性稳压器 （LDO） 和可编程逻辑器件 （PLD），仅消耗微安级电流。PLD 预编程了实现使能控制器决策功能所需的逻辑
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LDO PLD 电源启用 禁用 TI
在半导体领域，随着技术的不断演进，对CMOS（互补金属氧化物半导体）可靠性的要求日益提高。特别是在人工智能（AI）、5G通信和高性能计算（HPC）等前沿技术的推动下，传统的可靠性测试方法已难以满足需求。本文将探讨脉冲技术在CMOS可靠性测试中的应用，以及它如何助力这些新兴技术的发展。引言对于研究半导体电荷捕获和退化行为而言，交流或脉冲应力是传统直流应力测试的有力补充。在NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验中，应力/测量循环通常采用直流信号，因其易于映射到器件模型中。然而，结
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CMOS 可靠性测试 脉冲技术 AI 5G HPC 泰克科技
摄像头CMOS传感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像设备的核心部件，广泛应用于智能手机、安防监控、汽车电子、工业检测等领域。以下是国内外主流的CMOS传感器厂家及其主要特点和代表性型号：从智能手机到自动驾驶，从安防监控到工业检测，CIS的身影无处不在。随着技术不断演进，CIS市场格局也在悄然变化。今天，我们就来一次全景扫描，盘点国内外主流CMOS传感器厂商，以及那些正在崛起的新兴势力。当年最缺芯片的时候，我别的不担心，最担心买不到索尼的Sensor，结果一开始我们用中国台湾的可以替代
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CMOS 图像传感器 ISP
当涉及到技术创新时，图像传感器的选择是设计和开发各种设备过程中一个至关重要的环节，这些设备包括专业或家庭安防系统、机器人、条形码扫描仪、工厂自动化、设备检测、汽车等。选择最合适的图像传感器需要对众多标准进行复杂的评估，每个标准都会影响最终产品的性能和功能。从光学格式和、动态范围到色彩滤波阵列（CFA）、像素类型、功耗和特性集成，这些标准的考虑因素多种多样，错综复杂。在各类半导体器件中，图像传感器可以说是最复杂的。这些传感器将光子转换为电信号，通过一系列微透镜、CFA、像素和模数转换器（ADC）产生数字输出
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图像传感器 CMOS 成像性能
3月7日消息，近日，综合韩联社、ZDNet Korea、MK等多家韩媒报道，SK海力士在内部宣布将关闭其CIS（CMOS图像传感器）部门，该团队的员工将转岗至AI存储器领域。SK海力士称其CIS团队拥有仅靠存储芯片业务无法获得的逻辑制程技术和定制业务能力。存储和逻辑半导体高度融合的趋势下，将CIS团队和存储部门聚合为一个整体，才能进一步提升企业的AI存储器竞争力。
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SK海力士 CIS CMOS AI存储器
异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
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复旦大学 Si CMOS GaN 单片异质集成
Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100标准的超低静态电流通用低压差(LDO)稳压器。该新系列同时包含高精度带输出跟随的LDO，集成输出保护功能，且输入电压范围较宽，因此可直接连接汽车电池。这些LDO采用热优化设计，在冷启动条件下，也能够为信息娱乐系统、ADAS、远程信息处理及照明系统等汽车应用中的纹波敏感负载提供稳定电压源。带输出跟随功能的LDO具有出色的输出保护能力，可以在车身控制模块、区域控制单元及动力系统中表现出优异性能，可用于涉及车外负载（如传感器）的场景。 除了汽车应用
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Nexperia 低静态电流 汽车级LDO LDO
前言LDO是大家最常见的电源芯片了吧，虽然存在效率不高的缺点，但相对于开关电源纹波更小、电路规模通常也更小，适用于低压差、小功率的应用场合。在大多数场合我们都是用1117、7805这种IC来制作我们的电源。那我们可否在满足要求的情况下，使用分立元件来实现更低成本的LDO呢？今天针对不同的应用场景，介绍三种使用分立元件搭建的LDO：1.低成本2.输出电压可调3.精确输出原理不难，但若使电路可用，需认真设定每个元件的参数，Let’s do it仿真软件版本文章中的实验通过Multisim软件进行仿真，有需要的
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LDO 电源管理 电源设计
onsemi
AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 数位影像感测器，拥有 3840 H x 2160 V
的有效像素阵列。这款先进的汽车用感测器能以高动态范围 (HDR) 并结合 LED 闪烁抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT
可在每一帧中同时捕捉低光与极高亮度的场景，其 2.1 µm 超级曝光像素能实现高达 150 dB
的动态范围，而无需进行自动曝光调整。这显著降低了场景依赖的汽车关键系统的延迟，实现更快速且更安全的数据收集与决策。AR0823AT 的双输出
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
本节分享下LDO的基础知识，主要来源于Ti的文档《LDO基础知识》，原文档下载链接如下：https://www.ti.com.cn/cn/lit/eb/zhcy089a/zhcy089a.pdf内容会回答这些问题：1、当输入电压与目标输出电压压差不满足Vdropout，会发生什么？2、决定Vdropout电压大小的因素是什么？3、芯片选定后，Vdropout电压就是固定的吗？与电压，电流是否有关？4、温度，直流电压对滤波电容有哪些影响？5、LDO封装如何选择？6、LDO输出过流了会发生什么？7、给定芯片的
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LDO 电容 电路设计
根据相机及影像产品协会（CIPA）公布的数据，2024 年 1 月至 5 月，中国市场相机出货量全球占比达到 23.4%，跃居继美洲之后的全球第二大市场。在智能手机冲击下曾一度遇冷的相机市场，如今因直播电商、短视频等新兴产业的崛起而重新焕发生机。产品创新与流量经济的交织，正在为传统行业打开一条全新的消费路径。日本佳能副社长、执行董事小泽秀树也表示，2023 年中国数码相机市场实现了 25% 的增长，其中无反相机更是增长了 31%，预计 2024 年这一增长势头将持续，无反相机的增长有望达到 35%。随着近
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无反相机 CMOS 传感器
8月19日消息，今日，晶合集成宣布与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CMOS图像传感器（以下简称CIS），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。据了解，晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台，与思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限。同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。晶合集成表示，首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，既标志着光刻拼接技术在
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CMOS 晶合 图像传感器 索尼
8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，该公司与思特威联合推出业内首颗 1.8 亿像素全画幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 图像传感器），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。▲ 产品图，图源晶合集成，下同据介绍，为满足 8K 高清化的产业要求，高性能 CIS 的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的 55 纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依
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CMOS 图像传感器 CIS
为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章，但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为，那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中，我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
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CMOS，MOSFET 晶体管，Spice模型
当CMOS反相器切换逻辑状态时，由于其充电和放电电流而消耗功率。了解如何在LTspice中模拟这些电流。本系列的第一篇文章解释了CMOS反相器中两大类功耗：动态，当反相器从一种逻辑状态变为另一种时发生。静态，由稳态运行期间流动的泄漏电流引起。我们不再进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍SPICE仿真，以帮助您更彻底地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文关注的是开关功率——当输出电压变化时，由于电容充电和放电而消耗的功率。LTspice逆变器的实现图1显示了我们将要使用的基本LTspice逆变器
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CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
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