- 基于深亚微米工艺的新型千兆级模拟电路需要的电源电压越来越低，在某些情况下要低于1 V。这些高频电路通常需要较大的电源电流，因此，热管理可能会变得困难。设计目标是将功耗降至电路性能所必需的水平。开关式DC-DC转换器可提高电源效率，有些器件的效率可超过95%，但是以增加电源噪声为代价，通常在较宽带宽范围内都存在噪声问题。低压差线性稳压器(LDO)常用于清除供电轨中的噪声，但也需要进行一些权衡考量，其功耗会增加系统的热负载。为了缓解这些问题，使用LDO时，可使输入和输出电压之间存在较小的压差（裕量电压）。本文
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LDO 低裕量 ADI
- 在上期的芝识课堂中，我们和大家简单认识了逻辑IC的基本知识和分类，并且特别提到CMOS逻辑IC因成本、系统复杂度和功耗的平衡性最好，因此得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解CMOS逻辑IC的基本操作。什么是CMOS呢？使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET来实现逻辑功能。其中由一对p沟道和n沟道MOSFET组成的逻辑门称为反相器。图1是一个基本的逻辑IC结果示意，图2用流程图的形式，简要介绍了反相器的操作。图1 CMO
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东芝 CMOS
- 根据Omdia最新的市场研究报告，索尼继续主导着全球CMOS图像传感器（CIS）市场。数据显示，2022年第三季度索尼的CIS销售额为24.42亿美元，在CMOS图像传感器市场上的份额为51.6%，是排名第二的三星（15.6%）的三倍多。2022年第三季度全球CIS市场规模为47.33亿美元，比同年第二季度（41.68亿美元）增长13.6%；但与2021年同期（48.66亿美元）相比，略有下降。· 紧随三星之后的是豪威科技、安森美半导体和格科微电子，它们的份额占比分别是9.7%、7%和4%。其中，豪威科技
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索尼 CMOS 图像传感器
- IT之家 1 月 17 日消息，三星电子今日宣布推出最新的 2 亿像素（200MP）图像传感器 ISOCELL HP2，为旗舰智能手机提供超高分辨率体验。IT之家了解到，ISOCELL HP2 的传感器尺寸为 0.6 微米（μm），采用 1/1.3 英寸的光学格式，可容纳 2 亿像素。三星表示，凭借三星的像素合并技术 Tetra²pixel（十六合一像素技术），HP2 可以模拟不同的像素大小，以适应不同的光照水平，从而使相机在更多场景发挥作用。在光线较暗的环境下，HP2 通过合并 4 到 16
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三星 CMOS
- 在前几期的芝识课堂中，我们跟大家一起学习了电机工作相关的知识，相信你已经能够快速掌握电机开发和应用的基本技巧。而在实际开发中，我们已经知道控制电机需要输入信号，而这个信号的产生源于一个特别的单元——逻辑IC。当然，除了用于电机控制应用外，逻辑IC是绝大部分电子系统中必不可少的半导体器件。东芝作为逻辑IC产品的制造者，依靠质量可靠、性能出众、尺寸小巧、产品线丰富等特点，成为众多设计者的首选。今天的芝识课堂就带大家一起来认识一下CMOS逻辑IC的基本知识。逻辑IC，顾名思义是一种对一个或多个数字输入信号（由1
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东芝 CMOS
- IT之家 12 月 20 日消息，谷歌 Pixel 系列手机为了改善动态范围、减少重影，一直使用多帧 HDR 解决方案。小道消息人士和开发者 Kuba Wojciechowski 发现 2023 年款 Pixel 将会采用交错式 HDR（staggered HDR）解决方案，带来更优秀的成像质量。Wojciechowski 近日逆向编译了 Google Camera Go 应用，发现明年推出的 Pixel 8 将会采用交错式 HDR 解决方案。而且他还表示 Pixel 6/7 系列所使用的三星
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三星 谷歌 CMOS
- IT之家 12 月 20 日消息，富士胶片已宣布计划在韩国建设一家工厂，生产用于半导体制造的先进材料，新工厂将具有尖端的制造能力和最先进的评估设备，以便能够生产高质量和高性能的产品。据介绍，该工厂位于韩国平泽市，由富士胶片株式会社的子公司 Fujifilm Electronic Materials Korea Co., Ltd 负责建设，预计将于 2024 年春季投入运营。该工厂将生产用于图像传感器的传感器滤色片，并将成为该公司在韩国的第二家制造工厂。IT之家了解到，富士韩国第一家工厂位于 Ch
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富士 CMOS
- 有两种瞬态响应。首先，负载瞬态响应是当低压降稳压器(LDO)提供的负载电流发生变化时，在LDO输出端出现过冲或下冲。第二，线路瞬态响应是当连接的电压在LDO输入端发生变化时，在LDO输出端发生过冲或下冲，具有不同的波形。图1.LDO输出端发生下冲时的内部构造让我们看看当LDO的输出出现下冲现象时，其内部会发生什么。图1显示了LDO的内部结构，输出电压为1V时，瞬态响应下冲电压为0.02V，导致输出电压下降到0.98V。当参考电压稳定到1V时，那么误差放大器的输入端之间有0.02V的电压差。放大器将该电压放
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onsemi LDO
- 本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动 “使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能” 中探讨的CMOS逻辑基本原理，并获取更多使用复杂CMOS门级电路的经验。具体而言，您将了解如何使用CMOS传输门和CMOS反相器来构建传输门异或(XOR)和异或非逻辑功能。背景知识为了在本实验活动中构建逻辑功能，需要使用 ADALP2000 模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图
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ADI CMOS 逻辑电路
- IT之家 11 月 25 日消息，CMOS 图像传感器供应商思特威（SmartSens）近期推出 8.3MP 车规级图像传感器新品 ——SC850AT。新品采用思特威 SmartClarity-2 成像技术架构以及升级的自研 Raw 域算法，结合 SFCPixel、PixGain HDR 专利技术、LFS 技术等，带来高分辨率、高感度、140dB 高动态范围、以及出色的 LED 闪烁抑制性能等提升。此外作为 Automotive Sensor (AT) Series 系列新品，SC850AT 基于 ASI
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CMOS ADAS 汽车电子
- IT之家 9 月 10 日消息，近年来，CMOS 图像传感器在工业应用中变得愈发重要。比亚迪半导体近日宣布推出一款工业级全局快门 CMOS 图像传感器芯片 ——BF3031。BF3031 是比亚迪半导体采用 Global shutter 技术研发生产的一款 1/3 英寸的 50 万像素图像传感器芯片，支持并行和 MIPI 数字输出接口，有效像素阵列为 838×640，最大帧速率为 120fps@full。比亚迪半导体表示，相较于 Rolling shutter，Global shutter 可有效解决物体
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全局快门 CMOS 比亚迪
- 索尼发布了一段视频，解释了全局快门和卷帘快门传感器的优缺点。简单来说，全局快门的优势在于高速摄影，拍摄高速移动物体时不会失真（果冻效应），但在低噪点、像素损失、高感、动态范围等方面，均弱于卷帘快门（如果全局快门算“良好”，那卷帘快门就是“优秀”）。这大概也就解释了，为什么迟迟没有采用全局快门的消费级相机面市，毕竟，为了高速摄影而要牺牲画质，有些得不偿失。目前市面上的速度机，主要通过提高传感器读出速度来抑制运动失真。
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全局快门 CMOS
- IT之家 8 月 25 日消息，当地时间 8 月 24 日，豪威集团宣布发布了业界首款也是唯一一款三层堆叠式 BSI 全局快门（GS）图像传感器 OG0TB。 豪威表示，这款超小尺寸图像传感器用于 AR / VR / MR 和 Metaverse（元宇宙）消费设备中的眼球和面部跟踪，封装尺寸仅为 1.64 毫米 ×1.64 毫米，采用 2.2 微米像素尺寸和 1/14.46 英寸光学格式（OF）。 此外，这款 CMOS 图像传感器具有 400×400 分辨率和超低功耗。豪威数据显示，OG0TB BS
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全局快门 CMOS
- IT之家 11 月 10 日消息，长光辰芯宣布推出 GMAX 系列最新产品- GMAX4002，进一步丰富 GMAX 小面阵 CMOS 产品线，为小面阵工业相机提供更多选择。GMAX4002 采用 4um 电荷域全局快门像素设计，有效分辨率为 2048 (H) x 1200 (V)，可以被广泛用于定位、检测、识别等多种视觉应用场景，同时也是读码器、ANPR 等应用的理想选择。 得益于 4um 像素设计，GMAX4002 满阱容量为 12 ke-，读出噪声小于 2.3e-，使得其最大动态范围为 68.
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全局快门 CMOS
- 本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动 “ADALM2000实验：使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能” 中探讨的CMOS逻辑基本原理，并获取更多使用复杂CMOS门级电路的经验。具体而言，您将了解如何使用CMOS传输门和CMOS反相器来构建D型触发器或锁存器。背景知识为了在本实验活动中构建逻辑功能，需要使用 ADALP2000 模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成
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