- 联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。
联电执行长孙世伟表示，14nmFinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。
联电执行长孙世伟表示，由于晶圆从28跨入20nm制程以下的微缩过程中，势必得使用双重曝光(DoublePatterning)微影技术才能实现，而此
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联电 处理器 14nm FinFET
- 传感技术是获取信息的技术，是信息技术的基石。通过传感技术如信息识别、信息提取、信息监测等来取得信息，然后通过通信技术来实现信息的快速、可靠、安全的转移即传递信息，进而通过计算机技术来对信息进行编码、压缩、加密、存储等处理，最后通过控制技术来利用所获得的信息。
信息技术的发展对MEMS传感技术提出更高的要求，也指引未来发展的方向：1.向高精度发展例如精确制导;2.向高可靠性、宽温度范围发展;3.向微型化发展，如各种便携设备应用;4.向微功耗及无源化发展;5.向网络化发展，与无线技术结合;6.向智能
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- 什么是CMOS数码相机?对于最终用户而言，采用CMOS技术的数码相机与传统相机没有太大不同。大多数拍照操作方法以及在取景器内给被拍对象安排正确位置的方法都完全相同。那么不同之处在哪里?传统相机需要使用一个35毫米
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数码相机 方案 传感器 CMOS 处理器 基于
- 电子设计企业Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶体管技术，已经成功流片了14nm工艺的ARM Cortex-M0处理器试验芯片。
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议，共同开发14nm以及更先进的半导体工艺，14nm芯片和生态系统就是三方合作的一个重要里程碑。
这次的试验芯片主要是用来对14nm工艺设计IP的
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- 引言 模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数/模转换器 ...
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高精度 CMOS 带隙 基准源
- 全球知名汽车厂商奥迪(Audi)与横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布建立战略合作关系，共同开发先进半导体解决方案，推进汽车电子技术的创新发展。意法半导体自1987年成立以来始终专注于汽车电子技术的研发和创新。
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- 摘要：高精度、低噪声和低功耗的无晶体固态振荡器技术让频率控制器件可以通过常见的 CMOS 技术被移植到最低成本的架构中。尽管其固有的 Q LC tank 较低，但创新的设计达到了与业界标准晶体或MEMS振荡器相媲美的性能。该白皮书详细地描述了创新的技术打破石英占领多年市场的局面。
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CMOS 振荡器 201210
- 随着芯片特征尺寸的缩小和电路复杂程度的增加，有阻开路和有阻桥接缺陷的数目也在增加。同时，随着器件密度、复杂性和时钟速度的增加，逻辑测试技术已不能提供足够的故障覆盖率。为了弥补传统测试方法的不足，基于静
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电流 电路 传感器 CMOS 集成电路
- 1引言电流源是模拟、数字集成电路中重要的单元[1][2]。电流源的性能直接影响电路及系统的性能。...
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CMOS 低功耗 电流源
- 引言本文采用plusmn;5V电源，设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路，并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好的
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CMOS 高线性度 调幅 电路技术
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，富士通半导体欧洲(FSEU)已经证明可以通过CEI-28G-VSR接口进行单信道大于100Gbps的数据传输，从而将光互联论坛(OIF)定义的芯片间电接口数据传输速率提高到4倍。这项研究成果验证了在利用为长距离光传输系统所开发的CMOS ADC/DAC转换器技术后，短距离电信号传输所能达到的数据速率。
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- 利用CMOS集成电路具有极高的输入阻抗这一特点，可以自制一个感应式验电器。 l、电路原 ...
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CMOS 集成电路 感应 验电器
- 台积电在本周二(10月16日)的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nm FinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nm FinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。
台积电与其合作伙伴们表示，用于20nm和16nm FinFET的双重图形技术对晶片设计人员带来了极大挑战。台积电的发展蓝图大致与竞争对手Globalfoundries 类似，都希望能在明年启动20nm制程，2014开始14nm FinFET制程。
台积电的目标提前在
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台积电 FinFET ARM V8
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