- 摘要：给出了一种结构简单的低功耗振荡器电路的设计方法，该电路由RC充放电回路、偏置电路组成。与传统振荡器电路相比，该电路具有精度高、电路结构简单以及输出占空比可调等优点。采用0．35 mu;m BCD工艺并利用Cad
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振荡器电路 低功耗 RC振荡器 CMOS
- 摘要：为了应对低功耗电路设计要求，提出了一个在低功耗要求下CMOS低噪声放大器的设计方法。使用该方法在0.18μm CMOS集成工艺下，设计一款低噪声放大器，并在ADS中进行前仿真。
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CMOS 放大器 LNA 201212
- 引言 随着便携式电子设备的广泛使用，系统集成度越来越高。对于数／模混合的片上系统中，数字电路对模拟电路的 ...
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全集成 CMOS LDO
- 今年经济景气比原来预估差，使我们只得再度下修全球半导体营业额，预估今年营业额为3030亿美元(8.82兆台币)，较2011年3100亿美元衰退2.3%。从2009年后，每年全球半导体营业额皆呈成长，2012年是首次衰退，所幸2013年可望恢复成长。
2012年半导体的6大应用市场中，只有无线通讯应用市场呈现成长，资料处理、消费电子、工业、有线通讯以及汽车等5大应用市场，皆呈衰退。
明年将可恢复成长
资料处理是半导体最大的应用市场，PC(PersonalComputer，个人电脑)是资
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平板电脑 CMOS.DRAM
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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CMOS CCD 图像传感器
- 波士顿半导体设配公司 (Boston Semi Equipment, LLC)宣布整入全套 200mm CMOS 制造晶圆厂设备。此套晶圆厂设备内含超过 500 项目前还在日本用于生产线中的设备。此套设备目前用于 0.25 微米制程，实际上具有 0.18 微米的生产力。设备的重新营销也即将开始。
担任 Boston Semi Equipment CEO 的 Bryan Banish 说道：“这是 Boston Semi Equipment 的一次重要收购，不仅更确认并扩大我们在前段二
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LLC CMOS 200mm
- 高增长的经济体如巴西、印度尼西亚、印度和中国已出现新兴中产阶级和快速增长的汽车市场。这些市场要求汽车...
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CMOS 收音机IC 汽车应用
- 1. 简介 随着汽车安全重要性的凸显，行车辅助系统（Driving Assistance System，DAS）在汽车领域的应用越来越广泛。在这类应用中，图视觉系统是必不可少的一个组成部分，其必须快速、精确地感知各种路况，进而提前预
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CMOS 动态范围 图像传感器 汽车视觉
- 据物理学家组织网11月21日报道，研究人员一直在努力降低硅基计算组件的尺度，以满足日益增长的小规模、低能耗计算需求。这些元件包括晶体管和逻辑电路，它们都被用于通过控制电压来处理电子设备内的数据。在一项新研究中，韩国、日本和英国科学家组成的科研小组仅用5个晶体管就制造出一个半加器，它是所有逻辑电路中最小的一种。这也是首次成功制成基于单电子的半加器(HA)。相关研究报告发表在最新一期《应用物理快报》上。
研究人员称，单电子半加器是单电子晶体管多值逻辑电路家族中最小的运算模块，所有的逻辑电路都由众多半
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半加器 晶体管 CMOS
- 摘要：基于TSMC 0.13μm CMOS工艺，设计了一种用于CMOS图像传感器(CIS)的快速低噪声缓冲器。该缓冲器的面积相对较低，输出级采用改进式AB类输出级，不仅保证了建立速度，而且还能抑制由于电路结构不对称而带来的噪声。
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CIS 缓冲器 CMOS 201211
- 半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制关键元件参数对后闸极 (gate last) 处理的需求来说，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 层。半导体设备大厂 ASM International (ASMI) 针对此一趋势，与《电子工程专辑》谈到了ALD 技术在先进半导
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半导体 FinFET ALD
- 核心器件:MS6335MS6863手机等便携式电子产品正集成越来越多的多媒体功能，这引起了人们对增加立体声功能...
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MCU CMOS PMP 立体声切换
- 网络高清CCD主要是索尼，CMOS传感器芯片供应商比较多，高端的如索尼、松下，中端的如美光，中低端的如Omnivision(苹果手机用的也是这种)。CCD和CMOS传感器在网络高清上的表现主要由他们不同的处理技术决定，CCD采用全
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主流 技术 CMOS 优势 高清 摄像机 网络
- 谈到高清摄像机前端问题，从推出到现在普遍的应用，a&s分别就IP与HD-SDI在诸多文章中举出若干存在的障碍和问题，综合整理大致有以下十点。前端高清摄像机的十大问题给工程商在摄像机应用选型及使用上带来很多困惑，因为这十大问题几乎都与高清摄像机所采用的元器组件有很大的关联，而对于更加专业的元器件的知识，工程商实在不知该如何从高清摄像机的规格特性条件上看出端倪，从而解决相应的问题。
IP与HD-SDI前端常见的十大问题：
Sensor传感器帧数条件差异造成高清效果差异;
DSP/
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摄像机 CMOS HD-SDI
- 联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。
联电执行长孙世伟表示，14nmFinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。
联电执行长孙世伟表示，由于晶圆从28跨入20nm制程以下的微缩过程中，势必得使用双重曝光(DoublePatterning)微影技术才能实现，而此
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联电 处理器 14nm FinFET
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