- 基于Mixed-Signal CMOS工艺，本文设计了一种采用分段式电流舵结构的高速高精度DAC。同时在该DAC的内部电路中采用了一种新的电流校准技术，既保证了DAC电路的高精度，又减小了梯度误差的影响。电路流片后的实际测试结果表明，该16位DAC在400MSPS转换速率下仍具有良好的性能。
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DAC CMOS 电流源 自校准 SFDR 201401
- 一种新型晶体管使更快、更低功耗的计算器件成为可能，可用于类似敏捷传感器网络、植入式医疗电子技术和高机动式计算等能量受限领域。近带隙隧道场效应晶体这种新型器件采用量子机制，电子遂穿超薄能量势垒，可以低电压产生高电流。
宾夕法尼亚州立大学、美国国家标准技术研究院以及专业晶片制造商IQE公司在国际电子器件会议(IEDM)上联合宣布了这一发现。IEDM会议汇集了全部来自主要芯片公司的代表，是一个广受认可的论坛，用于报告半导体和电子技术方面取得的突破性进展。
芯片制造商正在寻找继续缩小晶体管
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CMOS 隧道晶体管
- 全球IC矽智财供应商新思科技(Synopsys)力挺台积电的16纳米FinFET(鳍式场效晶体管)，全力协助台积电加入导入这项新制程量产行列。
新思科技是「台积电大同盟」成员之一，昨天也宣布获台积电颁发开放创创新平台(OIP)「2013年度最佳伙伴奖」，以表彰对台积电先进制程的贡献。
台积电16纳米FinFET制程，是对抗英特尔及三星等劲敌的重要技术，台积电将以大同盟的阵营，联合IP、自动化工具、设备及芯片设计业的力量应战。台积电16纳米预定明年第4季试产，2015年第1季量产。
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Synopsys FinFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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CMOS 射频滤波器 体声波滤波器 BAW 表面波 压电层
- 2000年11月，夏普联合日本当时第三大移动运营商J-photo推出了全球第一款拍照手机，像素仅有11万。时至今日，手机拍照已经成为手机必不可少的一个功能，手机摄像头历经多年发展，也已经不可同日而语。
随着智能手机的普及和不断升级，用户对于手机拍照画质也就越来越高，好的拍照画质就离不开出色的手机摄像头配置，而目前市面上手机摄像头的规格众多，参数各不相同，怎么去看这些名词和参数来挑选好的拍照手机呢?下面让我们一起来简单学习一下。
手机摄像头的结构和工作原理
拍摄景物通过镜头
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手机摄像头 CMOS
- 为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys,Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID/NFC集成电路而进行了优化的DesignWare® AEON®多次可编程(MTP)超低功耗(ULP)非易失性存储器(NVM)IP开始供货。
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Synopsy ULP CMOS
- 三星电子新型CMOS传感器量产韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平，2010年 ...
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三星电子 CMOS 传感器
- 由于ASIC的研发成本居高不下，加上近来FPGA不断整合更多的功能，同时也突破了过往功耗过高的问题，尤其当进入28奈米制程之后，其性价比开始逼近ASSP与ASIC，促使FPGA开始取代部分ASIC市场，应用范围也逐步扩张。
附图: Xilinx揭露未来市场竞争状况。 资料来源：Xilinx
掌握这样的趋势，让FPGA大厂Xilinx在28奈米的产品营收持续成长。 Xilinx企业策略与行销资深副总裁Steve Glaser指出，预估今年在28奈米产品线将会有1亿美元的营收，市占率高
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Xilinx FinFET
- 高清监控需要哪些支持 在摄像领域中，CCD与CMOS 的争锋似乎不亚于一场艰难的阻击战，对方每一个薄弱的环节 ...
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CMOS 传感器 CCD
- 2013年11月13日——奥地利微电子公司(SIX股票代码：AMS)晶圆代工业务部今日宣布将于2014年向用户推出快速、低成本的IC原型设计服务，该项目被称为多项目晶圆(MPW)。多项目原型设计将不同客户的多种设计需求融入单片晶圆设计中，由于晶圆的制造费用由众多客户均摊，因此该项服务将帮助晶圆代工客户有效降低生产成本。
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奥地利微电子 晶圆 CMOS
- 在中国智能手机市场，CMOS(互补金属氧化物半导体)传感器领域的竞争正硝烟弥漫。现在的中国，低价手机也至少配备了800万像素的传感器，对CMOS的需求持续上涨。可以注意到的是，主要生产企业都纷纷加大当地生产能力，并专门制定对中国市场的战略。
今年中国智能手机出货量比去年增长了56%，预计会达到约3亿2000万台，占世界总量的30%。除去中国一线城市，其他城市的主流手机仍然是从1000到2000元左右的低价手机。产品价格低，那么上面搭载的原件价格也低。
据此，CMOS传感器预计中国需
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智能手机 CMOS 传感器
- 比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。
随着晶片微缩即将接近原子级的限制，业界致力于提高晶片性能与降低功耗的各种方法逐渐面临瓶颈。透过为矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高载子速度与更高驱动电流的III-V族电晶体通道，这种新的化合物半导体可望超越矽晶本身性能，持续微缩至更制程。
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FinFET 矽材料
- 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω
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Vishay CMOS 导通电阻
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