- 新计划的第1阶段将在3个相关又有所区别的领域支持6个探索性的项目：第1个领域是细胞形态-半导体电路设计领域，将从细胞生物学获得的经验应用到新型芯片体系结构中，反之亦然;第2个领域是生物电子传感器、执行器和能源领域，专门支持半导体生物混合系统;第3个领域是分子级精确增材制造领域，将在受生物启发的数纳米级尺度上开发制造工艺。该研究计划第1阶段的研究成果将用于指导未来多代半导体合成生物技术研究。半导体研究联盟的全球研究合作计划将为第1阶段研究投资225万美元。-
麻省理工学院的RahulSarpe
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半导体 CMOS
- 该前置放大器采用了改良后的RGC结构作为输入端。Cadence Virtuoso 仿真软件的仿真结果表明：在光探测器结电容 ...
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RGC CMOS 前置放大器
- 设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源 ...
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增益 高速 CMOS 运算放大器
- MCS-51内部都有一个反相放大器，XTAL1、XTAL2分别为反相放大器输入和输出端，外接定时反馈元件以后就组成振荡器 ...
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CMOS 单片机 时钟电路
- 新日本无线推出的这款单电路轨至轨输出的CMOS运放 NJU77806 的独特之处是同时具有业界最低噪声 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 两种特性，还备有良好的宽带特性 (GBP=4.4MHz) 和强RF噪声抑制能力，是一款两全其美外加实用的好产品。
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新日本 CMOS 无线网络
- 目前，在设计中使用的主要有3种电阻器：多晶硅、MOS管以及电容电阻。在设计中，要根据需要灵活运用这3种电阻，使芯片的设计达到最优。
1CMOS集成电路的性能及特点
1.1功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗(在1MHz工作频率时)也仅为几mW。
1.2工作电压范围宽CMOS集成电路供电
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CMOS 电阻
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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CMOS LCVCO 电感 射频开关 PVT 锁相环
- Mentor Graphics公司(纳斯达克代码：MENT)日前宣布它已完成其用于台积电16纳米FinFET制程的数字成套工具。台积电16纳米参考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC™布局与布线系统的16纳米设计，以及Calibre®物理验证和可制造性设计(DFM)平台。
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Mentor FinFET
- 随着上海自贸区挂牌时间的临近，本周自贸热卷土重来：龙头股外高桥及陆家嘴连续收出两个涨停板，且涨势有向纵深方向扩散的迹象。此前，市场人士就已获悉，允许国外企业在华销售游戏机将是上海自贸区蓝图的一部分;本月23日晚间，百视通发布的与微软在上海自贸区组建合资公司的公告，更是令自贸区相关游戏机概念的炒作热潮一触即发，百视通昨日就强势涨停。
分析人士表示，百视通与微软在上海自贸区设立合资公司的举措表明，实行了十三年的游戏机禁令将在上海自贸区正式终结;在此背景下，预计与游戏机生产相关的软硬件公司，如水晶光电
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红外LED CMOS
- 铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说，是因为除了移动产品用处理器和内存外，其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽，并采取更好的散热措施。
目前全球倒装芯片市场规模为200亿美元，以年增长率为9%计算，到2018年将达到350米亿美元。在加工完成的倒装芯片和晶圆中，铜柱凸点式封装的年增长率将达到19%。到2014年，已形成凸点的晶圆中将有50%使用铜柱凸点，从数量上来说，铜柱凸点式封装将占到倒装芯片封装市场的2/3。
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CMOS 倒装芯片
- FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，将原来的单侧控制电路接通与断开变革为两侧。
FinFET这样创新设计的意义，在于改善了电路控制并减少漏电流，缩短了晶体管的闸长，对于制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法等产生重要影响与变革。FinFET技术升温，使得半导体业战火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半导体制造
- 半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。
过去数10年来，互补式金属氧化物半导体(CMOS)平面电晶体一直是电子产品的主要建构材料，电晶体几何结构则一代比一代小，因此能开发出高效能且更便宜的半导体晶片。
然而，电晶体在空间上的线性微缩已达极限，电晶体缩小到20奈米(nm)以下，会降低通道闸极控制效果，造成汲极(Dr
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半导体 FinFET
- 高介电常数(High-k) 金属闸极应用于先进互补式金氧半导体(CMOS) 技术的关键挑战是什么?
高介电常数/金属闸极(HKMG) 技术的引进是用来解决标准SiO2/SiON 闸极介电质缩减所存在的问题。虽然使用高介电常数介电质能够持续缩减等效氧化物厚度(EOT)，整合这些材料需对NMOS及PMOS 元件采用不同的金属闸极。为了以最低临界电压(从而为最低功率)操作元件，NMOS元件必须使用低工作函数金属而PMOS 元件则必须使用高工作函数金属。即便有许多种金属可供挑选，但其中仅有少数具有稳定的
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ASM CMOS
- 日前，SeMind举办了圆桌论坛，邀请半导体设计与制造的专家齐聚一堂，共同探讨未来晶体管、工艺和制造方面的挑战，专家包括GLOBALFOUNDRIES的高级技术架构副总裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技术官Carlos Mazure，Intermolecular半导体事业部高级副总裁兼总经理Raj Jammy以及Lam公司副总裁Girish Dixit。
SMD ：从你们的角度来看，工艺升级短期内的挑战是什么?
Kengeri ：眼下，我们正在谈论的28nm到2
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FinFET 3D
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