- 图像传感器在智能手机、照相机、摄像机中都发挥着十分关键的作用。在CIS、CMOS和CCD三类传感器中，人们经常讨论的是CMOS和CCD图像传感器之间的比较优势，本文将简单介绍两种传感器的分类及特点，并会给出选择两种传感器产品时的一些实用建议。
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CMOS CCD 图像传感器
- 2017年5月25日，英国《自然》期刊增刊《2017中国自然指数》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指数(nature index)表明，在过去15年中，材料科学(尤其是纳米材料等)领域已成为各国政策制定者的关注重点，大力投资材料科学也成为中国整体科技战略的重要组成部分。近年来，中国始终是在材料科学领域发表论文最多的国家，其背后是政府的大规模资金投入和大力引进人才。然而，材料科学家认为，需要将更多的资源投入到基础研究的转化中;应用科学家表示，如果没有足够的扶持，中国在材料研究商业化方面的努力
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集成电路 CMOS
- CMOS内的数字缩放降低了功率，缩小了尺寸，并且提高了每个节点的性能。同时，CMOS技术进一步提高了在模拟组件中嵌入数字功能的能力，从而实现了在雷达系统部署方面的全新系统配置和拓扑。
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传感器 CMOS
- 随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂，因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。
FinFET布局和布线要经受各种挑战
随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设
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FinFET
- 英特尔(Intel)宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程22 FFL，相关开发套件(PDK)在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22 FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以全空乏绝缘上覆硅(FD-SOI)为移动装置及物联网(IoT)应用所生产之同类芯片而来。
据EE Times Asia报导，英特尔称自家22 FFL是市场上首款为低功耗IoT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的电晶体，漏电流(le
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英特尔 FinFET
- 继网罗到蒋尚义这位台湾半导体大将后，大陆半导体产业又有新动作。据报道，传大陆行业领头羊中芯国际要将梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯国际 CTO 或 COO。和蒋尚义一样，梁孟松同样来自台积电技术研发高层，他曾任台积电资深研发处长。
之前蒋尚义加入中芯时，已经是半导体行业的一枚重磅炸弹了，毕竟无论是从他 40 多年的行业经验还是在台积电的任职时间来看，他都堪称元老。在台积电，蒋尚义参与主导了从0.25微米、0.18微米直至16纳米制程技术的研发，张忠谋曾感激他为“台积电16年
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中芯国际 FinFET
- 自从14nm节点开始，Intel在传统CMOS半导体工艺升级上的步伐就慢下来了，Tick-Tock战略名存实亡，还被TSMC、三星两家赶超、奚落，甚至连市值都被TSMC超越了，以致于Intel为了挽回面子都想法推动新的半导体工艺命名规则了。传统CMOS工艺很可能在2024年终结，对此Intel也不是没有准备，最近他们公布了后CMOS时代的一些技术思路，Intel的目标是在保持现有晶圆工厂的情况下制造功耗更低的产品，电压可以低至0.5V，这在目前的晶体管下是不可能的。
根据EE
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Intel CMOS
- 传统的硅基半导体技术形成了摩尔定律的基础，并在数十年来持续落实于产业界，如今它正日益成熟，业界也越来越迫切需要一种超越硅晶的新技术蓝图...
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芯片 CMOS
- 尽管Intel一直嘴硬说摩尔定律未灭，但传统半导体这几年内确实面临着很大挑战，IRDS日前发布的一份报告则给CMOS电路判了死刑——2024年它就会终结了。
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摩尔定律 CMOS
- 索尼这几年的手机之路走得并不平坦，不过没有随波逐流，渐渐变得默默无闻。作为黑科技的代名词，索尼在半导体上的造诣可不是一般的强大。可能很多人会觉得索尼没听说在半导体上有哪些重大贡献，但是如果索尼的半导体工厂停工，因为全球的手机CMOS大部分来自索尼。
索尼XZ Prumium
索尼镜头
索尼展示技术
在今年的MWC上，索尼除了带来全新的智能手机之外，他们还带来了全新的三层堆叠式CMOS传感器。据索尼官方介绍，三层堆叠式CMOS传感器是在像素层和信号处理电路之间加入一层
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索尼 CMOS
- 潘文渊文教基金会日前举行“潘文渊奖”颁奖典礼，2016年的得奖人是加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明，他曾回台担任台积电首任技术长，也是工研院院士，他所研发的3D鳍式晶体管(FinFET)突破物理极限，堪称半导体工业40多年来的最大变革。
胡正明目前仍深耕学术教育，为产学研界培育众多优秀人才。 在颁奖典礼中，胡正明与清华大学前校长刘炯朗以“创新人才培育─迈向科技新世代”为题进行高峰论坛，两人提出许多深具启发性的见解。
肯定自己 解决问题就是创新
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FinFET
- 汽车智能化趋势使得汽车电子半导体市场的增长不再依赖于汽车产量的增加，而是车载半导体数量的增加。
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CMOS ADAS
- 近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
- 手机产业持续平稳增长，芯片市场维持高景气度
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芯片 CMOS
- 尽管近段时间索尼忙于月底的MWC 2017，但这似乎并不影响索尼偶尔刷刷黑科技的习惯。近日，索尼推出了一款划时代的传感器产品——全球首款三层堆叠式CMOS传感器。据了解，索尼这种三层堆叠式传感器基于目前CMOS传感器进行改进，在像素层和信号处理电路层之间又增加了一层DRAM。新一代CMOS传感器原理新一代CMOS传感器原理 技术介绍称，大容量低功耗DRAM的加入可以让传感器获得高速读取的能力，从而拍摄快速移动物体时能够更加从容，有效减少拍摄时所产生的焦平面失真现象，使得抓拍、慢动作都会更加
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索尼 CMOS
cmos finfet介绍
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