- 尽管Intel一直嘴硬说摩尔定律未灭，但传统半导体这几年内确实面临着很大挑战，IRDS日前发布的一份报告则给CMOS电路判了死刑——2024年它就会终结了。
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摩尔定律 CMOS
- 索尼这几年的手机之路走得并不平坦，不过没有随波逐流，渐渐变得默默无闻。作为黑科技的代名词，索尼在半导体上的造诣可不是一般的强大。可能很多人会觉得索尼没听说在半导体上有哪些重大贡献，但是如果索尼的半导体工厂停工，因为全球的手机CMOS大部分来自索尼。
索尼XZ Prumium
索尼镜头
索尼展示技术
在今年的MWC上，索尼除了带来全新的智能手机之外，他们还带来了全新的三层堆叠式CMOS传感器。据索尼官方介绍，三层堆叠式CMOS传感器是在像素层和信号处理电路之间加入一层
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索尼 CMOS
- 潘文渊文教基金会日前举行“潘文渊奖”颁奖典礼，2016年的得奖人是加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明，他曾回台担任台积电首任技术长，也是工研院院士，他所研发的3D鳍式晶体管(FinFET)突破物理极限，堪称半导体工业40多年来的最大变革。
胡正明目前仍深耕学术教育，为产学研界培育众多优秀人才。 在颁奖典礼中，胡正明与清华大学前校长刘炯朗以“创新人才培育─迈向科技新世代”为题进行高峰论坛，两人提出许多深具启发性的见解。
肯定自己 解决问题就是创新
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FinFET
- 汽车智能化趋势使得汽车电子半导体市场的增长不再依赖于汽车产量的增加，而是车载半导体数量的增加。
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CMOS ADAS
- 近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
- 手机产业持续平稳增长，芯片市场维持高景气度
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芯片 CMOS
- 尽管近段时间索尼忙于月底的MWC 2017，但这似乎并不影响索尼偶尔刷刷黑科技的习惯。近日，索尼推出了一款划时代的传感器产品——全球首款三层堆叠式CMOS传感器。据了解，索尼这种三层堆叠式传感器基于目前CMOS传感器进行改进，在像素层和信号处理电路层之间又增加了一层DRAM。新一代CMOS传感器原理新一代CMOS传感器原理 技术介绍称，大容量低功耗DRAM的加入可以让传感器获得高速读取的能力，从而拍摄快速移动物体时能够更加从容，有效减少拍摄时所产生的焦平面失真现象，使得抓拍、慢动作都会更加
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索尼 CMOS
- 中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后，如何踏实去干，去解决一个一个难题。任何进步没有捷径，其中骨干企业的责任尤为重要。
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SOI finFET
- 2016年12月7日，高通宣布在服务器领域的最新进展：其首款10nm服务器芯片Qualcomm Centriq 2400开始商用送样，预计在2017年下半年实现商用。作为Qualcomm Centriq系列的首款产品，Centriq 2400采用最先进的10nm FinFET制程技术，这也是全球首款10nm处理器芯片，最高可配置48个核心。
高通官方介绍，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制内核——Qualcomm® Fa
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高通 FinFET
- 最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏(MSD)，能显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。
基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会(IEDM)接收，并在IEDM的关键分会场之一——硅基先导CMOS 工艺和制造技术(PMT)上，由张青竹
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FinFET 摩尔定律
- 由于技术和商业上的原因，摩尔定律也失去了效力，而且受制于光刻技术、硅材料的极限等因素，芯片制程提升很可能会遭遇瓶颈，这种情况下胡正明教授的FinFET研究就尤为重要。
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半导体 FinFET
- 1 CMOS集成电路的性能及特点 1.1 功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗(在1MHz工作频率时)也仅为几mW。 1.2 工作电压范围宽CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V电压下正常工作。 1.3
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CMOS 集成电路
- 据日本经济新闻(Nikkei)网站报导，摄影用的CMOS影像传感器市场，由于市场需求增大，原本跌价的趋势已逐渐趋缓，智能手机用品的2016年7~9月报价甚至与10~12月报价维持相同水准，预料2017年初市场需求不减，报价甚至有上涨的可能。
以1,300万画素的产品来看，2016年第1季~第2季单价下滑10%，第3季下滑仅约5%，第4季就停在与第3季相当的每个2~3美元水准。
造成CMOS影像传感器价格下滑趋势减缓的理由，主要在高阶智能手机转向采用双镜头设计，让高阶手机市场的CMOS影像传
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CMOS 像传感器
- 据日本经济新闻(Nikkei)网站报导，摄影用的CMOS影像传感器市场，由于市场需求增大，原本跌价的趋势已逐渐趋缓，智能手机用品的2016年7~9月报价甚至与10~12月报价维持相同水准，预料2017年初市场需求不减，报价甚至有上涨的可能。
以1,300万画素的产品来看，2016年第1季~第2季单价下滑10%，第3季下滑仅约5%，第4季就停在与第3季相当的每个2~3美元水准。
造成CMOS影像传感器价格下滑趋势减缓的理由，主要在高阶智能手机转向采用双镜头设计，让高阶手机市场的CMOS影像传
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CMOS 传感器
- 据日本经济新闻(Nikkei)网站报导，摄影用的CMOS影像传感器市场，由于市场需求增大，原本跌价的趋势已逐渐趋缓，智能手机用品的2016年7~9月报价甚至与10~12月报价维持相同水准，预料2017年初市场需求不减，报价甚至有上涨的可能。
以1,300万画素的产品来看，2016年第1季~第2季单价下滑10%，第3季下滑仅约5%，第4季就停在与第3季相当的每个2~3美元水准。
造成CMOS影像传感器价格下滑趋势减缓的理由，主要在高阶智能手机转向采用双镜头设计，让高阶手机市场的CMOS影像传
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CMOS 影像传感器
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