- 本文主要对电路设计常用接口类型进行了简要说明，下面一起来学习一下： (1)TTL电平接口： 这个接口类型基本是老生常谈的吧，从上大学学习模拟电路、数字电路开始，对于一般的电路设计，TTL电平接口基本就脱不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以内，这是由于BJT的输入端存在几个pF的输入电容的缘故(构成一个LPF)，输入信号超过一定频率的话，信号就将“丢失”。它的驱动能力一般最大为几十个毫安。正常工作的信号电压一般较高，要是把它和信号电压较低的ECL电路接近时会产生比较明显的串扰问题。
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TTL CMOS
- 手机串口一般是CMOS电平，当把android手机当做开发板上的一个器件(比如利用android系统自带的GPRS模块，wifi模块，语音视频模块等等)看待时，常常会涉及到自己重写底层协议和驱动的情况，同时也会涉及到不同开发板不同电平之间的转换。最近在做一个利用android手机收发数据的实验，其中就涉及到了EIA电平和TTL电平的转换，TTL电平和CMOS电平的转换。现简要的总结下常用的TTL电平，CMOS电平和EIA电平，以及一些与上述电平有关集成逻辑电路和rs232串口的一些基本知识： 一、集
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TTL CMOS
- 据海外媒体报道，Sony 计划于 2018 年 3 月底前将使用于智能手机、数字相机等用途的 CMOS 影像传感器月产能扩增至 10 万片(以 12 吋晶圆计算)左右水准，大幅增加 14%。目前 Sony 月产能约 8.8 万片。
报导指出，因智能手机自拍用前置相机朝高性能化演进，加上车用、物联网(IoT)用需求增加，因此 Sony 决定增产因应。
根据 Sony 公布的财报数据显示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像传感器销售额年增 15% 至 5
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Sony CMOS
- 随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。
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MOS FinFET
- 除了传统的医疗和工业市场，3D成像和感知已经准备好征服消费者和汽车产业;生态系统热情洋溢，新的技术和应用将以破坏力改写市场现况…
根据法国市场研究公司Yole Developpement针对CIS产业现况进行的调查，2016年全球CIS市场达到了116亿美元的规模，在2016年至2022年间的年复合成长率(CAGR)为10.5%。
移动市场领域由于规模庞大及其专用性能，目前仍然是CMOS影像传感器(CIS)技术的主要应用。不过，安全与汽车应用也紧随其后，纷纷借由颠覆性的CIS
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CMOS 影像传感器
- 在过去的十年里，CMOS图像传感器(CIS)技术取得了令人瞩目的进展，图像传感器的性能也得到了极大的改善。自从在手机中引入相机以来，CIS技术取得了巨大的商业成功。
包括科学家和市场营销专家在内的许多人，早在15年前就预言，CMOS图像传感器将完全取代CCD成像设备，就像20世纪80年代中期CCD设备取代了视频采集管一样。尽管CMOS在成像领域占有牢固的地位，但它并没有完全取代CCD设备。
另一方面，对CMOS技术的驱动极大地提升了整个成像市场。CMOS图像传感器不仅创建了新的产品应用程序
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CMOS 图像传感器
- 在这样一个对数字电路处理有利的世界中，模拟技术更多地用来处理对它们不利的过程。但这个现象可能正在改变。 我们生活在一个模拟世界中，但数字技术已经成为主流技术。混合信号解决方案过去包含大量模拟数据，只需要少量的数字信号处理，这种方案已经迁移到系统应用中，在系统中第一次产生了模数转换过程。 模拟技术衰落有几个原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩尔定律适用于数字电路而不是模拟电路;晶体管可以而且必须做得更小，这有利于数字电路。但这对模拟晶体管的影响并不大，反而器件尺寸越小，模拟器件特性往往越差。器件的
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摩尔定律 FinFET
- 硅基CMOS技术是当今大多数电子产品依赖的主要技术。然而，为了电子行业的进一步发展，新技术必须开发具有能将CMOS与其他半导体器件集成的能力。欧洲最大的一项研究计划石墨烯旗舰项目(Graphene Flagship)，即以10亿欧元的预算将实验室石墨烯转向市场，参与市场化竞争。
现在，来自巴塞罗那光电科学研究所ICFO的石墨烯旗舰项目研究人员，宣称已经可以将石墨烯整合到CMOS集成电路中。这项工作在“Nature Photonics”上发表。
该团队将石墨烯CMOS
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图像传感器 CMOS
- 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预
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格芯 FinFET
- 大家都在谈论FinFETmdash;mdash;可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人mdash;mdash;除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜（FDSOI）的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未来会怎样呢？
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SoC Synopsys FinFET
- 随着安防视频监控系统工程中对夜视监控的需求越来越广，红外摄像机已经进入了摄像机的主流市场，销量与日俱增，在红外夜视技术应用上出现问题也逐渐暴露出来。本文就红外摄像机的技术问题以及选用时的注意事项作简单的探讨，用以和业界人士分享交流。
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红外监控 摄像机 CMOS
- 本文介绍了一款基于0.18微米工艺，采用ARM7TDMI IP为核心设计的用于数字电视条件接收模块(CAM)的高性能SoC芯片—SM1658的硬件体系结构，以及芯片结构上的一些特点和实现方法，同时也简单介绍了在此芯片上完成的底层软件开发平台。在SM1658芯片及其配套的软件开发平台的基础上，用户可以十分方便的完成符合欧洲DVB-CI标准的数字电视条件接收模块(CAM)的设计和CA系统的移植。
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CAS CMOS ARM 数字电视
- 时代发展，技术进步。数码相机的各种新技术层出不穷，导致消费者面对厂家宣传或者是相机参数列表中的一些专业词汇，一般都会感到非常难于理解，以致影响到购机前的判断。本文就为大家讲解一下现在出现率颇高的“背照式CMOS传感器”，分析一下此技术是好是坏。
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CCD 传感器 数码相机 CMOS 背照式
- 由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
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ALD 半导体制造 FinFET PVD CVD
- 随着计算机技术在电视领域中的不断应用，非线性编辑已成为电视台节目后期制作的主流方式，非编网作为电视台的核心之一，其可靠运行的重要性不言而喻。
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SCSI MDC CMOS CLP USB
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