- 揭开废弃纽扣电池的秘密-监视便携式设备或配套服务系统中纽扣电池的电压等级，对现代 CMOS 运算放大器来说是一项常见的简单应用。
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CMOS CR2032 德州仪器
- 所有这些干扰都是从哪里来的？-自从进入市场以来，CMOS 单电源放大器就给全球单电源系统设计人员带来了极大优势。影响双电源放大器总谐波失真 + 噪声 （THD+N） 特性的主要因素是输入噪声与输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的输入输出级。但是，输入级对 THD+N 的影响可让单电源放大器的这一规范属性变得复杂。
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CMOS 电源放大器 THD
- 硅光子芯片设计突破结构限制瓶颈-当今的硅光子芯片必须采用复杂的制造制程连接光源与芯片，而且也和晶圆级堆栈密不可分。
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硅光子 半导体芯片 CMOS 芯片设计
- cmos+忆阻器实现高效分布式处理兼存储功能的传感器架构-依靠忆阻器执行像素级自适应背景提取算法的成像传感器架构,与全cmos成像传感器相比，基于忆阻器的解决方案可取得更小的像素间距和非易失性存储功能，让设计人员能够使用可编程时间常数建立图像背景模型。
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cmos 忆阻器 传感器
- ccd与cmos的区别及六大硬件技术指标-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后产生电子的基本原理相同，但是读取过程不同：CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂，读出速率慢；CMOS 则以类似 DRAM的方式读出信号，电路简单，读出速率高。
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ccd cmos 图像传感器
- 图像传感器原理及分类-图像传感器是各种工业及监控用相机、便携式录放机、数码相机，扫描仪等的核心部件。目前，这个快速增长的市场现在已经延伸到了玩具、手机、PDA、汽车和生物等领域。
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图像传感器 CCD CMOS
- 详解先进的半导体工艺之FinFET-FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。
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FinFET 半导体工艺
- 随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后，10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。 台积电的对手三星 29 日也宣布，将开始导入 11 奈米的 FinFET，预计在 2018 年正式投产之外，也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。
根据三星表示，11 奈米 FinFET 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技术在物联网蓬勃发展的大环境下，以其低功耗、集成射频和存储、高性能等优势获得业界各方重视;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等为代表的企业的推动下，该产业链正逐步得到完善。此外，在中国大力发展集成电路的当口，FD-SOI技术还给中国企业带去更多的发展空间和机遇，如何充分利用FD-SOI技术优势，实现差异化创新成了众IC设计企业的探讨重点。此外，5G网络与物联网的不断进化，对RF技术革新的强烈需求，对RF SOI技术带来更广大的市场前景。
FD SOI生态系统逐步完
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FinFET 物联网
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力，从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z产品。 14HP是业内唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。该技术采用了17层金属层结构，每个芯片上有80多亿个晶体管，通过嵌入式动态随机存储器(DRAM)以及其它创新功能，达到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比，电路密度提高了15%，性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。这项技术
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格芯 FinFET
cmos finfet介绍
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