- 光，是人类永恒的话题。当80万年前第一团人造火在人类中生起，剧烈的氧化反应为阒寂的黑夜中带来了光与热。从此，光与暗便有了区别，人类不用在寒冷的长夜中等待夜阑。光，将人类聚集在一起，它吸引人类，同时也引导人类，暗夜不再骇人，星空从此璀璨。不知何时，一个智人，在火光的照映下，抬头仰望这星瀚。“我是谁，我从哪里来，又要到那里去？”他无法回答这些问题，但是在这团微弱火光之下，他已经迈出了人类科学的第一步——好奇与思考。 “景。光之人，煦若射，下者之人也高；高者之人也下。足蔽下光，故成景于上
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CMOS CCD 摄影 相机 历史
- 英特尔近期于美国檀香山举行的年度VLSI国际研讨会，公布Intel 4制程的技术细节。相较于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能组件库（library cell）的密度则是2倍，同时达成两项关键目标：它满足开发中产品的需求，包括PC客户端的Meteor Lake，并推进先进技术和制程模块。 英特尔公布Intel 4制程的技术细节。对于英特尔的4年之路，Intel 4是如何达成这些效能数据？ Intel 4于鳍片间距、接点间距以及低层金属间距等关键尺寸（Critic
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Intel 4 制程技术 FinFET Meteor Lake
- 源极和漏极之间的关断电容CDS(OFF)可用来衡量关断开关后，源极信号耦合到漏极的能力。它是固态继电器（如PhotoMOS®、OptoMOS®、光继电器或MOSFET继电器）中常见的规格参数，在固态继电器数据手册中通常称为输出电容COUT。CMOS开关通常不包含此规格参数，但关断隔离度是表征相同现象的另一种方法，关断隔离度定义为，开关关断状态下，耦合到漏极的源极的信号量。本文将讨论如何从关断隔离度推导出COUT，以及如何通过它来更有效地比较固态继电器和CMOS开关的性能。这一点很重要，因为CMOS开关适合
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ADI CMOS
- 虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。泛林集团在与比利时微电子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D®虚拟制造技术来探索端到端的解决方案，运用电路模拟更好地了解工艺变化的影响。我们首次开发了一种将SEMulator3D与BSIM紧凑型模型相耦合的方法，以评估工艺变化对电路性能的影响。这项研究的目的是优化先进节点FinFET设计的源漏尺寸和侧墙厚
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泛林 5nm FinFET
- KAC-12040 图像传感器是一款高速 1200 万像素 CMOS 图像传感器，为基于 4.7 μm 5T CMOS 平台的
4/3" 光学制式。该图像传感器具有非常快的帧速率、卓越的 NIR 灵敏度以及灵活的读取模式，且具有多个兴趣区 (ROI)。该读取结构可使用
8、4 或 2 个 LVDS 输出组，达到全分辨率每秒 70 帧的速度。每个 LVDS 输出组均有最多 8 个在 160 MHz DDR
下运行的差分对组成，每组 320 MHz
数据速率。该像素结构允许卷帘快门运
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KAC-12040 CMOS 图像传感器
- 该 3.1 百万像素传感器采用安森美半导体的 A-Pix™ 技术，通过全新的 2.2
微米像素传感器的卓越性能满足了不断发展的、以全高清视频为中心的监控市场的需求。AR0331 具有卓越的图像质量，其目标为 1/3
英寸光学格式监控摄像头主流市场。该传感器让监控摄像头制造商能够将性能升级到当前的 3
百万像素传感器设计，它带有业内最佳的功能集，将全高清视频和宽动态范围 (WDR) 功能以及内置的自适应局部色调映射相结合。这种新型传感器可在
60 fps 的速度下提供高达 1080p 的高清
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AR0331 CMOS 图像传感器
- 如今，随着商家的引导以及消费者的实际需求，手机摄像头的传感器越来越大，不少高端机型的CMOS图像传感器（CIS）尺寸已接近1英寸。根据长度换算，1英寸约等于25.4mm，不禁有人会疑惑，一个手机才几英寸？图像传感器有那么大么？是不是商家在虚假宣传？本期我们就来简单介绍一下CIS这个1英寸到底是什么？图像传感器尺寸是什么？一般来说，CIS的感光区域为一个较为规则的长方体，我们说的尺寸是指感光区域对角线的长度，再将其换算为英制单位，也就是英寸。这个方式与我们计算手机尺寸类似，说的尺寸指的都是对角线的长度。但是
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CMOS 图像传感器
- 观察2021年主导半导体产业的新技术趋势，可以从新的半导体技术来着眼。基本上半导体技术可以分为三大类，第一类是独立电子、计算机和通讯技术，基础技术是CMOS FinFET。在今天，最先进的是5奈米生产制程，其中有些是FinFET 架构的变体。这是大规模导入极紫外光刻技术，逐步取代多重图形光刻方法。 图一 : 半导体的创新必须能转化为成本可承受的产品。我们知道，目前三星、台积电和英特尔等主要厂商与IBM 合作，正在开发下一代3/2奈米，在那里我们会看到一种新的突破，因为他们最有可能转向奈米片全环绕
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CMOS FinFET ST
- 中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户不断进来。在最近的财报电话会上，中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示“我们的FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户多样化，不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态，客户不断进来。”根据之前的报道，中芯国际的FinFET工艺有多种类型，其中第一代FinFET工艺是14nm及改进型的12nm，目前1.5万片产能的主要就是14/12nm工艺，第二代则是n+1、n+2工艺，已
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中芯国际 FinFET
- 对于各大智能手机厂商来说，目前可供选择的高端手机CMOS图像传感器供应商不多，主要是索尼和三星。 1月14日，有消息称，英国调查公司Omdia在最近的报告中指出，三星于去年12月开始，已将CMOS图像传感器（CIS）的价格提高了40%。此外，其他其他CIS供应商的价格也提升了20%左右。 根据报告显示，“产能不足”是此次涨价的主要原因！去年下半年，CMOS图像传感器就已处于全球大缺货的状态，根据TechnoSystem
Research调查数据显示，2019年CMOS影像传感器年产值159亿美元，
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三星 CMOS
- 要点： 用于GF 12LP+解决方案的DesignWare IP核产品组合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 两家公司之间的长期合作已成功实现了DesignWare IP核从180纳米到12纳米的开发，可应用于广泛领域新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）今日宣布与GLOBALFOUNDRIES®（GF®）开展合作，开发用于G
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新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
- 如今智能手机的拍照摄像能力越来越强，不过手机的摄像头也越做越大，搞得现在许多手机不仅更加厚重，而且摄像头的凸起部分也越来越多。而这些都与CMOS尺寸变大和单像素面积增大有关，三星也发现了这一问题，并于近日推出了四个单像素0.7μm大小的ISOCELL图像传感器。这四个CMOS分别为1亿800万像素的HM2、6400万像素的GW3，4800万像素的GM5以及3200万像素的JD1，它们相比0.8μm单像素的CMOS均要缩小15％，并可让相机模块的高度减少了10%。由于外形尺寸较小，因此这4颗CMOS可以有效
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三星 CMOS
- 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 近日开始备货Skyworks Solutions的OLI300、OLS300、OLI500和OLS500高速光耦合器。这些光耦合器在输入端和输出端之间具有1500VDC电气隔离，设计用于航空电子、生物医学材料、雷达、航天、监控系统、仪器仪表和军事通信等应用。OLI300和OLS300光耦合器适用于将晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 连接到低功耗肖特基晶体管-晶体管逻辑 (LSTTL)。这两款光耦合器还适合用在互
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TTL CMOS LSTTl LEd
- 随着半导体制程不断发展，嵌入式系统开发人员受益良多，但这却为应用处理器用户带来一个难题——用户需要对其设备及收发的数据进行高度安全保护。因为生产应用处理器所采用的CMOS制程，与储存启动码、应用程序代码、以及敏感数据的非挥发性芯片内建NOR Flash使用的制造技术之间差异越来越大。虽然当今先进应用处理器大多是采用次10纳米的制程，NOR Flash制程却因技术上的基本物理特性限制而落后好几代。如今，浮栅闪存电路仍应用于40纳米以上制程所制造的器件。换言之，闪存无法嵌入最先进、最高效能的处理器芯片内。因此
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IoT CMOS SPI
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