- IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）发布声明，否认“三星代工业务 3nm 晶圆缺陷”的报道，认为这则传闻“毫无根据”。此前有消息称三星代工厂在量产第二代 3nm 工艺过程中发现缺陷，导致 2500 个批次（lots）被报废，按照 12 英寸晶圆计算，相当于每月 65000 片晶圆，损失超过 1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 52.34 亿元人民币）。三星驳斥了这一传言，称其“毫无根据”，仍在评估受影响生产线的产品现状。业内人士认为，报道中的数字可能被夸大了，并指出三星的
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三星 3nm 晶圆代工
- 英特尔周三表示，其名为Intel 3的3nm级工艺技术已在两个工厂进入大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的电压，适用于超高性能应用。该节点针对的是英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内发展。英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示：“我们的英特尔3正在俄勒冈州和爱尔兰的工厂进行大批量生产，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'处理器
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Intel 3 3nm 工艺
- 此前有报道称，明年谷歌可能会改变策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更换代工厂，改用台积电代工，至少在制造工艺上能与高通和联发科的SoC处于同一水平线。为了更好地进行过渡，谷歌将扩大在中国台湾地区的研发中心。随后泄露的数据库信息表明，谷歌已经开始与台积电展开合作，将Tensor
G5的样品发送出去做验证。据Wccftech报道，谷歌与台积电已达成了一项协议，后者将为Pixel系列产品线生产完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困扰，而Tenso
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- 6月23日消息，据媒体报道，Exynos 2500的良品率目前仅为20%，远低于量产标准，但三星仍在积极寻求解决方案，以期在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC，该工艺相较于前代4nm FinFET工艺，在能效和密度上预计有20%至30%的提升。然而，低良品率的问题可能导致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平台，这将增加成本并可能影响产品定价。三星对Exynos 2500寄予厚望，该芯片在性能测试中显示出超越高通第三代骁龙8的潜力
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- 据外媒报道，英特尔周三表示，其名为“Intel 3”的3nm制程技术已在俄勒冈州和爱尔兰工厂开始大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。据介绍，新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的超高性能应用电压。该节点既针对英特尔自己的产品，也针对代工客户，将在未来几年不断发展。英特尔一直将Intel 3制造工艺定位于数据中心应用，这些应用需要通过改进的晶体管（与Intel 4相比）、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持<0.6V低压以及&g
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- 6月17日，据台媒《工商时报》报道，在产能供不应求的情况下，台积电将针对3nm/5nm先进制程和先进封装执行价格调涨。其中，3nm代工报价涨幅或在5%以上，而2025年度先进封装报价也将上涨10~20%。
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- 6月16日消息，据媒体报道，随着台积电3纳米供不应求，预期台积电3纳米订单满至2026年，NVIDIA、苹果、AMD和高通等都在考虑提高AI硬件价格。在AI服务器、HPC应用与高阶智能手机AI化驱动下，苹果、高通、英伟达、AMD等四大厂传大举包下台积电3纳米家族制程产能，并涌现客户排队潮，一路排到2026年。业界认为，在客户抢着预订产能下，台积3纳米家族产能持续吃紧，将成为近二年常态。由于供不应求的局面，台积电正在考虑将部分5纳米设备转换为支持3纳米产能，预计月产能有望提升至12万片至18万片。尽管台积电
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- 美中贸易战冲突未歇，传出美国将再次出手打击大陆半导体产业，针对最新的环绕闸极场效晶体管（GAA）技术祭出限制措施，限制其获取人工智能（AI）芯片技术的能力，换言之，美国将防堵大陆取得先进芯片，扩大受管制的范围。 美国财经媒体引述知情人士消息报导，拜登政府考虑新一波的半导体限制措施，以避免大陆能够提升技术，进而增强军事能力，有可能限制大陆取得GAA技术，但确切状况仍得等官方进一步说明，且不清楚官员何时会宣布新措施。若此事成真，大陆发展先进半导体将大受打击。目前三星从3纳米开始使用GAA技术，台积电则从2纳米
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- 芯片设计公司Arm今日发布了针对旗舰智能手机的新一代CPU和GPU IP（设计方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新产品均使用了其最新的Armv9架构，基于台积电3nm制程工艺方案，针对终端设备在AI应用上的性能进行设计优化。此外还将提供软件工具，让开发人员更容易在采用Arm架构的芯片上运行生成式AI聊天机器人和其他AI代码。预计搭载最新内核设计的手机将于2024年底上市。据官方介绍，新的CPU与GPU IP是目前旗下同类产品中性能最强的一代，新CPU性能提升3
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- IT之家 5 月 27 日消息，X 平台消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料，表示英伟达有望于明年推出的首款 AI PC 处理器将采用英特尔“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回应另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文时发表这一看法的：@XpeaGPU 认为英伟达的 WoA SoC 将搭载 Arm Coretex-X5 架构 CPU 内核、英伟达 Blackwell 架构 GPU，封装下一代 LPDDR6 内存，并基于台积电 N3P 制程。
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- IT之家 5 月 24 日消息，台积电高管黄远国昨日在 2024 年台积电技术论坛新竹场表示，该企业将在今年新建七座工厂，而今年的 3nm 产能将达到去年的四倍。具体而言，台积电 2024 年将在全球建设 5 座晶圆厂和 2 座先进封装厂。台积电位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圆厂均面向 2nm 制程，目前都处于设备进驻阶段，预计 2025 年陆续进入量产。IT之家早前报道中也提到，台积电已确认其欧洲子公司 ESMC 位于德国德累斯顿的首座晶圆厂将于今年四季度动工，预估 202
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- 全球半导体大厂韩国三星即将在今年上半年量产的第2代3nm制程，不过据韩媒指出，三星3nm制程目前良率仅有20%，相较于台积电N3B制程良率接近55%，还不及台积电良率的4成，使得三星在争夺英伟达（NVIDIA）代工订单受挫。外媒分析称，三星恐怕要在先进制程上多加努力，才有可能与台积电竞争，留住大客户的订单。据《芯智讯》引述韩媒的报导说，本月初EDA大厂新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯
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- IT之家 5 月 17 日消息，台积电近日举办技术研讨会，表示其 3nm 工艺节点已步入正轨，N3P 节点将于 2024 年下半年投入量产。N3P 基于 N3E 工艺节点，进一步提高能效和晶体管密度。台积电表示 N3E 节点良率进一步提高，已经媲美成熟的 5nm 工艺。IT之家查询相关报道，台积电高管表示 N3P 工艺目前已经完成质量验证，其良品率可以接近于 N3E。作为一种光学微缩工艺，N3P 在 IP 模块、设计规则、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此台积电表示整个过渡过程非常顺利。N
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- 最新消息，台积电官网宣布，在亚利桑那州建设的第二座晶圆厂制程工艺将由最初计划的3nm升级为更先进的2nm，量产时间也由2026年推迟到了2028年。2022年12月6日，在台积电亚利桑那州第一座晶圆厂建设两年多之后宣布建设第二座晶圆厂。在今年一季度的财报分析师电话会议上，CEO魏哲家提到这一座晶圆厂已经封顶，最后的钢梁已经吊装到位。对于将第二座晶圆厂的制程工艺由最初计划的3nm提升到2nm，台积电CEO魏哲家在一季度的财报分析师电话会议上也作出了回应，他表示是为了支持AI相关的强劲需求。在OpenAI训练
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- 最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题，未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划，还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是，Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构，升级之处在于将采用全新的
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