最近，铠侠和西部数据的合并已经传来消息，或将于本月达成合并协议。当初，业内听到这两大存储企业的合并是非常惊讶的，毕竟铠侠在 NAND 领域世界排名第二、西部数据排在第四，这两大巨头的合并可以震动存储市场。具体来看一下，目前两家企业的合并方式。西部数据这边将拆分 NAND Flash 闪存部门，与铠侠合并。在合并后成立新的控股公司，在交换新公司所需数量的股份后，西部数据将保留 50.1% 的资产，其余 49.9% 将归铠侠所有。新的公司在美国注册，但总部设置在日本，并且股票将在美国和东京证劵交易所上市，采用
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NAND
近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
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三星 第九代 V-NAND 闪存
三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。据外媒，三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。报道中称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。此前消息称，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其他许可。据了解，目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。
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三星 NAND 西安
据悉，三星电子经营高层日前做出决定，将升级位于中国西安的 NAND 闪存工厂，为完成工厂制程升级已下单采购最新半导体设备，或将于今年年底开始引进新设备。西安工厂是目前三星电子位于海外的唯一内存芯片生产基地，2014 年开始投产，经 2020 年扩建二期项目后，目前每月生产 20 万张 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 闪存生产基地，占三星电子 NAND 芯片总产量的 40% 以上。三星电子计划明年在西安工厂内部署生产 236 层（第 8 代）NAND 芯片的设备，并依次完成工艺转换。2022 年 1
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三星电子 NAND
据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示，由于供应商严格控制产出，NAND
Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且服务器领域对Enterprise
SSD需求回温，否则在缺乏需求作为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面，由于原厂及模组厂均积极涨价，促使PC
OEM欲在价格相对低点预备库存，采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量，已在第三季推出促销，故Client
SSD价格没有
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NAND Flash TrendForce
● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平，以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布，其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员，现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
10月9日，韩国总统办公室通报，美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下，三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备，该决定一经通报即生效。据悉，无限期豁免将通过更新Validated End-User（VEU）清单来取得。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示，“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示，“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信，这一决定将
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半导体设备
受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示，DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均价跌幅收敛至 13%～18%，Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似，NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%，今年 Q1 NAN
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NAND SSD DRAM
3D ToF智能相机能藉助飞时测距（Time of Flight；ToF）技术，在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料，确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅，加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发，隔离政策改变人们的消费模式与型态，导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长；于此同时，人员移动的管制，也间接造成人力不足产生缺工问题，加速物流仓储行业自动化的进程，进而大量导入无人搬运车AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D ToF 相机 物流仓储 自动化 台达
尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。对DRAM芯片而言，先进制程意味着高能效与高容量，以及更好的终端使用体验。当前，DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代，美光称之为1β DRAM，三星称之为1b DRAM。美光去年10月开始量产1β DRAM之后，计划于2025年量产1γ
DRAM，这将是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV
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DRAM NAND 存储
10 月 6 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，IT之家此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动
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三星 NAND flash 涨价
面对美国的护栏最终规则，韩国半导体公司被建议改变中国市场战略据韩国新闻媒体报道，随着拜登政府最终确定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）资金分配和限制的国家安全护栏，韩国半导体公司可能不得不改变他们在中国的业务，并利用其在那里的成熟节点能力来针对国内需求的产品。关于最终规则对三星和SK海力士的影响，人们有不同的意见。但有一点是肯定的：希望获得CHIPS法案资助的公司在美国扩大产能的公司将不得不接受拜登政府设定的条件，并在未来10年内避免在中国进行实质性产能扩张。商务部的新闻稿显示，补贴接受者在
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CHIPS法案 韩国半导体 DRAM NAND
IT之家 9 月 27 日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估 NAND Flash 价格回暖之后，DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损，2023 年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹，9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产，主要集中在 128 层以下产品中，在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
据TrendForce集邦咨询研究显示，第二季NAND
Flash市场需求仍低迷，供过于求态势延续，使NAND
Flash第二季平均销售单价（ASP）续跌10~15%，而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%，合计第二季NAND
Flash产业营收环比增长7.4%，营收约93.38亿美元。自第二季起，三星（Samsung）加入减产行列，且预期第三季将扩大减产幅度，供给收敛的同时也在酝酿涨价，供过于求态势有望因此获得改善。不过，由于NAND
Flash产业供应商家数多，在库存仍高的情
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NAND Flash TrendForce
近日，三星（Samsung）为应对需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，据TrendForce集邦咨询调查，其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度，目的加速库存去化速度，预估第四季NAND
Flash均价有望因此持平或小幅上涨，涨幅预估约0~5%。价格方面，如同年初TrendForce集邦咨询预测，NAND Flash价格反弹会早于DRAM，由于NAND
Flash供应商亏损持续扩大，销售价格皆已接近生产成本，供应商为了维持营运而选择扩大减产，以期带动价
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