内存和存储芯片制造商三星发布了其首款容量高达60TB的企业级固态硬盘（SSD），专为满足企业用户的需求而设计。得益于全新主控，三星表示未来甚至可以制造120TB的固态硬盘。对比2020年发布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技术的QLC闪存、堆叠层数为96层、最大容量为15.36TB，显然BM1743的存储密度有了大幅度提升。三星以往的固态硬盘容量上限为32TB，此次推出的BM1743固态硬盘则将容量提升至了惊人的60TB。值得注意的是，目前三星在该细分市场将面临的竞争相对较少，因
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三星 固态硬盘 V-NAND
《科创板日报》4日讯，铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND
Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND
Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。 (MoneyDJ）
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铠侠 NAND Flash
近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031
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铠侠 3D NAND堆叠
6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
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SK海力士 3D DRAM
● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析，帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具，能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件，可针对 3D
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西门子 Calibre 3DThermal 3D IC
随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，NAND 闪存市场也感受到了这一趋势的影响。目前，NAND 闪存市场的竞争正在加剧，存储巨头三星和 SK 海力士正加紧努力，以提升 NAND 产品的性能和容量。两大巨头轮番出手三星投产第九代 V-NAND 闪存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，这将有助于巩固其在 NAND 闪存市场的卓越地位。那么 V-NAND 闪存是什么呢？众所周知，平面 NAND 闪存不仅有 SLC、MLC 和 TLC 类型之分，
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三星 第九代 V-NAND
据日经新闻报道，鉴于市场正在复苏，日本存储芯片厂商铠侠已结束持续20个月的减产行动，且贷方同意提供新的信贷额度。报道称，铠侠于6月份将位于三重县四日市和岩手县北上市的两座NAND工厂的生产线开工率提高至100%。而随着业务好转，债权银行已同意为6月份到期的5,400亿日元（34.3亿美元）贷款进行再融资。他们还将设立总额为2,100亿日元的新信贷额度。2022年10月，为应对需求低迷的市场环境，铠侠发布声明称，将调整四日市和北上市NAND Flash晶圆厂的生产，将晶圆生产量减少约30%，并表示会继续根据
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铠侠 NAND
IT之家 6 月 14 日消息，韩媒 Sedaily 转述市场分析机构 Omdia 的话称，2027 年 QLC 市场规模将占到整体 NAND 闪存的 46.4%，仅略低于 TLC 的 51%。作为对比，Omdia 认为 2023 年 QLC 闪存市场份额占比仅有 12.9%，今年这一比例将大幅增至 20.7%。换句话说，未来三年 QLC 在 NAND 市场整体中的占比将在今年的基础上继续提升 1.24 倍，达 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市场渗透主要
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QLC NAND 闪存
据外媒报道，三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）”作为下一代NAND闪存材料，希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND，并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测，到2030年左右，其3D NAND的堆叠层数将超过1000层。三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroel
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三星 NAND 存储
IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 内存 存储 三星
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星 NAND Flash
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000
TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的
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三星 1000层 NAND
· 作为业界最高性能产品，将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40%· “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高
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SK海力士 AI 存储 NAND
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