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3d-nand 文章 进入3d-nand技术社区

存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世

  • 近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
  • 关键字： 300层  NAND Flash  SK海力士  

平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
  • 关键字： 3D DRAM  存储器  

(2023.3.20)半导体周要闻-莫大康

  • 半导体一周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非：华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日，华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼，为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖，华为总裁任正非发表了讲话，部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示，在美国制裁华为这三年期间，华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等，直到现在电路板才稳定下来，因为有了国产的零部件供应。任正非表示，华为现在还属于困难时期，但在前进的道路上并没有停步
  • 关键字： 半导体  莫大康  华为  NAND  光刻机  

均价跌幅扩大，2022年第四季NAND Flash总营收环比下跌25%

  • TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最剧烈的产品，跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得第四季NAND Flash位元出货量环比增长仅5.3%，平均销售单价环比减少22.8%，2022年第四季NAND Flash产业营收环比下跌25.0%，达
  • 关键字： 集邦  NAND Flash  

外媒：存储大厂正在加速3D DRAM商业化

  • 据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
  • 关键字： 存储  3D DRAM  

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。  “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
  • 关键字： 芯和半导体荣  3D InCites  Herb Reiter  年度最佳设计工具供应商奖  

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
  • 关键字： 芯和半导体  3D InCites  Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖  

支持下一代 SoC 和存储器的工艺创新

  • 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
  • 关键字： 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

不是“空中楼阁”：努比亚Pad 3D搭载全球最大Leia 3D内容生态

  • 近日，努比亚宣布，将在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驱动3D平板：努比亚Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鲜技术， 这难免让人怀疑这款努比亚Pad 3D的最大卖点，是否会向其他同类产品一样，沦为“空中楼阁”。而今天，努比亚打消了用户的这一顾虑。今天，努比亚官方宣布， 努比亚Pad 3D将搭载全球最大的Leia 3D内容生态系统，包含大量运用裸眼3D技术的App，并获得了来自多个包括Unity、UNREL等游戏引擎，以及GAMELOFT等游戏开发商的内容支持。
  • 关键字： 努比亚  MWC  3D  游戏引擎  

西部数据宣布进一步削减生产和投资，NAND 晶圆产量将减少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，在内存半导体行业持续低迷的情况下，全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示，2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元（当前约 156.17 亿元人民币）。据IT之家了解，这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元（当前约 183.33 亿元人民币）下降了 14.8%，与 2022 年 8 月公布
  • 关键字： NAND  内存  西部数据  

意法半导体和钰立微电子在 CES 2023上展出合作成果： 适用于机器视觉和机器人的3D 立体视觉摄像头

  • 双方将通过立体摄像头数据融合技术演示3D立体深度视觉， *AIoT      、AGV小车和工业设备依靠3D立体摄像头跟踪快速运动物体参考设计利用意法半导体的高性能近红外全局快门图像传感器，确保打造出最佳品质的深度感测和*点云图资讯2023年1月5日，中国----在 1 月 5 日至 8 日举行的拉斯维加斯CES 2023 消费电子展上，服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)，和专
  • 关键字： 意法半导体  钰立  CES 2023  机器视觉  3D 立体视觉摄像头  

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
  • 关键字： NAND Flash  

基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现

  • 在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
  • 关键字： NAND FLASH  FPGA  坏块  坏块检测  202212  

如何达到3D位置感测的实时控制

  • 本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识，并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途；以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加，从工业机器人、自动化系统，到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择；它们具有高重复性和可靠性，还可以与窗户、门和外壳搭配，进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此，使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器（MCU）介接，以
  • 关键字： 3D位置感测  实时控制  3D 霍尔效应传感器  

全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货

  • 12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。据官方介绍，美光2550是全球首款采用200+层NAND技术的客户端SSD，该产品基于PCIe 4.0架构，采用美光232层NAND技术，加强了散热架构和低功耗设计。美光2550 SSD可在包括游戏、消费和商用客户端等主流PC平台上提升应用程序的运行速度和响应灵敏度。与竞品相比，2550 SSD文件传输速度快112%，办公应用运行速度快67%，主流游戏加载速度快57%，内容创
  • 关键字： 美光  232层  NAND  SSD  
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