在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
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NAND FLASH FPGA 坏块 坏块检测 202212
本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识，并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途；以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加，从工业机器人、自动化系统，到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择；它们具有高重复性和可靠性，还可以与窗户、门和外壳搭配，进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此，使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器（MCU）介接，以
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3D位置感测 实时控制 3D 霍尔效应传感器
12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。据官方介绍，美光2550是全球首款采用200+层NAND技术的客户端SSD，该产品基于PCIe
4.0架构，采用美光232层NAND技术，加强了散热架构和低功耗设计。美光2550
SSD可在包括游戏、消费和商用客户端等主流PC平台上提升应用程序的运行速度和响应灵敏度。与竞品相比，2550 SSD文件传输速度快112%，办公应用运行速度快67%，主流游戏加载速度快57%，内容创
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美光 232层 NAND SSD
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
2022年11月16日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人脸识别门禁系统方案。 图示1-大联大世平基于耐能Kneron产品的3D AI人脸识别门禁系统方案的展示板图 在现代化经济建设和智能管理的驱动下，人工智能门禁系统作为安防基础核心迎来了前所未有的广阔前景。特别是在疫情这个特殊情境下，各种酒店、宾馆、写字楼、智能大厦、政府机关等单位，对于多功能智能门禁系统的需求更是日益攀高。在此趋势下，大
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大联大世平 耐能 Kneron 3D AI 人脸识别门禁
新闻重点· 随着业界首次采用 Arm 2022 全面计算解决方案，Arm 持续提高安卓生态系统的性能标杆· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光线追踪，将为高级移动游戏提供超真实的图形性能· Arm Cortex-X3 所提供的计算基础可为新一代智能手机提供具有智能能效的旗舰性能Arm® 今日宣布，MediaTek 近期发布的天玑 9200 移动芯片采用了 Arm 旗舰级 GPU Arm Immortalis™-G
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Arm Immortalis 3D 游戏
作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi
Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
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三星 V-NAND 存储密度
IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，
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NAND 闪存用于各种消费和工业产品，从笔记本电脑和手机到工业机器人、医疗设备和嵌入式物联网设备，如传感器和控制器。 在我们日益互联的世界中，这些应用程序中的所有脆弱点都需要足够和强大的安全措施，包括数据存储系统。 因此，在选择或设计 NAND 闪存存储系统时，必须确保存储器的安全性满足应用程序的要求。执行现代安全技术需要足够的处理能力。 作为存储系统的“大脑”，NAND闪存控制器必须足够强大以支持整个存储系统所需的安全级别。 本文概述了 NAND 闪存的安全性，涵盖了最常见的硬件和软件技术，有助于告知读
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存储系统 数字安全 海派世通 NAND
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
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台积电10月27日宣布，成立开放创新平台（OIP）3D
Fabric联盟以推动3D半导体发展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯电子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、创意电子、IBIDEN、西门子、Silicon
Creations、矽品精密工业、Teradyne、Unimicron19个合作伙伴同意加入。据悉，3DFabric联盟成员能够及早取得台积电的3DFabric技术，使得他们能够与台积电同步开发及优化解决方案，也
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台积电 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
- 长期批量供应协议即刻生效- 为下一代 3D 传感应用开发 VCSEL 技术- 进一步加强 IQE 作为 3D 传感市场领导者的地位 IQE plc（AIM 股票代码：IQE，以下简称“IQE”或“集团”），全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材
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IQE VCSEL 3D 传感
西门子数字化工业软件近日推出Tessent Multi-die软件解决方案，旨在帮助客户加快和简化基于2.5D和3D架构的新一代集成电路（IC）关键可测试性设计（DFT）。随着市场对于更小巧、更节能和更高效能的IC需求日益提升，IC设计界也面临着严苛挑战。下一代组件正倾向于采用复杂的2.5D和3D架构，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式连接多个晶粒，使其能够作为单一组件运作。但是，这种做法为芯片测试带来巨大的挑战，因为大部分传统的测试方法都是基于常规的2D流程。为了解决这些挑战，西门子推出Tess
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西门子 2.5D 3D 可测试性设计
10月17日，2022年世界技能大赛特别赛韩国赛区闭幕式举行，中国6名选手获得3枚金牌、1枚铜牌和2个优胜奖，实现多个项目上金牌和奖牌零的突破。 本次特别赛韩国赛区比赛于10月12日开幕，共举行8个项目的比赛，吸引了来自34个国家和地区的130余名选手参赛。中国选手参加其中6个项目的角逐。 其中，来自广州市工贸技师学院的选手杨书明获得移动应用开发项目金牌，成为本次大赛该新增项目首个金牌获得者。 来自深圳技师学院的选手罗凯、陈新源分别获得3D数字游戏艺术项目、云计算项目金牌，实现我国在这两个项目上
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世界技能大赛 3D 云计算
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
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SK海力士 DRAM NAND
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