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3d-nand 文章 进入3d-nand技术社区

预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示，尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是，NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅，但由于短期内涨幅过高，需求脚步却跟不上，后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一，随着部份供应商产能利用率提早拉升
  • 关键字： NAND Flash  TrendForce  

SSD 正迎来量价齐升

  • 2023 已近尾声，跌跌不休的存储行情终在四季度发生逆转，尤其以 Flash Wafer 为代表的产品在 9 月、10 月、11 月的价格连续上涨，站在目前的时间节点，虽然从需求端看完全改善还需时日，但在各大原厂积极减产的作用下，供应已经大幅度收紧。根据 CFM 闪存市场数据，自 10 月份以来，现货市场 NAND Flash 价格指数涨幅已达 40%。近日西部数据更是直接打响了 NAND 大涨价的第一枪。NAND 大涨价！近日，全球第四大 NAND Flash 供应商西部数据对客户发出涨价通知信。在信中
  • 关键字： SSD  NAND  

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
  • 关键字： 存储  DRAM  NAND Flash  

日本东芝正式退市

  • 据日媒报道，12月20日，日本东芝公司正式退市，结束其作为一家上市公司74年的历史。今年8月起，以日本国内基金“日本产业合作伙伴”（JIP）为主的财团正式开始向东芝发起总额约2万亿日元的要约收购。东芝在官网发布的文件中称，该财团将从普通股东收购剩余股份，将东芝收购为全资子公司。公开资料显示，东芝创立于1875年，距今已有140多年的历史。东芝是日本制造业的代表之一，在家电、电气、能源、基建等领域都有巨大影响力。此外，东芝还是日本最大的半导体制造商，曾发明NAND闪存芯片。
  • 关键字： 东芝  家电  NAND  闪存  退市  

集邦咨询称 2024Q1 手机 DRAM、eMMC / UFS 均价环比增长 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨询近日发布报告，预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）环比增长 18-23%，而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健，由于存储器价格涨势明确，带动买方积极扩大购货需求，以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低，加上原厂减产效应作用，这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
  • 关键字： 存储  DRAM  NAND Flash  

明年半导体暴增20%，哪些赛道市场回暖？

  • 今年的半导体可谓寒风瑟瑟，市场下滑的消息从年头传到年尾，半导体企业也疲于应对萧瑟的市场环境，不断传出减产、亏损的消息。熬过冬就是春，最近的半导体市场总算是迎来了一些好消息。IDC 最新的预测，认为半导体市场已经触底，明年开始半导体将会加速恢复增长。在它的预测中，2023 年全球半导体市场收入从 5188 亿美元上调至 5265 亿美元，2024 年收入预期也从 6259 亿美元上调至 6328 亿美元。到明年，全球半导体收入将同比增长 20.2%。IDC 全球半导体供应链技术情报研究经理 Rudy Tor
  • 关键字： NAND flash  射频前端  CPU  模拟芯片  

300层之后，3D NAND的技术路线图

  • 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
  • 关键字： 3D NAND  

TDK发布适用于汽车和工业应用场景的全新ASIL C级杂散场稳健型3D HAL传感器

  • ●   HAL 3930-4100（单芯片）和 HAR 3930-4100（双芯片）是两款精确的霍尔效应位置传感器，具备稳健的杂散场补偿能力，并配备 PWM 或 SENT 输出接口●   单芯片传感器已定义为 ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达 ASIL D 级●   目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
  • 关键字： TDK  ASIL C  3D HAL传感器  

存储市场前瞻：DDR5 需求显著增长、AI 崛起让手机内存迈入 20GB 时代

  • IT之家 11 月 24 日消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨，并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估，2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%，上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM：根据国外科技媒体 WccFtech 报道，2024 年手机的一个明显变化是
  • 关键字： 闪存  DRAM  NAND  

越便宜越没人买！全球SSD出货量暴跌10% 用户买涨不买跌

  • 11月22日消息，据TrendForce最新报告，2022年全球SSD出货量为1.14亿块，同比下降10.7%。报告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影响，SSD出货量不高；但在2022年下半年供应情况已经极大缓解，渠道SSD市场恢复正常供需状态。随着个人电脑和计算机硬件市场的萎缩，固态硬盘的需求依然疲软，而更多的用户也是买涨不买跌（便宜了还能更便宜，便宜反而买单的人锐减）。TrendForce称，由于NAND闪存供应商积极减产，导致整个行业价格上涨，市场情绪在2022年第三季度末"迅速
  • 关键字： SSD  固态硬盘  闪存  NAND  

一文看懂TSV技术

  • 前言从HBM存储器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市场上有许多芯片是用英文称为TSV构建的，TSV是首字母缩写，TSV（Through Silicon Via）中文为硅通孔技术。它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。在本文中，我们将告诉您它们是什么，它们如何工作以及它们的用途。在2000年的第一个月，Santa Clara Universi
  • 关键字： 芯片  TSV  HBM  NAND  先进封装  

市况好转 内存厂Q3获利嗨

  • NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
  • 关键字： 内存  ​NAND Flash  DRAM  

2023年慕尼黑华南电子展：EEPW&东芯半导体股份有限公司

  • 在本次展会上，东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年，作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总，这次在2023年慕尼黑华南电子展上，陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
  • 关键字： 东芯半导体  NAND  NOR  DRAM  存储  

SK 海力士

  • 韩国芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在经历了又一个利润率和收入下降的季度后，表现得很勇敢，强调了需求的逐步恢复，以及在今年早些时候削减资本支出后，计划在 2024 年增加资本支出。在第三季度财报电话会议上，首席财务官 Kim Woohyun 指出，对高性能存储芯片的需求不断增长，降低了销售额的下降率。然而旗舰智能手机的发布和人工智能服务器部署的激增推动了芯片需求。"我们相信，内存行业终于度过了严重的低迷期，正在进入全面复苏阶段"。Kim指出，该公司的目标是通过考虑投资效率和
  • 关键字： SK海力士  韩国  NAND  

预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨

  • 据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate
  • 关键字： Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  
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