据赛微电子消息，近日，2023年度国家重点研发计划“智能传感器”重点专项“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目启动暨实施方案论证会在北京经济技术开发区召开。该项目由赛微电子控股子公司赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司牵头，联合武汉大学、苏州大学、中国科学院空天信息创新研究院、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、武汉敏声新技术有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、成都纤声科技有限公司、上海矽睿科技股份有限公司等单位共同实施。资料显示，赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司专业从事半导体晶
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传感器 MEMS 赛微电子
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
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5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
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联电 3D IC
光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
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Zivid 3D 机器人
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
意法半导体的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS传感器功能评估开发工具，与STM32微控制器生态系统的关系密切，支持Windows、MacOS和 Linux操作系统。从评估到配置和编程，通过整合统一传感器开发流程，MEMS Studio 可以加快传感器应用软件开发，简化在开发项目中增加丰富的情境感知功能。增强的功能有助于应用轻松获取传感器数据，并清晰地显示可视化的传感器数据，方便开发者探索传感器工作模式，优化传感器性能和测量准确度。软件包中还有预构建库测试工具，以及方便的鼠
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意法半导体 MEMS Studio MEMS
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售Melexis的MLX90830 Triphibian™ MEMS压力传感器。MLX90830采用悬臂设计，可测量各种环境下的气体和液体压力，精度高，可靠性强。该传感器既可作为独立器件使用，也可嵌入到电动汽车热管理系统的膨胀阀、电子压缩机或泵中，是HVAC-R应用的理想选择。Melexis MLX90830传感器是率先采用Triphibian
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Melexis MEMS 贸泽 压力传感器
MEMS传感器是当今最热门的传感器种类，MEMS技术使传感器微型化、低功耗、集成化成为可能，是未来传感器技术的发展方向之一。本文编译自传感器宝典——《现代传感器手册——原理、设计和应用》，说明了MEMS电容式传感器、MEMS触觉传感器、MEMS压电式加速度计等常见传感器的原理和构造，可选自己感兴趣的部分MEMS传感器知识阅读。如需《现代传感器手册——原理、设计和应用》（美第五版，790P，PDF）一书电子文档，可在传感器专家网公众号后台回复【现代传感器手册】获取下载链接。本文内容较全面，可按目录获取需要的
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MEMS 传感器
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
2023 年 12 月 24 日，北京赛微电子股份有限公司发布关于全资子公司 MEMS-OCS 启动量产的公告，全资子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的缩写，即微电子机械系统，简称为微机电系统）工艺为某客户制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的缩写，即光链路交换器件）完成了工艺及性能验证（工艺开发与试产的总耗费时间超过 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到该客户发出的
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MEMS-OCS 赛微电子
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
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