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3d-mems 文章 最新资讯

AOI+AI+3D 检测铁三角成形

  • 疫情突显产业供应链中断和制造业缺工问题,加上少量多样需求成趋势,迫使制造业快速转型,走向更自动化、数字化的智能化方向。因此,各产业对自动光学检测(AOI)技术的需求更为殷切。疫情突显产业供应链中断和制造业缺工问题,加上少量多样需求成趋势,迫使制造业快速转型,走向更自动化、数字化的智能化方向。导入自动化及AI的过程中,传统人力逐渐被取代,也改变产线人员配置的传统生态,其中,可以确保产线及产品质量的自动检测仪器不仅发挥精准有效的优势,还能针对缺陷或瑕疵及时修复、舍弃,降低不必要的时间成本与人力成本,快速稳定且
  • 关键字: 自动光学检测  AOI  AI  3D  检测铁三角  

西门子与联华电子合作开发3D IC混合键合流程

  • 西门子数字化工业软件近日与半导体晶圆制造大厂联华电子 (UMC) 合作,面向联华电子的晶圆堆叠 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圆堆叠 (chip-on-wafer) 技术,提供新的多芯片 3D IC (三维集成电路) 规划、装配验证和寄生参数提取 (PEX) 工作流程。联电将同时向全球客户提供此项新流程。通过在单个封装组件中提供硅片或小芯片 (chiplet) 彼此堆叠的技术,客户可以在相同甚至更小的芯片面积上实现多个组件功能。相比于在 PCB
  • 关键字: 西门子  联华电子  3D IC  混合键合流程  

ADI发布新款MEMS:从技术出发,改变生活

  •   我们常常听到一句话“科技改变生活”,在智能化数字化的今天,形形色色的硬件设备无时无刻不在改变着我们的生活。而在生活中常见的运动手表、汽车传感器、灾害预警系统内,MEMS传感器是必不可少的器件之一。  那么到底什么是MEMS?MEMS即微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System),也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,指尺寸在几毫米乃至更小的高科技半导体装置。微机电系统的内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。8月29日,在ADI的MEMS新品媒
  • 关键字: ADI  MEMS  传感器  加速计  

MEMS麦克风已成消费市场的主流产品选择

  • 麦克风已经是众多电子产品中内置的标准器件,从可穿戴设备到家庭助理,越来越多的设备被要求“听到”它们的环境,并随之做出相对的反应。本文将全面概述麦克风类型和基本原理,以及CUI Devices微机电系统(MEMS)麦克风的产品特性。ECM和MEMS麦克风的技术差异随着麦克风应用的增加,对麦克风的灵敏度和体积的要求也越来越高。目前用来构建麦克风的两种最常见的技术是MEMS和驻极体电容,以下将先介绍MEMS和驻极体电容麦克风(ECM)的基础知识,比较技术之间的差异,并概述每种解决方案的优势。MEMS麦克风由放置
  • 关键字: 艾睿电子  MEMS  

长江存储推出UFS 3.1高速闪存,加速5G时代存储升级

  • 近日,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 :“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

长江存储SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 这两年,长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘,都呈现火力全开的姿态,从技术到产品都不断推陈出新。6月23日,长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列,可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景,而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压,可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

存储芯片从落后20年,到追上三星、美光,中国厂商只花了6年

  • 近日,有消息称,国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初,会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商,终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片,而大规模应用也要到2023年去了。可见,国产存储芯片,在技术上确实已经追上了三星
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

中国芯片传来捷报,长江存储取得技术突破,正式打破三星垄断

  • 中国芯片传来捷报,长江存储取得重大技术突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

国产存储芯片又取得突破,长江存储192层闪存送样,预计年底量产

  • 头一段时间,有媒体报道称,长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样,预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业,从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立,2017年便推出了32层NAND闪存。2019年,推出64层堆栈3D NAND闪存,并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距,长江存储跳过了96层,直接进行了128层3D NAND 闪存的研发,并在2020年正式宣布研发成功,它是业内首款128层QLC规格的3D N
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

imec首度展示晶背供电逻辑IC布线方案 推动2D/3D IC升级

  • 比利时微电子研究中心(imec)于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会(VLSI Symposium),首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)结构,将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨(buried power rail)上。微缩化的鳍式场效晶体管(FinFET)透过这些埋入式电源轨(BPR)实现互连,性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔(nTSV)与埋入式电源轨(BPR)连接至晶圆背面,与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
  • 关键字: imec  晶背供电  逻辑IC  布线  3D IC  

英飞凌推出全球首款符合ISO26262标准的高分辨率车用3D图像传感器

  • 3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用,有助于打造创新的汽车智能座舱,支持新服务的无缝接入,并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求,以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与专注3D ToF(飞行时间)系统领域的湃安德(pmd)合作,开发出了第二代车用REAL3™图像传感器,该传感器符合ISO26262标准,具有更高的分辨率。         
  • 关键字: 3D  图像传感器  

英飞凌携手湃安德为Magic Leap 2开发3D深度传感技术,赋能尖端工业和医疗应用

  • 增强现实(AR)应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年,AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计,将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计,拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力,能够让操作人员更高效地开展工作,帮助公司优化复杂的流程,并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
  • 关键字: 3D  s深度传感  

ST发布多款新型MEMS传感器,突破性能功耗比,解锁可穿戴应用新场

  • 意法半导体即将发布一系列具有更高的性能功耗比的新型传感器。LSM6DSV16X是具有机器学习内核的MEMS惯性传感器的最新成员,具有更高精确度和更低功耗。此外,Qvar静电感测也首次集成于这类器件,能够监测环境静电电荷的变化。 我们同时还发布了首款双满量程压力传感器:LPS22DF和LPS28DFW,功耗低至1.7 µA,绝对精度达到0.5 hPa;三轴加速度计LIS2DU12,功耗仅为0.45 µA。 LSM6DSV16X便携式设备呼唤更高效的惯性传感器尽管手机摄像头的图像质量在不断提升,制造商仍面临
  • 关键字: MEMS  传感器  

3D DRAM技术是DRAM的的未来吗?

  • 5月25日,有消息传出,华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限,DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前,DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么,10nm是DRAM工艺的极限吗?在回答这个问题之前,我
  • 关键字: DRAM  3D DRAM  华为  三星  美光  制程  纳米  

浅析基于量子成像的下一代甚高灵敏度图像传感器技术

  • 高灵敏度探测成像是空间遥感应用中的一个重要技术领域,如全天时对地观测、空间暗弱目标跟踪识别等应用,对于甚高灵敏度图像传感器的需求日益强烈。随着固态图像传感器技术水平的不断提高,尤其背照式及埋沟道等工艺的突破,使得固态图像传感器的灵敏度有了极大提升。固态高灵敏图像传感器,尤其是科学级CMOS图像传感器,凭借其体积小、集成度高及功耗低等优势,在空间高灵敏成像领域的应用中异军突起。尽管科学级CMOS图像传感器可以实现低照度高灵敏成像,但还远未达到单光子探测的辐射分辨能力。量子CMOS图像传感器的出现,对于拓宽空
  • 关键字: MEMS  传感器  
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