ST 本季度因重组成本亏损了 1.77 亿美元，今年上半年收入同比下降了 21%。“我们实现了 27.7 亿美元的营收，比我们业务展望范围的中间值高出 5.6 亿美元，汽车业务略低于我们的预期，这是由于客户特定的原因，”ST 首席执行官让-马克·切里说道。“这被个人电子和工业领域的高收入所抵消。”与 NXP 的交易将使 ST 支付 9 亿美元，并提供 5000 万美元的激励，这一举措将提振陷入困境的模拟、MEMS 和传感器部门。该交易预计将在 2026 年上半年完成。“从同比来看，模拟产品、MEMS 和传
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ST 恩智浦 MEMS
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
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铠侠 3D 闪存 TLC存储器 闪存 3D闪存
全球半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics）计划收购恩智浦半导体（NXP Semiconductors）的MEMS传感器业务，以加强其全球传感器能力，该业务专注于汽车安全产品以及工业应用传感器。该交易将补充和扩展意法半导体领先的MEMS传感器技术和产品组合，为汽车、工业和消费类应用带来新的发展机会。意法半导体模拟、功率和分立器件、MEMS和传感器事业部总裁Marco Cassis表示：“此次收购对意法半导体来说是一个非常合适的战略选择。“与意法半导体现有的MEMS产品组合一起，这些高
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意法半导体 恩智浦 MEMS 传感器
传感器技术彻底改变了汽车行业，在安全性、舒适性和自动化方面取得了重大进步。如今，车辆拥有利用精确传感功能来增强驾驶员和乘客体验的系统，同时降低道路风险。MEMS（微机电系统）技术处于这项创新的前沿，可提供现代汽车应用所需的紧凑性、准确性和可靠性。支持 MEMS 的无线技术使汽车能够共享有关交通状况、潜在危险和路线优化的实时数据，从而提高现代道路的安全性和效率。基于 MEMS 的惯性测量单元 （IMU） 尤其值得注意。它们有效地解决了与大灯调平、导航和稳定性控制相关的挑战。它们能够将高级传感与低功
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MEMS 汽车安全功能
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
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EDA 3D IC 数字孪生
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA 3D IC
MEMS 传感器开辟了具有高精度、更高安全性和增强功能的新产品设计机会。微机电系统 （MEMS） 是由电子和机械部件组成的微观设备。许多最新的传感器设计都利用 MEMS 技术来实现高精度和小型化，以实现特定目标和创新。电子工程师在设计中使用基于 MEMS 的传感器时有哪些优势？以下是三个好处。当电子工程师开发具有广泛潜在用例的解决方案时，他们可能会获得更多的市场吸引力和利益相关者的兴趣。这包括使用先进的传感器与人工智能相结合来开发新的用例。一个例子是 Ainos Inc. 的 AI Nose，它包括来自&
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MEMS 传感器
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
美国和日本的研究人员已经确定了笔记本电脑和智能助手（如 Google Home）中使用的 MEMS 麦克风存在安全风险。这些 MEMS 设备存在一个漏洞，即甚至可以隔着墙壁检测到电磁辐射，使用 AI 重建麦克风拾取的声音。佛罗里达大学和日本电气通信大学的研究人员还确定了解决设计缺陷的多种方法，并表示他们已经与制造商分享了他们的工作，以寻求未来的潜在修复方法，并建议将扩频时钟作为防御措施。研究人员测试了意法半导体的 MP34DT01-M、楼氏电子 SPM0405（现在是 Synaptics 的一部分）、TD
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AI MEMS 麦克风 拾取声音
美国和日本的 researchers 已经发现笔记本电脑和智能助手（如 Google Home）中使用的 MEMS 麦克风存在一个安全风险。这些 MEMS 设备存在一个漏洞，即电磁辐射可以被检测到，即使隔着墙壁，也可以使用 AI 重建麦克风拾取的声音。佛罗里达大学和日本电子通信大学的 researchers 还发现了多种解决设计缺陷的方法，并表示他们已经与制造商分享了他们的工作，以供未来可能的修复，并建议使用扩频时钟作为防御措施。研究人员测试了来自意法半导体（STMicroelectronics）的 MP
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MEMS 传感器 ST 数据安全
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
中国的研究人员开发了一种开创性的方法，可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1：4 的宽高比实现了深沟槽，同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 （Q 因子） 和频率可调性，而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
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3D 射频传感器
对于初次尝试评估惯性检测解决方案的人来说，现有的计算和I/O资源可能会限制数据速率和同步功能，进而难以在现场合适地评估传感器能力。常见的挑战包括如何以MEMS IMU所需的数据速率进行时间同步的数据采集，从而充分发挥其性能并进行有效的数字后处理。计算平台循环速度可能很慢（低至10 Hz），而且这些平台往往不支持传感器数据更新产生中断来及时获取数据。本文介绍了系统开发人员可以使用哪些技术，来解决控制系统慢速/异步计算循环与IMU传感器高性能数据采集和处理(>1000 Hz)之间的矛盾。
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导航系统 MEMS IMU
Menlo Microsystems 今天在纽伦堡的 PICM 上展示了一种将其 MEMS 继电器（微型机电继电器）扩展到“10MW 及以上配电和控制系统”的方法。该演示基于该公司的 MM9200 300V 10A 单刀单掷开关，展示了为美国海军设计的 1,000V 和 10,000A 断路器背后的技术。据该公司称，MM9200 用于冷开关，具有 10mΩ 的接触电阻，需要一个 9nA 的 90V 控制来保持闭合。开关时间为 30μs。基于此的 10A 继电器尺寸为 30 x 25 x 4mm。在 PCI
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MEMS 继电器 概念验证
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
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