据路透社报道，一名联邦法官周三驳回了针对英特尔的诉讼，该诉讼指责该公司及其管理层隐瞒了其半导体制造部门在 2023 年的财务困境。旧金山的美国地区法官 Trina Thompson 裁定，原告未能提供证据证明 Intel 及其高管犯下了任何不当行为。该案在无损权利的情况下被驳回，这意味着原告可以提交具有更有力证据的修改后的起诉状。原告辩称，英特尔及其时任首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）和时任首席财务官大卫·津斯纳（David Zinsner）隐瞒了其英特尔代工部门在 2023 年亏损
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尽管英特尔希望减少对台积电制造服务的使用，但该公司将在可预见的未来继续从这家总部位于中国台湾的代工厂订购芯片，一位高级管理人员昨天在一次技术会议上表示。英特尔的宏伟计划是在英特尔代工内部生产尽可能多的产品，但由于这可能不是最佳策略，它目前正在评估其产品的百分比应该在台积电生产。“我认为一年前我们在谈论尽快将[TSMC的使用量]降至零，但这已经不是策略了，”英特尔企业规划和投资者关系副总裁John Pitzer在摩根士丹利技术、媒体和电信会议上说。“我们认为，至少与台积电合作的一些晶圆总是好的。他们是一个很
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上周在 IEEE 国际固态电路会议 （ISSCC） 上，先进芯片制造领域最大的两个竞争对手 Intel 和 TSMC 详细介绍了使用其最新技术 Intel 18a 和 TSMC N2 构建的关键内存电路 SRAM 的功能.多年来，芯片制造商不断缩小电路规模的能力有所放缓，但缩小 SRAM 尤其困难，因为 SRAM 由大型存储单元阵列和支持电路组成。两家公司最密集封装的 SRAM 模块使用 0.02
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新闻亮点：● 集成AI功能的英特尔至强6系统级芯片，与前几代产品相比，可带来高达2.4倍的无线接入网（RAN）容量提升1，和70%的每瓦性能提升2；● 集成的人工智能加速器将AI RAN性能提升了高达3.2倍3；● 与5G核心网解决方案合作伙伴的深度合作，加快了英特尔®至强®6能效核处理器在整个生态系统中的应用；● 基于 5G核心网工作负载的独立验证确认了英特尔®至强®6能效核处理器机架性能的提高、能耗的降低以
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SK海力士将于2025年3月（协议预设的最早时间点）支付收购尾款，完成与英特尔NAND闪存业务的最终交割。随着交易的完成，将加强SK海力士在全球NAND闪存市场的地位，尤其是企业级固态硬盘（SSD）方面。随着AI技术的普及和应用，存储需求正在不断增长，HBM领域的领导者SK海力士却没有停止扩张的步伐，这次收购将使SK海力士与竞争对手三星展开直接竞争。· 2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，宣布以90亿美元收购其NAND闪存及存储业务；· 2021年12月，第一阶段的交易完成，SK海力士支付70亿
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3月4日消息，据媒体报道，NVIDIA和博通正在对Intel的18A制程技术进行测试，如果一切顺利，IFS（Intel代工服务）有可能获得“数亿美元”的制造合同。Intel的18A制程技术采用了RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术，其性能指标被认为介于台积电当前和下一代节点之间。这为Intel在代工市场提供了难得的竞争机会，NVIDIA和博通的测试是Intel能否成功进入目前由台积电主导的代工市场的关键一步。不过报道还称Intel18A制程的第三方IP模块认证被推迟了六个月，这可能会影响
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3月4日消息，据知情人士透露，芯片设计公司英伟达与博通正在与英特尔进行芯片制造工艺测试，展现出对英特尔的先进生产工艺的初步信心。这两项此前未曾报道的测试表明，英伟达与博通正在接近决定是否将数亿美元的制造合同交给英特尔。如果最终做出这样的决定，英特尔的合同制造业务不仅将获得丰厚收入，其技术实力也有望赢得市场认可。尤其是在英特尔的制造工艺长期受延迟问题困扰的情况下。英特尔的合同制造业务迄今为止尚未宣布获得来自知名芯片设计公司的订单。此外，AMD也在评估英特尔的18A制造工艺是否符合其需求，但目前尚不清楚该公司
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【环球时报综合报道】美国半导体巨头英特尔近日宣布，其斥资280亿美元在俄亥俄州建设的尖端芯片制造基地将延期5年投产。据路透社2月28日报道，英特尔表示，在该州的首座晶圆工厂投产时间将从原计划的2025年推迟至2030年，第二座工厂预计延至2032年投产。英特尔是获得美国《芯片与科学法》最多资金支持的本土芯片企业，美国科技媒体WinBuzzer网站3月1日称，英特尔此前已将该工厂的建设计划由2025年延期至2027年，两次投产延期引发人们对仅靠政府资金能否振兴美国芯片业的担忧。英特尔全球运营执行副总裁钱德拉
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据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆是足以生产数千个计算芯片的大型硅片。2024年，英特尔成为全球第一家接收这些先进设备的芯片制造商，与之前的ASML设备相比，这些机器可望制造出更小
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2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机，支持High-NA也就是高孔径，Intel去年抢先拿下了第一台，目前已经在俄勒冈州Fab D1晶圆厂安装部署了两台，正在紧张地研究测试中。Intel资深首席工程师Steve Carson透露，迄今为止，两台EUV光刻机已经生产了3万块晶圆，当然不算很多，但别忘了这只是测试和研究使用的，并非商用量产，足以证明Intel对于新光刻机是多么的重视。Steve Carson还强调，完成同样的工作，新款光刻机
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据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV
机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处
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英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生产数千颗运算芯片的大型硅片。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变，因英特尔采用上代极紫外光（EUV）曝光机时落后竞争对手。英特尔花了七年才将之前机器全面投产，导致领先优势被台积电超越。 生产
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近日，英特尔宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。该制程将导入多项先进半导体技术。18A制程相较于英特尔3nm制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther
Lake笔电处理器与Clearwater Forest服务器CPU，这两款产品预计将于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供电技术。该技术透过将粗间距金属层与凸块移至芯片背面，并采用纳米级硅穿孔（through-silicon
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三星显示与英特尔合作开发下一代显示解决方案，针对英特尔处理器进行优化三星显示与英特尔已签署一份谅解备忘录，双方将在提供针对英特尔处理器优化的领先显示解决方案方面展开合作。三星显示作为领先的显示制造商之一，已与英特尔签署了一份关于合作开发下一代显示屏的谅解备忘录（MoU）。由于人工智能 PC 的需求激增，两家公司希望携手合作，为市场带来前沿的显示屏，为英特尔处理器提供更好的特性和优化。通过此次合作，两家公司旨在利用三星显示屏中的英特尔处理器，打造高性能的信息技术（IT）设备和人工智能 PC。三星显示执行副总
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