- 台积电先进封装产能持续吃紧,CoWoS 订单已全部排满。据行业消息源透露,部分后端先进封装订单已外溢至英特尔马来西亚工厂,服务双方共同的核心客户,打破了行业传统惯例。该合作模式有助于加快台积电前端先进工艺晶圆出货;机构投资者认为,包括日月光(ASE)以及基板供应商在内的供应链合作企业都将从中受益。报道指出,后端先进封装产能难以匹配前端晶圆产出的增长速度,市场普遍预期台积电会欢迎更多供应商提供产能补充。台积电董事长魏哲家此前就曾表态,欢迎同业扩充封装产能以缓解供应短缺,给予客户更大选择空间,他认为这类供给补
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- 英特尔嵌入式多芯片互连桥(EMIB)与 Foveros 是两款先进半导体封装技术,用于将多颗硅裸片(芯粒)整合至同一处理器封装内部。两项技术均支持异质集成:厂商可针对不同功能模块匹配最优制程工艺制造,再通过封装互联为一套完整系统。二者核心差异体现在空间排布形式:EMIB 主要实现裸片横向并排互连,Foveros 则支持裸片垂直堆叠。EMIB(嵌入式多芯片互连桥)详解EMIB 全称嵌入式多芯片互连桥(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)。不同于将芯粒放置在整块大尺寸
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- 随着AI芯片需求的持续增长,先进封装技术已成为半导体行业竞争的焦点。由于台积电CoWoS先进封装能力长期供应短缺,市场开始寻求替代方案,英特尔的EMIB-T封装技术也引起了广泛关注。据外国媒体Wccftech报道,英特尔的EMIB-T封装良率目前接近90%,其成本比台积电的CoWoS低约50%,具有一定的成本效益优势。 然而,EMIB-T在大规模生产前仍面临挑战,主要瓶颈是基材产率仍约50%,这是产能扩张的最大障碍。报告指出,英特尔全力发展其晶圆业务,积极加速在美国俄亥俄州建设新的晶圆厂,目标是在2031
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- 随着AI数据中心对高性能计算需求的持续增长,先进封装已成为AI芯片竞争中的关键组成部分。 联发科(2454)在最新财报电话会议上首次明确披露,在其AI ASIC(定制芯片)项目中,除了采用台积电的CoWoS封装外,还引入了英特尔EMIB-T先进封装技术,标志着公司多元化封装战略,以满足不同客户大型AI芯片的设计需求。联发科首席执行官蔡志明表示,近年来公司积极进军AI数据中心市场,已成为众多数据中心客户的重要合作伙伴。 除了不断深化与台积电的设计合作优化外,联发科还与主要先进封装合作伙伴保持密切合作。通过结
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- Intel 在 7 月 29 日发布的先进封装能力展示文章中,介绍其先进封装路线时,明确了 Foveros、EMIB 与 EMIB-T 三层定位。传统 EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)将一片局部硅桥嵌入封装基板,用于连接相邻芯粒,信号在基板表层走线。EMIB-T 在硅桥中加入了垂直通道(类 TSV 结构),使电力可以更直接地经硅桥送往芯粒,同时为 HBM 周边的高速信号腾出更多布线空间。这意味着 AI 加速器的供电路径正从板级、封装基板继续向硅桥内部
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2.5D/3D封装
- 据消息称,英特尔凭借 18A、14A 制程以及 EMIB 先进封装技术拿下多笔重磅流片订单,充分印证市场对其晶圆代工业务的旺盛需求。科技巨头纷纷接洽英特尔晶圆代工,18A、14A 与 EMIB 技术热度飙升此前台积电是业内唯一能够提供顶尖制程与先进封装技术的半导体厂商,如今英特尔迅速崛起,成为台积电强劲对手。英特尔 18A 工艺已进入量产爬坡阶段,同步推进更先进的 18A-P 工艺(处于风险试产阶段)与 14A 工艺(2028 年开启风险试产,2029 年实现量产)。上述三代制程均是英特尔晶圆代工业务的核
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- 先进封装已成为下一代半导体产品落地的关键支撑技术,英特尔持续依托 ** 嵌入式多裸片互连桥(EMIB)** 推进技术迭代创新。EMIB 现已成为异构集成的基础封装方案,可实现多颗芯粒 / 裸片之间高带宽、低时延互连,同时规避全硅中介层带来的高成本与工艺复杂度。但随着芯片设计日趋精密,封装落地成败不只取决于制造工艺,还离不开完善的设计方法论与产业链生态协同。英特尔与新思科技深度协作是落地上述目标的关键一环:新思提供全套 EDA 工具,破解先进封装在设计、仿真分析、验证环节不断攀升的技术难题。双方携手帮助设计
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新思科技
- 2026年6月2日,在COMPUTEX 2026展会配套的高盛投资者交流日上,联发科对外披露项目规划信息,旗下一款下一代定制芯片项目确定封装路线,该产品将独家落地英特尔EMIB-T先进封装工艺,本项目不再选用台积电CoWoS封装方案;项目关键节点同步落地,芯片流片(tape-out)工作计划锁定2026年第四季度,规模化量产时间规划在2027年第四季度。据悉,本次封装切换仅针对该专项下一代芯片产品,联发科整体产品矩阵仍保留台积电CoWoS合作渠道,可根据不同客户需求灵活选用两类先进封装技术路线。业内信息显
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- 有消息显示,SK海力士正在与英特尔展开技术合作,测试英特尔的2.5D封装技术EMIB,此技术用于高带宽内存HBM与逻辑芯片的集成。这一消息直接带动两家公司股价大幅上涨。SK海力士在韩国交易所创下历史新高,盘中最高达到1320美元,涨幅达到14.5%。英特尔股价同样上涨近14%,近六个月累计涨幅达到229%。EMIB是英特尔的核心先进封装技术,通过嵌入在基板中的微型硅桥实现芯片之间的连接。与台积电的CoWoS技术相比,EMIB成本更低,热设计更简单。目前台积电CoWoS产能长期紧张,仅英伟达就占据约60%的
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- AI芯片竞赛持续升温,IC设计龙头联发科正加速扩大AIASIC与数据中心布局。 业界分析,联发科采取「双重先进封装路径」策略,一方面深化与台积电在CoWoS、SoIC等先进封装合作,另一方面也导入英特尔EMIB技术,替特定客户打造ASIC芯片,提供未来自研芯片客户多元选择。 法人指出,先进封装成AI芯片重要核心战场,台厂辛耘、均华、G2C联盟已陆续卡位晶圆代工龙头重要站点。英特尔EMIB与台积电CoWoS虽同属先进封装,但技术路线截然不同。 CoWoS采用大型硅中间层(Interposer),透过TSV(
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- 在 2026 年英伟达 GTC 大会上,英特尔有望为英伟达下一代费曼系列 GPU 提供先进封装服务的消息引发行业热议,其嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)技术及马来西亚基地的扩建计划也因此备受关注。据《马来西亚边缘报》消息,英特尔位于马来西亚的先进封装基地及封装测试产线将于2026 年下半年正式投产。该报道援引马来西亚总理安华・易卜拉欣的社交媒体发文称,其已听取英特尔首席执行官陈立武及其团队关于公司在马扩建计划最新进展的工作汇报。报道还指出,英特尔晶圆代工事业部执行副总裁兼总经理纳加・钱德拉塞卡兰已明确基地
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- 英特尔在日本 NEPCON 展会展示了集成嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)先进封装技术的厚芯玻璃基板。尽管此前其技术路线图存在不确定性,但此次展示表明玻璃基板仍是英特尔先进封装领域的长期研发方向,该技术主要面向高性能数据中心处理器。对于从事先进封装、异构集成或人工智能加速器设计的读者而言,这一技术进展意义重大。业内普遍认为,玻璃基板有望为下一代服务器级器件实现更大封装尺寸、更精细互连以及更高机械稳定性提供支撑。先进封装中的玻璃基板与 EMIB 技术据 Wccftech 报道,英特尔代工业务部门展示了玻璃芯
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厚芯玻璃基板
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多芯片集成
- 1 月 23 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(1 月 22 日)发布博文,报道称在 2026 年 NEPCON 日本电子展上,英特尔首度公开展示集成 EMIB 技术、尺寸达 78mm×77mm 的巨型玻璃芯基板原型。注:EMIB 全称为 Embedded Multi-die Interconnect Bridge,官方名称为嵌入式多芯片互连桥接,可以理解为埋在基板里的“高速立交桥”,专门用来连接基板上相邻的两个小芯片,让数据传输像在同一个芯片内一样快。图源:英特尔为何 AI 芯片必须“弃塑换玻”
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- 近期因为台积电的CoWoS先进封装产能高度吃紧,除了几个AI芯片龙头有能力大量「包产能」外,其他特用芯片(ASIC)和二线的AI晶片业者,难以争取到足够CoWoS产能支持。 值得注意的是,市场陆续传出,英特尔(Intel)的EMIB先进封装制程,成为芯片业者的考量之一,半导体业界更盛传,网通芯片大厂Marvell甚至联发科,都积极想要尝试,甚至可能有「前段投片台积电、后段找上英特尔」的新生意模式。英特尔先进封装实力不俗 EMIB有吸引力据了解,由于英特尔EMIB技术本身价格较为实惠,散热表现也不错,面对一
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- 据报道,是德科技于6日宣布与英特尔晶圆代工达成合作,共同支持嵌入式多芯片互连桥接(EMIB-T)技术。这一尖端创新技术旨在为AI和数据中心市场提供更高效的封装解决方案,并支持Intel 18A制程节点。随着AI和数据中心工作负载复杂度的不断提升,小芯片与3D IC之间的可靠通信变得愈发重要。高速数据传输和高效电源传输成为满足下一代半导体应用性能需求的关键因素。此次合作将有助于推动相关技术的发展,满足市场对高性能计算和数据处理日益增长的需求。据相关消息透露,双方的合作将为行业带来更先进的技术支持,助力芯片设
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- 一文带你看懂英特尔的先进制程工艺和高级系统级封装技术的全部细节... 1. 制程技术Intel 18A 英特尔18A制程节点正在按既定计划推进,首个外部客户的流片工作将于2025年上半年完成。Intel 18A预计将在2025年下半年实现量产爬坡,基于该制程节点的首款产品,代号为Panther Lake,将于2025年年底推出,更多产品型号将于2026年上半年发布。【英特尔新篇章:重视工程创新、文化塑造与客户需求;英特尔发布2025年第一季度财报
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- 在摩尔定律的旅程中,先进封装技术正发挥着越来越重要的作用,通过堆叠技术的创新,可以在单个设备中集成更多的晶体管。目前的大多数芯片都采用了异构架构设计,先进封装技术也让设备中采用不同制程技术、来自不同厂商、执行不同功能的芯粒能够在一起妥善工作,从而提高性能并降低功耗。EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)是英特尔的一种2.5D先进封装技术,支持把不同的芯片放在同一块平面上相互连接。传统的2.5D封装是在芯片和基板间的硅中介层上进行布线,EMIB则是通过一个嵌入基板内部的单独芯片完成互连。作为一种高成本效益的方法,
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- 当今智能手机、电脑和服务器中的大多数芯片都是由多个较小芯片密封在一个矩形封装中来组成的。这些通常而言包括CPU、图形卡、内存、IO等在内的更多芯片是如何进行通信的?一种被称为EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)的英特尔创新技术将揭晓答案。它是一种比一粒米还小的复杂多层薄硅片,可以让相邻芯片以惊人的速度来回传输大量数据,高达每秒数GB。当前,英特尔EMIB加速了全球近100万台笔记本电脑和FPGA(现场可编程门阵列)设备之中的数据流。随着EMIB技术更加主流化,这个数字将很快飙升,并覆盖更多产品。例如英特尔于1
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- 在竞争对手包括台积电、三星、格罗方德等不但陆续宣布在 10 奈米制程进行量产之外,还持续布局 7 奈米制程,甚至更先进的 5 奈米、3 奈米制程。 反观半导体龙头英特尔 (Intel) 对每一代处理器的性能提升被认为是“挤牙膏”,甚至在第 8 代处理器的制程上仍沿用 14 奈米制程,让大家怀疑英特尔在制程技术上的进展。 而为了破除这样的想法,日前英特尔发布了最新的EMIB 技术,以证明自己在处理器生产技术上依旧领先的地位。
根据英特尔在 28 日于美国旧金山举行的 Int
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