- 继台积电成立新事业组织(NBDO)之后,联电24日董事会决议,成立新事业发展中心(NBDC),更以新台币15亿元成立联电100%持股的「联电新投资事业公司」投入节能事业如太阳能、LED领域投资。由于额度与台积电日前公布的16.5亿元相当,加上两家组织名称、投资标的都极为相近,显示台积电、联电在节能投资领域的投资竞逐战已然展开。
联电表示,24日董事会通过成立新事业发展中心,将由资深副总陈文洋当责,此新事业中心也将成立由联电100%持股的转投资「联电新投资事业公司」,初期预定资本额约15亿元,新公
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联电 薄膜太阳能 LED 晶圆
- 机遇与挑战:
2000~2008年间,我国半导体产业飞速发展,基础相对雄厚
国际金融危机的硝烟仍未消散,半导体行业仍在困境中挣扎
我国的半导体产业在国际上已经占有重要地位
中国半导体区域、竞争格局与国际趋势相吻合,发展趋势良好
我国半导体受经济危机的影响要低于国际半导体产业
市场数据:
中国在世界半导体发展中一直有重要地位,对世界半导体行业的增长率贡献超过70%
商业比重成分集成电路设计占18.9%芯片占31.5%封装测试业占仍然偏大,占49.6%
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集成电路 封装 晶圆
- 据媒体报道,台积电日前召开董事会,决定投资11亿1680万美元,以扩充12英寸晶圆厂的45纳米制程产能,与设置32纳米制程产能;至于市场关注的太阳能投资,台积电并未宣布投资对象,但将先投入0.5亿美元在太阳能相关产业。
据台湾媒体报道,台积电发言人何丽梅表示,董事会决议通过人事变动,任命杜隆钦担任人力资源组织副总经理;调任张秉衡担任资材暨风险管理组织副总经理。
其次,资本支出部分,台积电董事会核准资本预算11.168亿美元,以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能与设置32奈米制程产能。同时
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台积电 晶圆 32纳米
- 徐州中能硅业母公司─协鑫光伏,首席执行官江游指出,因太阳能电池需求加温,近来上游的多晶硅已有供给告急压力,加上国内开始限制海外晶圆的进口,而2010年招标的项目目前也已达到2GW(20亿瓦),因此估计太阳能电池缺料的问题将会延续下去,而多晶硅的价格年底前也都能持稳。
太阳能电池产业在全球性金融危机爆发后需求下跌,直到今年第三季,进入产业旺季后,欧洲、美国需求转强,加上国内加码对太阳能电池产业的扶持,继推出太阳能屋顶补贴计划、规划在敦煌、内蒙和新疆等偏远地区盖太阳能发电厂后,更于7月公布关于实施金
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太阳能电池 晶圆 多晶硅
- Intel日本分公司在筑波市举行了一次技术会议,内容颇为丰富,涉及半导体技术现状与未来、Nehalem微架构、ATM主动管理技术、Anti-Thefe防盗技术、My WiFi无线技术等等。
其中有关半导体制造工艺的展望引起了我们的特别关注。近十几年来,Intel以每两年升级一次的速度从0.25微米(um)一路走到了45纳米(nm),中间历经了0.18微米、0.13微米、90纳米、65nm等四个世代,并带来了多种技术革新,比如晶圆尺寸从200毫米到300毫米、内部互联材料从铝到铜、通道从硅到应变硅
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- 晶圆双雄太阳能竞赛日益白热化,继台积电董事会通过设置5,000 万美元专款发展节能事业后,联电抢先一步规划进军大陆,旗下薄膜太阳能电池厂联相光电日前前往山东考察,评估在当地设厂事宜。
业界认为,在台积电尚未明确出手投资太阳能标的或兴建产能下,联电集团在太阳能领域企图心强烈,考虑大陆太阳能内需市场庞大,若能透过联相插旗大陆,将可享地利之便,趁机抢食大陆太阳能的商机,并拉大与台积电之间的距离。
联电在太阳能事业布局领先台积电,早在2005年11月便成立联相(原名晶能),作为进军太阳能的试金石。
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联电 晶圆 薄膜太阳能电池
- 基于极其成功的Galaxy印刷设备,得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并拥有先进的速度和加速控制,确保强健地处理当今易损的晶圆产品。
Galaxy薄晶圆系统的杰出工艺能力核心是专业设计的晶圆托盘,提供输送和加工75微米薄晶圆时正确固定晶圆所需的支撑和稳定性。约400毫米见方的得可晶圆托盘,平整度小于10微米,且能容纳300毫米大的晶圆。仔细的选择和多孔材料的使用确保薄晶圆的安全
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Galaxy 晶圆 托盘
- 8月12日消息,台积电周二召开董事会,决定投资11亿1680万美元,以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能,与设置32奈米制程产能;至于市场关注的太阳能投资,台积电并未宣布投资对象,但将先投入0.5亿美元在太阳能相关产业。
据台湾媒体报道,台积电发言人何丽梅表示,董事会决议通过人事变动,任命杜隆钦担任人力资源组织副总经理;调任张秉衡担任资材暨风险管理组织副总经理。
其次,资本支出部分,台积电董事会核准资本预算11.168亿美元,以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能与设置32奈米制程产能。
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晶圆 32纳米 太阳能
- 上个月,GlobalFoundries纽约州晶圆厂Fab 2正式破土动工,相隔几周后,GlobalFoundries宣布,他们将尽快着手Fab 3计划。
随着纽约州晶圆厂的破土动工,GlobalFoundries的信心也更加充足,GlobalFoundries主席Hector Ruiz表示:“GlobalFoundries的目标是成为半导体制造行业的领军者,我们也将尽快着手Fab 3工厂计划。”
虽然现在还不清楚Fab 3的具体规划,也不知道它的开工时间,但是既然G
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GlobalFoundries 晶圆 显卡
- 曾经是欧洲最大内存厂的奇梦达进入资产拍卖阶段,而此举刚好给了大陆切入内存产业领域的大好时机!浪潮集团将于8月中收购奇梦达西安研发中心,至于苏州封测也传出将由华润集团接手,而这些收购公司背后都有国资背景,显见在官方撑腰并下指导棋的情况下,大陆内存产业链终于完备。
德国内存龙头厂奇梦达确定遭到市场淘汰,并已正式进入资产拍卖阶段。目前奇梦达的资产包括6大研发中心、美国的弗吉尼亚与德国的德勒斯登12吋晶圆厂,以及大陆、葡萄牙、马来西亚的后段封测厂。至于奇梦达在大陆的基地,只有西安的研发中心与苏州的内存后
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奇梦达 晶圆 服务器 DRAM NAND
- 数码媒体体验开发混合信号集成电路厂商美国IDT公司与台湾积体电路制造股份有限公司6日宣布签订制造协议, IDT公司将其位于美国奥瑞冈州半导体厂的工艺及产品制造移转给台积电。此项协议预计在两年内完成所有产品的移转,目前已获得双方公司与IDT公司董事会的同意。
IDT公司全球制造副总经理Mike Hunter表示:“过去一年来,我们已逐渐转型为专为通讯、电脑与消费性电子市场开发特定应用解决方案的公司。与台积电达成的协议让我们能充分利用台积电各个工艺世代的尖端技术,是我们转型之路中必然的下
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IDT 晶圆 IC设计
- 市场研究公司iSuppli指出,随着市场需求复苏,在已经公布第二季度业绩的半导体公司中有多数都有不错的业绩。
在15家已公布第二季度业绩的公司中,有11家表示该季度公司的“库存天数(DOI)”低于过去三年的平均值,有8家公司与三年平均值的差距为两位数百分比。
“半导体公司的最新业绩报告验证了iSuppli的观点,库存已从过剩降至合适水平。”iSuppli财务分析师Carlo Ciriello说道,“库存水平是低的,但结合当前的收入
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Intel 晶圆 半导体
- 最近Globalfoundries公司可谓喜事连连,继纽约Fab2工厂正式奠基后,又与意法半导体成功签约。不过按GF公司主席Hector Ruiz的说法,他们现在已经开始筹划第三间制造厂Fab3的项目。目前在建的Fab2将采用300mm技术生产晶圆,建成初期的2012年,将采用 28nm制程技术进行生产,随后转向22nm制程。
目前外界很难猜测Fab3项目的细节,更不用说兴建计划的日期了。不过此举至少说明GF对自己的Fab1/Fab2工厂充满信心,并对公司的发展前景非常乐观。
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Globalfoundries 晶圆 22nm 28nm
- 8月6日消息,台积电今日表示,美国半导体厂商IDT决定将位于奥瑞冈州半导体厂的芯片制造业务移转给台积电,并在移转完成之后关闭这座晶圆厂,并已聘请第三人在市场上寻求潜在接手者。
台积电在一份声明中称,IDT预计在两年内完成0.13微米及以上的制程及产品的移转,并将经营模式从轻晶圆厂(fab-lite)转型到无晶圆厂制造模式(fabless)。
台积电并未说明该项制程及产品移转计划可能带来的业绩影响。
台积电今日下跌0.18%报收56.8台币,大盘加权股价指数.TWII则微涨0.30%报
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IDT 晶圆 fabless
- 8月6日消息,日本芯片制造业龙头东芝(Toshiba)周三表示,由于公司芯片业务资本支出增长将减缓,并寻求扩张核能发电及智能型电网业务,3年后其电力及基础建设业务的获利,将达电子产品部的2倍。
东芝的半导体部门已连续3季出现营业亏损,使其减缓该部门支出,并在其它领域寻求固定营收来源,例如健康医疗及水处理等。
东芝目前预期,包含微芯片、传感器及液晶显示器(LCD)等电子产品部门于2012年3月底结束的会计年度,获利将达约1000亿日元(10亿美元);而届时社会基础建设业务获利则可达2000亿
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东芝 NAND 晶圆
晶圆介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解,再于融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅 [
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