- 2005 年 4 月 5 日凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 输出电流的高压、微功率、低压差稳压器 LT3014。该器件采用范围为 3V 至 80V 的持续输入电压工作，可以 350mV 的低压差产生 1.22V 至 60V 的输出电压，非常适用于汽车、48V 电信备份电源和工业控制应用。7uA（工作时）和 1uA（关机状态）的超低静态电流使该器件成为要求最长工作时间并由电池供电的存储器“保持有效”系统的极好选择。LT3014HV 版本可耐受持续 2ms
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凌特 封装
- 凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 时具有 18uA 超低工作电流的 LTC6906 可编程硅振荡器。LTC6906 是便携式设备的理想时钟芯片，其占板面积仅为 LTC6906 ThinSOTTM 封装和一个电阻所占面积。这些振荡器无需旁路电容，可以编程至介于 10kHz 至 1MHz 之间的任何频率。与晶体和陶瓷谐振器不同，LTC6906 不受加速、冲击和震动问题的困扰。其时钟启动时间仅为 200us，非常适用于时钟速度可能降低或甚至关断时钟以节省功率的便携式设备。LTC
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凌特公司 封装
- 凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 时具有 18uA 超低工作电流的 LTC6906 可编程硅振荡器。LTC6906 是便携式设备的理想时钟芯片，其占板面积仅为 LTC6906 ThinSOTTM 封装和一个电阻所占面积。这些振荡器无需旁路电容，可以编程至介于 10kHz 至 1MHz 之间的任何频率。
与晶体和陶瓷谐振器不同，LTC6906 不受加速、冲击和震动问题的困扰。其时钟启动时间仅为 200us，非常适用于时钟速度可能降低或甚至关断时钟以节省功率的便携式
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凌特 封装
- 2004年10月B版简介利用最先进的材料设计低成本的高度可靠的微波电子、微电子、光电子和功率半导体系统是不现实的。为了保证此类设备的可靠性，需要电子封装和衬底热管理解决方案，因此工程师需要既能够提供热管理特性，同时又能够在更小型的设计中达到最优功率密度的材料。要低成本生产此类材料需要满足封装设计功能要求的健壮成型工艺。铝碳化硅(AlSiC)金属基体复合材料为电子封装提供了高度可靠且成本经济的热管理解决方案。它可提供高热传导率(~200 W/mK)以及可调的低热膨胀系数(CTE)。对于需要减轻重量以及需要耐
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封装
- 安森美半导体（ON Semiconductor）推出全新高性能、微型封装的静电放电（ESD）保护二极管系列，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。新系列中的五个ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1（2.5 V）, ESD5Z3.3T1（3.3 V）, ESD5Z5.0T1 （5.0 V）, ESD5Z6.0T1（6.0 V）和ESD5Z7.0T1（7.0 V）。这些器件为钳制快速上升的ESD脉冲而设计，防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kV的输入波形（符合 IEC61000
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安森美 封装
- Crolles2 联盟成员飞思卡尔、飞利浦与意法半导体扩大了该联盟的半导体合作研发活动范围，合作项目除最初的100-nm以下的CMOS制造工艺外还包括了相关的晶片检测与封装的研发活动。
飞利浦半导体公司高级副总裁兼技术总监Ren
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Crolles2 联盟 封装
- Casio Computer Co., Ltd. 和瑞萨科技公司签署协议，Casio授权瑞萨科技使用其晶园片级封装 (WLP) 半导体器件封装技术。
这个协议标志着Casio首次授权其它日本半导体器件制造商使用其WLP技术。
协议的要点如下：
1. Casio将在不断发展的基础上向瑞萨科技提供其WLP技术。瑞萨科技将在其半导体器件制造过程中积极使用WLP。
2.瑞萨科技被授权使用WLP制造和销售芯片级封装 (CSP)*1产品，瑞萨科技可以自行制造也可以通过其子公司进行制造。
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Casio 瑞萨 封装
- — 努力推动WLP (晶圆片级封装) 技术的标准化 —
东京，2005年1月18日— Casio Computer Co., Ltd. 和瑞萨科技公司签署协议，Casio授权瑞萨科技使用其晶园片级封装 (WLP) 半导体器件封装技术。
这个协议标志着Casio首次授权其它日本半导体器件制造商使用其WLP技术。
协议的要点如下：
1. Casio将在不断发展的基础上向瑞萨科技提供其WLP技术。瑞萨科技将在其半导体器件制造过程中积极使用WLP。
2.瑞萨科技被授权使用WLP制造和销售芯片级封
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Casio 瑞萨 封装
- Microchip推出兼具锡铅焊镀材料价格优势及向前、向后兼容功能的新型环保封装
全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology（美国微芯科技公司）近日宣布，该公司所有的产品自 2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡（Matte tin）作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡/铅焊接工艺，并向前兼容用于采用锡/银/铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。
欧盟
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Microchip 封装
- 单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology（美国微芯科技公司）近日宣布，该公司所有的产品自 2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡（Matte tin）作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡/铅焊接工艺，并向前兼容用于采用锡/银/铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制（RoHS）”法令，对所有在欧盟成员国内生产和销售的电子设备的含
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Microchip 封装
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on) (16毫欧) 特性，其品质因数Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 为120
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飞兆半导体 封装
- 2004年8月A版
随着个人计算机、服务器、网络及电信系统等很多最终设备的功率水平和功率密度的要求持续不断提高，对组成电源管理系统的元部件的性能提出了越来越高的要求。直到最近，硅技术一直是提高电源管理系统性能的最重要因素。然而，过去数年中硅技术的改进已经将MOSFET的RDS(on)和功率半导体的发热量降低到了相当低的水平，以至封装限制了器件性能的提高。随着系统电流要求成指数性增加，市场上已经出现了多种先进的功率MOSFET封装。流行的封装形式包括：DPAK、SO-8、CopperStrap SO-
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MOSFET封装 封装
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on) (16毫欧) 特性，其品质因数Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 为120
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飞兆半导体 封装
- 飞利浦电子公司日前采用微缩超薄四方扁平无引脚（DQFN）封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％，强健的发展蓝图不断推动成本的降低。 飞利浦采用DQFN 封装的BiCMOS 逻辑器件是空间受限而对性能有所要求的应用的理想选择，如组网和电信设备、机顶盒解决方案及其他许多计算应用。同时，可以帮助设计师进一步缩小电路板体积或解放电路板空间，用以增加额外的元件及功能。 飞利浦半导体逻辑器件市场总监Bruce
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Philips 封装
- 赛普拉斯半导体公司近日宣布，其CY25701的批量生产已经开始，这是一款采用单个封装并内置高频参考晶体的可编程扩频晶体振荡器 (SSXO)。该器件专为与Cypress的多功能、可编程峰值抑制EMI解决方案 (PREMISTM) 扩频芯片一起工作而进行了技术规格的拟订、设计和测试，与外部晶体解决方案相比，其设计、测试时间以及产品开发成本均得到了明显的缩减。由于在该器件中集成了频率合成以及扩频时钟功能，因此CY25701能够在采用板载晶体的情况下高效运行。借助该款器件，设计者就可以摆脱不易使用的高次晶体或晶体
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cypress 封装
封装介绍
程序 封装 (encapsulation)
隐藏对象的属性和实现细节，仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.
封装 (encapsulation)
封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合，形成一个有机的整体，也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合，形成“类”，其中数据和函数都是类的成员。
封装的目的是增强安全性和简化编程，使用者不必了解具体的 [
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